抑制气体绝缘开关设备中特快速暂态过电压的磁环装置制造方法及图纸

技术编号:15898135 阅读:112 留言:0更新日期:2017-07-28 21:14
本发明专利技术是关于一种抑制气体绝缘开关设备中特快速暂态过电压的磁环装置,包括磁环串、铜箔胶带及固定外壳,磁环串由多个开环抗饱和磁环构成,相邻两个开环抗饱和磁环之间通过胶粘剂紧密连接;开环抗饱和磁环上设置有气隙;磁环串的外表面包裹铜箔胶带且磁环串外设置固定外壳。本发明专利技术通过在磁环上开设长度适宜的气隙,能够有效提高装置的饱和特性,且对行波造成更多的能量消耗,减小在GIS中操作隔离开关所引起的VFTO值;铜箔胶带能够有效防止磁力线泄露,增强磁环装置的涡流损耗,降低VFTO对设备的影响,还可以改善磁环串表面的电场分布,避免局部场强过高而引起的局部放电现象。固定外壳能够提高磁环装置整体的强度和刚度。

【技术实现步骤摘要】
抑制气体绝缘开关设备中特快速暂态过电压的磁环装置
本专利技术涉及抑制过电压
,尤其涉及一种抑制气体绝缘开关设备中特快速暂态过电压的磁环装置。
技术介绍
在电网系统中,由于GIS(GasInsulatedSwitchgear,气体绝缘开关设备)具有占地面积小、可靠性高、安全性好、安装周期短以及维护方便等优点,使得GIS成为构成各级电网的重要组成部分且在电网中得到广泛的应用。从组成结构开看,GIS是由断路器、母线、隔离开关、电压互感器、电流互感器、避雷器和套管组合而成的高压配电装置。当操作隔离开关时,隔离开关的断口间会产生多次电弧重燃或预击穿,每一次的电弧重燃都会产生一定幅值的瞬态过电压,瞬态过电压沿隔离开关的断口向两侧传输,经过多次折射和反射形成幅值较高的VFTO(VeryFastTransientOvervoltage,特快速暂态过电压),VFTO会严重威胁GIS和GIS邻近二次设备的绝缘安全,是GIS故障的主要原因之一,因此,在抑制过电压
,研究如何在GIS中有效地抑制VFTO是个重要的问题。目前有一种磁环装置,该磁环装置为闭环结构,主要应用小磁环抑制高频电磁干扰的原理本文档来自技高网...
抑制气体绝缘开关设备中特快速暂态过电压的磁环装置

【技术保护点】
一种抑制气体绝缘开关设备中特快速暂态过电压的磁环装置,其特征在于,包括磁环串、铜箔胶带(3)及固定外壳(2),其中:所述磁环串套设在GIS内部的导电杆上,且与所述导电杆紧密贴合,所述磁环串由多个开环抗饱和磁环(1)构成,多个所述开环抗饱和磁环(1)的中轴线重合且沿轴向紧密连接,相邻两个所述开环抗饱和磁环(1)之间通过胶粘剂(4)紧密连接;多个所述开环抗饱和磁环(1)上设置有长度相同的气隙;所述磁环串的外表面包裹所述铜箔胶带(3),包裹有所述铜箔胶带(3)的所述磁环串外设置所述固定外壳(2)。

【技术特征摘要】
1.一种抑制气体绝缘开关设备中特快速暂态过电压的磁环装置,其特征在于,包括磁环串、铜箔胶带(3)及固定外壳(2),其中:所述磁环串套设在GIS内部的导电杆上,且与所述导电杆紧密贴合,所述磁环串由多个开环抗饱和磁环(1)构成,多个所述开环抗饱和磁环(1)的中轴线重合且沿轴向紧密连接,相邻两个所述开环抗饱和磁环(1)之间通过胶粘剂(4)紧密连接;多个所述开环抗饱和磁环(1)上设置有长度相同的气隙;所述磁环串的外表面包裹所述铜箔胶带(3),包裹有所述铜箔胶带(3)的所述磁环串外设置所述固定外壳(2)。2.根据权利要求1所述的磁环装置,其特征在于,单个所述开环抗饱和磁环(1)的气隙处紧密嵌入绝缘油纸板(5),且所述绝缘油纸板(5)与所述气隙之间通过所述胶粘剂(4)...

【专利技术属性】
技术研发人员:高凡夫谭向宇马仪王科彭晶陈先富张少泉陈晓云
申请(专利权)人:云南电网有限责任公司电力科学研究院
类型:发明
国别省市:云南,53

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