触摸屏的制造工艺制造技术

本发明专利技术公开了触摸屏的制造工艺，在ITO薄膜上蚀刻出多条X电极和多条Y电极，X电极和Y电极之间相互绝缘，X电极在X轴方向上保持连续，Y电极在与X电极交叉的区域断开；在ITO薄膜上印刷多个绝缘桥；绝缘桥与Y电极的断开区域一一对应，绝缘桥位于Y电极的断开区域并连接该断开区域两侧的Y电极；通过喷涂和蚀刻工艺在ITO薄膜上设置多条钼铝钼跳线；钼铝钼跳线位于绝缘桥上并导通相应断开区域两侧的Y电极；绝缘桥通过印刷工艺设置到ITO薄膜上，易于控制绝缘桥尺寸，提高绝缘桥附着力强，通过喷涂和蚀刻工艺在ITO薄膜上设置钼铝钼跳线，有利于将钼铝钼跳线的尺寸缩小到肉眼不可见的尺寸，实现触摸屏的良好显示效果。

Process for manufacturing touch screen

The invention discloses a process for manufacturing a touch screen, a plurality of etched X electrode and a Y electrode in ITO thin film, mutual isolation between the X electrode and Y electrode, X electrode is continuously maintained in the X direction, and X electrode Y electrode in the cross section of the bridge is broken; a plurality of insulation printing in ITO thin film; disconnected areas corresponding insulation bridge and Y electrode, Y electrode insulation bridge is located in the open area and connecting the disconnected Y electrode area on both sides; by spraying and etching process is provided with a plurality of molybdenum aluminum molybdenum jumper on ITO thin films; molybdenum aluminum molybdenum in insulation and guide bridge jumper Y electrode through the corresponding open area on both sides of the bridge; the insulation is set to ITO film through the printing process, easy to control the size of the bridge insulation, improve bridge insulation and strong adhesion, coating and etching process by setting molybdenum aluminum molybdenum jumper on the ITO film, is conducive to the molybdenum aluminum molybdenum wire jumper The size is reduced to the size invisible to the naked eye to achieve a good display effect of the touch screen.

【技术实现步骤摘要】
触摸屏的制造工艺
本专利技术属于触摸屏领域，具体涉及触摸屏的制造工艺。
技术介绍
电容触摸屏是利用人体的感应电流进行工作的，当手指触摸到屏幕上的某个点时，触摸屏的触控IC控制器需要获得该点分别在X轴方向和Y方向的电流信息，以精确计算触摸点的位置。常用的电容触摸屏，一般是采用两层结构的ITO电极，分别作为X轴方向的电极和Y轴方向的电极，所述的两层ITO电极分别沉积在两片基材上，再将两片基材用光学胶粘合，再将上层基材用光学胶与玻璃盖板粘接，这样X轴方向和Y轴方向的ITO电极分别在各自的层上工作。由于使用两层ITO导电材料、两层光学胶制作触摸屏，工艺繁琐，触摸屏的厚度高；导电用跳线线宽较大，跳线不可避免会在显示区域内显示，影响触摸屏显示效果。如若在单层导电薄膜上设置X电极和Y电极，并用钼铝钼层作为连接断开的电极的跳线则会存在如下问题：当跳线较宽时，跳线可视而影响触摸屏使用时的视觉效果；当跳线较窄时，跳线附着力差而影响触摸屏的触摸灵敏度、使用寿命。
技术实现思路
本专利技术所要解决的一个技术问题在于提供工序少，能够高效生产轻薄化触摸屏的触摸屏的制造工艺。为解决上述技术问题，本专利技术触摸屏的制造工艺采用的技术方案是：触摸屏的制造工艺，包括：在ITO薄膜上蚀刻出多条X电极和多条Y电极；所述X电极和所述Y电极之间相互绝缘，所述X电极沿X轴方向延伸并在X轴方向上保持连续，所述Y电极沿Y轴方向延伸并在与所述X电极交叉的区域断开；在所述ITO薄膜上印刷多个绝缘桥；所述绝缘桥与所述Y电极的断开区域一一对应，所述绝缘桥位于所述Y电极的断开区域并连接该断开区域两侧的所述Y电极；通过喷涂和蚀刻工艺在所述ITO薄膜上设置多条钼铝钼跳线；所述钼铝钼跳线与所述绝缘桥一一对应，所述钼铝钼跳线位于所述绝缘桥上并导通相应断开区域两侧的所述Y电极。进一步地，所述通过喷涂和蚀刻工艺在ITO薄膜上设置多条钼铝钼跳线的步骤包括：在所述ITO薄膜上喷涂钼铝钼层；在所述ITO薄膜上贴合第一干膜，所述第一干膜覆盖所述钼铝钼层；根据所述钼铝钼跳线的形状对所述第一干膜进行紫外曝光，并对紫外曝光后的所述第一干膜进行显影，发生反应的第一干膜对所述钼铝钼层进行保护；利用钼铝钼蚀刻液蚀刻掉不受所述第一干膜保护的所述钼铝钼层；剥离发生反应的所述第一干膜。进一步地，在所述ITO薄膜上喷涂所述钼铝钼层的温度为22～28℃，喷涂速度为3.2～3.8m/min，喷涂压力为0.36～0.42MPa。进一步地，在所述ITO薄膜上贴合第一干膜的温度为108～112℃，滚贴速度为2.3～2.7m/min，滚贴压力为0.33～0.37MPa。进一步地，对所述第一干膜进行紫外曝光的紫外能量为75MJ/cm2，时间为5～7s。进一步地，所述第一干膜显影的速度为3.8～4.2m/min。进一步地，刻掉不受所述第一干膜保护的所述钼铝钼层的速度为3.8～4.2m/min。进一步地，在所述ITO薄膜上印刷多个所述绝缘桥的步骤包括：在所述ITO薄膜上印刷感光型绝缘胶层，并对所述绝缘胶层进行预烤、紫外曝光、显影和固烤。进一步地，所述ITO薄膜上印刷感光型绝缘胶层的刮刀压力为28～32Kgf，刮刀速度为118～123mm/min，网版目数为500～550目，印刷厚度为2～3μm。进一步地，所述ITO薄膜包括PET基材和设于所述PET基材上表面的ITO涂层；在ITO薄膜上蚀刻出多条X电极和多条Y电极的步骤为：对所述ITO薄膜进行缩水老化处理，直至所述PET基材和所述ITO涂层完全结晶；在所述ITO薄膜上贴合第二干膜，所述第二干膜覆盖所述ITO涂层；根据所述X电极和所述Y电极的形状对所述第二干膜进行紫外曝光，并对紫外曝光后的所述第二干膜进行显影，发生反应的第二干膜对所述ITO涂层进行保护；利用蚀刻液蚀刻掉不受所述第二干膜保护的所述ITO涂层；剥离发生反应的所述第二干膜。本专利技术提供的触摸屏的制造工艺的有益效果在于：只需在单层ITO薄膜上蚀刻出X电极和Y电极，再印刷绝缘桥和钼铝钼跳线即可完成触摸屏触感用导电线路、导电搭接线(即搭接Y电极的钼铝钼跳线)的设置，将X电极和Y电极通过引出线连接IC控制器即可将触摸点的电流信息传递至IC控制器实现触控，减少了触摸屏的层数，具有良好的挠曲性能，易于加工，节省用料，工序少，有利于提高生产效率、提高良品率和降低成本，通过蚀刻、印刷形成的线路，具有更高的精度和结构的稳定性，能够在保证触摸屏的良好显示性能和工作稳定性的前提下实现轻薄化；绝缘桥通过印刷工艺设置到ITO薄膜上，易于控制绝缘桥尺寸，印刷时压力小，有利于保护ITO薄膜，印刷工艺形成的绝缘桥对ITO薄膜的附着力强；而通过喷涂和蚀刻工艺在ITO薄膜上设置钼铝钼跳线，能够极大的提高钼铝钼跳线的尺寸精度和对ITO薄膜和绝缘桥的附着力，避免钼铝钼跳线剥离，既不影响线路的过流能力，又有利于将钼铝钼跳线的尺寸缩小到肉眼不可见的尺寸，以避免跳线干扰显示，实现触摸屏的良好显示效果。附图说明图1为本专利技术实施例提供的触摸屏的制造工艺的流程图；图2为本专利技术实施例提供的ITO薄膜上蚀刻出多条X电极和多条Y电极后的结构示意图；图3为图2的ITO薄膜上印刷多个绝缘桥后的结构示意图；图4为图3的ITO薄膜上设置多条钼铝钼跳线后的结构示意图；其中：1-ITO薄膜、11-X电极、12-Y电极、2-绝缘桥、3-钼铝钼跳线。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。如图1-4所示，本专利技术实施例提供的触摸屏的制造工艺，包括在ITO薄膜1上蚀刻出多条X电极11和多条Y电极12、在ITO薄膜1上印刷多个绝缘桥2及通过喷涂和蚀刻工艺在ITO薄膜1上设置多条钼铝钼跳线3；其中，X电极11和Y电极12之间相互绝缘，X电极11沿X轴方向延伸并在X轴方向上保持连续，Y电极12沿Y轴方向延伸并在与X电极11交叉的区域断开，绝缘桥2与Y电极12的断开区域一一对应，绝缘桥2位于Y电极12的断开区域并连接该断开区域两侧的Y电极12，钼铝钼跳线3与绝缘桥2一一对应，跳线位于绝缘桥2上并导通相应断开区域两侧的Y电极12。只需在单层ITO薄膜1上蚀刻出导电电极(指X电极11和Y电极12)，再印刷绝缘桥2和钼铝钼跳线3即可完成触摸屏触感用导电线路、导电搭接线(即搭接Y电极的钼铝钼跳线3)的设置，将X电极11和Y电极12通过引出线连接IC控制器即可将触摸点的电流信息传递至IC控制器实现触控，减少了触摸屏的层数，具有良好的挠曲性能，易于加工，节省用料，工序少，有利于提高生产效率、提高良品率和降低成本，通过蚀刻、印刷形成的线路，具有更高的精度和结构的稳定性，能够在保证触摸屏的良好显示性能和工作稳定性的前提下实现轻薄化；绝缘桥2通过印刷工艺设置到ITO薄膜1上，易于控制绝缘桥2尺寸，印刷时压力小，有利于保护ITO薄膜1，印刷工艺形成的绝缘桥2对ITO薄膜1的附着力强；而通过喷涂和蚀刻工艺在ITO薄膜1上设置钼铝钼跳线3，能够极大的提高钼铝钼跳线3的尺寸精度和对ITO薄膜1和绝缘桥2的附着力，避免钼铝钼跳线3剥离，既不影响线路的过流能力，又有利于将钼铝钼跳线3的尺寸本文档来自技高网...

【技术保护点】
触摸屏的制造工艺，其特征在于，包括：在ITO薄膜上蚀刻出多条X电极和多条Y电极；所述X电极和所述Y电极之间相互绝缘，所述X电极沿X轴方向延伸并在X轴方向上保持连续，所述Y电极沿Y轴方向延伸并在与所述X电极交叉的区域断开；在所述ITO薄膜上印刷多个绝缘桥；所述绝缘桥与所述Y电极的断开区域一一对应，所述绝缘桥位于所述Y电极的断开区域并连接该断开区域两侧的所述Y电极；通过喷涂和蚀刻工艺在所述ITO薄膜上设置多条钼铝钼跳线；所述钼铝钼跳线与所述绝缘桥一一对应，所述钼铝钼跳线位于所述绝缘桥上并导通相应断开区域两侧的所述Y电极。

【技术特征摘要】
1.触摸屏的制造工艺，其特征在于，包括：在ITO薄膜上蚀刻出多条X电极和多条Y电极；所述X电极和所述Y电极之间相互绝缘，所述X电极沿X轴方向延伸并在X轴方向上保持连续，所述Y电极沿Y轴方向延伸并在与所述X电极交叉的区域断开；在所述ITO薄膜上印刷多个绝缘桥；所述绝缘桥与所述Y电极的断开区域一一对应，所述绝缘桥位于所述Y电极的断开区域并连接该断开区域两侧的所述Y电极；通过喷涂和蚀刻工艺在所述ITO薄膜上设置多条钼铝钼跳线；所述钼铝钼跳线与所述绝缘桥一一对应，所述钼铝钼跳线位于所述绝缘桥上并导通相应断开区域两侧的所述Y电极。2.根据权利要求1所述的触摸屏的制造工艺，其特征在于，通过喷涂和蚀刻工艺在所述ITO薄膜上设置多条所述钼铝钼跳线的步骤包括：在所述ITO薄膜上喷涂钼铝钼层；在所述ITO薄膜上贴合第一干膜，所述第一干膜覆盖所述钼铝钼层；根据所述钼铝钼跳线的形状对所述第一干膜进行紫外曝光，并对紫外曝光后的所述第一干膜进行显影，发生反应的第一干膜对所述钼铝钼层进行保护；利用钼铝钼蚀刻液蚀刻掉不受所述第一干膜保护的所述钼铝钼层；剥离发生反应的所述第一干膜。3.根据权利要求2所述的触摸屏的制造工艺，其特征在于，在所述ITO薄膜上喷涂所述钼铝钼层的温度为22～28℃，喷涂速度为3.2～3.8m/min，喷涂压力为0.36～0.42MPa。4.根据权利要求3所述的触摸屏的制造工艺，其特征在于，在所述ITO薄膜上贴合所述第一干膜的温度为108～112℃，滚贴速度为2.3～2.7m/min，滚贴压力为0.33～0.3...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾仁宝，王令，
申请(专利权)人：深圳市骏达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44