一种用于抑制VFTO的叠层式母线导杆及抑制方法技术

本发明专利技术公开了一种用于抑制VFTO的叠层式母线导杆，包括：内部电阻层、电感层和外部电阻层，所述内部电阻层，内侧为中心镂空区，外侧为电感层，与所述外部电阻层共同用于在特快瞬态过电压VFTO形成后，吸收行波能量，增加母线导杆的有功损耗，降低VFTO的幅值和频率；所述电感层，内侧为内部电阻层，外侧为外部电阻层，包括：磁环和高导介质，用于在工频条件下正常传输电流。本发明专利技术的有益效果在于：通过改变母线波阻抗的方式，增加该段母线杆的有功损耗，抑制行波的发展，从而达到降低VFTO的幅值和频率的目的，有助于提高一次设备的安全可靠运行，降低一次设备绝缘损坏风险，而且还将有助于二次检测设备的安全使用，提高电子式互感器等智能设备的可靠运行。

【技术实现步骤摘要】
一种用于抑制VFTO的叠层式母线导杆及抑制方法
本专利技术涉及电网运维领域，并且更具体地，涉及一种用于抑制VFTO的叠层式母线导杆及抑制方法。
技术介绍
特快瞬态过电压VFTO(VeryFastTransientOver-voltages,VFTO)是指波前时间3到100ns内的瞬态过电压，主要因为气体绝缘组合电器GIS(GasInsulatedSwitchgear，GIS)中的隔离开关的操作等因素引起。当操作GIS的隔离开关时，由于触头移动速度比较缓慢，引起了触头间的数次预计穿和重击穿。在合闸过程中，导致触头之间的电压降低，之后发生类似于重合闸的击穿，出现了电压幅值较高的VFTO。另外，在分闸过程中，同样由于触头移动速度慢，触头间发生重击穿，也会出现类似于重合闸的现场，所以也会导致出现电压幅值较高的VFTO。由于波前较陡，幅值较高，VFTO很有可能会对GIS、绕组设备和变压器以及二次设备造成损害。VFTO上限频率可达到5MHz至40MHz，对GIS内部绝缘支撑件、盆式绝缘子及其它部件产生危害，特别是对通过油气套管与GIS相连接的变压器、电抗器危害更大。随着GIS电压等级的升高，一次本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于抑制VFTO的叠层式母线导杆，其特征在于，所述叠层式母线导杆包括：内部电阻层、电感层和外部电阻层，所述内部电阻层，内侧为中心镂空区，外侧为电感层，与所述外部电阻层共同用于在特快瞬态过电压VFTO形成后，吸收行波能量，增加母线导杆的有功损耗，降低VFTO的幅值和频率；所述电感层，内侧为内部电阻层，外侧为外部电阻层，包括：磁环和高导介质，用于在工频条件下正常传输电流。

【技术特征摘要】
1.一种用于抑制VFTO的叠层式母线导杆，其特征在于，所述叠层式母线导杆包括：内部电阻层、电感层和外部电阻层，所述内部电阻层，内侧为中心镂空区，外侧为电感层，与所述外部电阻层共同用于在特快瞬态过电压VFTO形成后，吸收行波能量，增加母线导杆的有功损耗，降低VFTO的幅值和频率；所述电感层，内侧为内部电阻层，外侧为外部电阻层，包括：磁环和高导介质，用于在工频条件下正常传输电流。2.根据权利要求1所述的母线导杆，其特征在于，所述高导介质对称镶嵌在磁环中。3.根据权利要求2所述的母线导杆，其特征在于，所述磁环为铁氧体材料，所述高导介质为氧化钼。4.根据权利要求1所述的母线导杆，其特征在于，所述内部电阻层和外部电阻层均由无感阻尼电阻串联组成。5.根据权利要求4所述的母线导...

【专利技术属性】
技术研发人员：王欢，王晓琪，项琼，
申请(专利权)人：中国电力科学研究院，国家电网公司，
类型：发明
国别省市：北京,11