一种硅片切削液制造技术

本发明专利技术公开了硅片切削液，包括以下组分及重量份数：聚乙二醇 30‑50 份、乙二胺四乙酸二钠30‑50份，四甲基氢氧化铵 7‑15 份、油酸二乙醇胺 22‑38份、硫化油脂 5‑15份、油酸酰胺2‑4份、水 15‑55份、添加剂1‑2份。本发明专利技术可有效提高磨料分散性，有利于提高硅片切割的成品率，使硅片切割成品率达到 99.9％；且可在硅片表面形成保护膜，提高硅片成品表面光滑度，使硅片更容易被清洗，且提高了切削液的润滑效果。本发明专利技术的切削液不含对人体或环境产生不利影响的亚硝酸盐、有机酚等有毒化学品，具有防锈、抗磨及高润滑性的特点。

Cutting liquid for silicon wafer

The invention discloses a silicon wafer cutting fluid, which comprises the following components and parts by weight: 30 50 polyethylene glycol, sodium EDTA two 30 50 copies, four methyl ammonium hydroxide 7 15, oleic acid two ethanol 22 38 copies, 15 copies of 5 vulcanized oil, oleic acid 2 amide 4 and water 15 55 copies, 2 copies of 1 additives. The invention can effectively improve the dispersion property of abrasives, improve wafer cutting yield, the yield reached 99.9% wafer cutting; and can form a protective film on the surface of the silicon wafer, improve product surface smoothness of the silicon wafer is easier to clean, and improve the lubrication effect of cutting fluid. Nitrite, cutting fluid of the invention does not contain harmful to human body or environment organic toxic chemicals, has the characteristics of rust and abrasion resistance and high lubricity.

【技术实现步骤摘要】
一种硅片切削液
本专利技术属于切削液
，特别是指一种硅片切削液。
技术介绍
随着社会的发展，能源危机日益严重的今天，开发利用新能源已经越来越收到人们的关注，太阳能由于器无污染、可再生、无地域性等优点，越来越受到人们的青睐，太阳能产业也来越得以发展。而伴随太阳能光伏产业的成熟，硅片的使用也越来越多。由于硅片属于硬性材料，其切割工艺在加工工艺中占有很重要的位置。硅片通过切割线供应带有磨料的砂浆，通过磨料、切割线及硅晶体之间的磨料磨损原理实现硅片的切割，该方式可实现多片硅片的切割，切割效率高，但由于是磨料与切割丝之间有较多的摩擦，对切割丝的冷却及润滑要求更高。现有技术中的硅片切削液，虽然具有较好的润滑及导热性能，但存在切割硅片成品率低、切割表面粗糙且不容易清洗的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种切割表面光滑、切割成品率高且容易清洗的环保硅片切削液。本专利技术所述的硅片切削液，包括以下组分及重量份数：聚乙二醇30-50份、乙二胺四乙酸二钠30-50份，四甲基氢氧化铵7-15份、油酸二乙醇胺22-38份、硫化油脂5-15份、油酸酰胺2-4份、水15-55份、添加剂1-2份。进一步改进，所述的硅片切削液，包括以下组分及重量份数：聚乙二醇40份、乙二胺四乙酸二钠40份，四甲基氢氧化铵11份、油酸二乙醇胺30份、硫化油脂10份、油酸酰胺3份、水35份、添加剂1.5份。进一步改进，所述水为去离子水。进一步改进，所述添加剂的合成：取脂肪酸酯和水合肼按摩尔比1∶2混合溶于乙醇中，回流反应24-36小时，冷却至10℃以下，抽滤，用无水乙醇洗涤、抽滤，得白色固体；将白色固体与酸酐化合物按摩尔比1∶1溶于氯仿或乙酸乙酯中，回流反应0.5～1.5小时；再按摩尔比1∶2～1∶3加入三乙醇胺，继续回流反应1～3小时，蒸去溶剂，得到添加剂。本专利技术的有益效果在于：本专利技术可有效提高磨料分散性，有利于提高硅片切割的成品率，使硅片切割成品率达到99.9％；且可在硅片表面形成保护膜，提高硅片成品表面光滑度，使硅片更容易被清洗，且提高了切削液的润滑效果。本专利技术的切削液不含对人体或环境产生不利影响的亚硝酸盐、有机酚等有毒化学品，具有防锈、抗磨及高润滑性的特点。具体实施方式实施例1本专利技术所述的硅片切削液，包括以下组分及重量份数：聚乙二醇30份、乙二胺四乙酸二钠30份，四甲基氢氧化铵7份、油酸二乙醇胺22份、硫化油脂5份、油酸酰胺2份、水15份、添加剂1份，其中，所述添加剂的合成：取脂肪酸酯和水合肼按摩尔比1∶2混合溶于乙醇中，回流反应24-36小时，冷却至10℃以下，抽滤，用无水乙醇洗涤、抽滤，得白色固体；将白色固体与酸酐化合物按摩尔比1∶1溶于氯仿或乙酸乙酯中，回流反应0.5～1.5小时；再按摩尔比1∶2～1∶3加入三乙醇胺，继续回流反应1～3小时，蒸去溶剂，得到添加剂。将上述原料在120度的温度下，以120r/min的速度下，搅拌2分钟。性能指标：将此切削液与SiC磨料按1∶1重量份数比混合，进行硅片切割，切割片数为2000片，切割成品率为99.2％，硅片易清洗。实施例2本专利技术所述的硅片切削液，包括以下组分及重量份数：聚乙二醇40份、乙二胺四乙酸二钠40份，四甲基氢氧化铵11份、油酸二乙醇胺30份、硫化油脂10份、油酸酰胺3份、水35份、添加剂1.5份，其中，所述添加剂的合成：取脂肪酸酯和水合肼按摩尔比1∶2混合溶于乙醇中，回流反应24-36小时，冷却至10℃以下，抽滤，用无水乙醇洗涤、抽滤，得白色固体；将白色固体与酸酐化合物按摩尔比1∶1溶于氯仿或乙酸乙酯中，回流反应0.5～1.5小时；再按摩尔比1∶2～1∶3加入三乙醇胺，继续回流反应1～3小时，蒸去溶剂，得到添加剂。将上述原料在120度的温度下，以120r/min的速度下，搅拌2分钟。性能指标：将此切削液与SiC磨料按1∶1重量份数比混合，进行硅片切割，切割片数为2000片，切割成品率为99.9％，硅片易清洗，此效果最佳。实施例3本专利技术所述的硅片切削液，包括以下组分及重量份数：聚乙二醇50份、乙二胺四乙酸二钠50份，四甲基氢氧化铵15份、油酸二乙醇胺38份、硫化油脂15份、油酸酰胺4份、水55份、添加剂2份，其中，所述添加剂的合成：取脂肪酸酯和水合肼按摩尔比1∶2混合溶于乙醇中，回流反应24-36小时，冷却至10℃以下，抽滤，用无水乙醇洗涤、抽滤，得白色固体；将白色固体与酸酐化合物按摩尔比1∶1溶于氯仿或乙酸乙酯中，回流反应0.5～1.5小时；再按摩尔比1∶2～1∶3加入三乙醇胺，继续回流反应1～3小时，蒸去溶剂，得到添加剂。将上述原料在120度的温度下，以120r/min的速度下，搅拌2分钟。性能指标：将此切削液与SiC磨料按1∶1重量份数比混合，进行硅片切割，切割片数为2000片，切割成品率为99.5％，硅片易清洗。本专利技术提供了硅片切削液，以上所述仅是本专利技术的优选实施方法，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以作出若干改进，这些改进也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
硅片切削液，其特征在于，包括以下组分及重量份数：聚乙二醇 30‑50 份、乙二胺四乙酸二钠30‑50份，四甲基氢氧化铵 7‑15 份、油酸二乙醇胺 22‑38份、硫化油脂 5‑15份、油酸酰胺2‑4份、水 15‑55份、添加剂1‑2份。

【技术特征摘要】
1.硅片切削液，其特征在于，包括以下组分及重量份数：聚乙二醇30-50份、乙二胺四乙酸二钠30-50份，四甲基氢氧化铵7-15份、油酸二乙醇胺22-38份、硫化油脂5-15份、油酸酰胺2-4份、水15-55份、添加剂1-2份。2.如权利要求1所述的硅片切削液，其特征在于，包括以下组分及重量份数：聚乙二醇40份、乙二胺四乙酸二钠40份，四甲基氢氧化铵11份、油酸二乙醇胺30份、硫化油脂10份、油酸酰胺3份、水35份、添加剂1.5...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋建宝，
申请(专利权)人：无锡赛晶太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32