一种叠层母线排以及变频器制造技术

本发明专利技术公开了一种叠层母线排以及变频器，变频器包括叠层母线排，该叠层母线排包括正母排与负母排，以及安装在正母排与负母排之间的绝缘板；负母排包括用于连接IGBT模块的第一连接部，以及用于连接电容的第二连接部；负母排靠近IGBT模块的一侧和/或靠近电容的一侧向背离正母排的方向弯折，对应使得第一连接部和/或第二连接部与绝缘板之间形成有用于提高正母排与负母排之间爬电距离的间隙。实施本发明专利技术的有益效果是：所述叠层母线排采用负母排靠近IGBT模块的一侧和/或靠近电容的一侧向背离正母排折弯的结构，能够提高正母排与负母排之间的爬电距离和电气间隙。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种叠层母线排以及变频器，变频器包括叠层母线排，该叠层母线排包括正母排与负母排，以及安装在正母排与负母排之间的绝缘板；负母排包括用于连接IGBT模块的第一连接部，以及用于连接电容的第二连接部；负母排靠近IGBT模块的一侧和/或靠近电容的一侧向背离正母排的方向弯折，对应使得第一连接部和/或第二连接部与绝缘板之间形成有用于提高正母排与负母排之间爬电距离的间隙。实施本专利技术的有益效果是：所述叠层母线排采用负母排靠近IGBT模块的一侧和/或靠近电容的一侧向背离正母排折弯的结构，能够提高正母排与负母排之间的爬电距离和电气间隙。【专利说明】一种叠层母线排以及变频器
本专利技术涉及电气设备
，更具体地说，涉及一种叠层母线排以及变频器。
技术介绍
叠层母线排是一种多层复合结构连接排，与传统的、笨重的、费时和麻烦的配线方法相比，使用复合母线排可以提供现代的、易于设计、安装快速和结构清晰的配电系统。叠层母线排具有可重复电气性能、低阻抗、抗干扰、可靠性好、节省空间且装配简洁快捷等特点。IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor绝缘栅型双极晶体管)功率模块是使用在变频器等领域的常用功率模块。现有技术的变频器中采用叠层母线排连接IGBT模块与电容，在长时间使用过程中，环境中的灰尘容易积聚在叠层母线排内，从而造成叠层母线排的腐蚀、耐压降低、凝露、击穿打火等现象，最终导致整机失效。此类问题尤其在诸如钢铁、化工、金属加工等相对恶劣的环境中更为突出。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述变频器中的叠层母线排在使用过程中容易出现整机失效的缺陷，提供一种能够增强绝缘性能进而提高使用可靠性的叠层母线排以及变频器。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:构造一种叠层母线排，包括分别用于连接IGBT模块与电容并相互叠合设置的正母排与负母排，以及安装在所述正母排与所述负母排之间的绝缘板；所述负母排包括用于连接所述IGBT模块的第一连接部，以及用于连接所述电容的第二连接部；所述负母排靠近所述IGBT模块的一侧和/或靠近所述电容的一侧向背离所述正母排的方向弯折，对应使得所述第一连接部和/或所述第二连接部与所述绝缘板之间形成有用于提高所述正母排与负母排之间爬电距离的间隙。在本专利技术所述的叠层母线排中，所述叠层母线排还包括用于连接所述电容与所述负母排的第一连接件；所述正母排上开设有供所述第一连接件穿过的第一穿孔；所述绝缘板上开设有供所述第一连接件穿过并与所述第一穿孔位置相对的第二穿孔；所述负母排还包括与所述正母排相互叠合设置并位于所述第一连接部和所述第二连接部之间的第一叠置部；所述负母排靠近所述IGBT模块的一侧和靠近所述电容的一侧分别向背离所述正母排的方向弯折形成第一弯折部；所述第一连接部和所述第二连接部分别设置在对应的所述第一弯折部的末端；所述绝缘板靠近所述IGBT模块的侧边缘在所述正母排上的投影和所述第二穿孔在所述正母排上的投影分别与所述第一叠置部在所述正母排上的投影相互分离。在本专利技术所述的叠层母线排中，每个所述第一弯折部包括由所述第一叠置部的侧边向背离所述正母排的方向弯折的第一弯折部分，以及由所述第一弯折部分的末端向背离所述第一叠置部的方向弯折的第二弯折部分。在本专利技术所述的叠层母线排中，所述第一叠置部在所述正母排上的投影与所述第二穿孔在所述正母排上的投影的距离为2mm?4mm。在本专利技术所述的叠层母线排中，所述电容为多个；多个所述电容并成两排、三排或多排设置；所述叠层母线排还包括连接多个所述电容的串并联母排；所述叠层母线排还包括用于连接所述电容与所述串并联母排的第二连接件；所述绝缘板位于所述正母排与所述串并联母排之间，且所述绝缘板上还开设有供所述第二连接件穿过的第三穿孔；所述第三穿孔与所述第一穿孔的位置相对。在本专利技术所述的叠层母线排中，所述串并联母排包括与所述正母排相互叠合设置的第二叠置部，以及分别设置在所述第二叠置部的两侧并用于连接多个所述电容的第三连接部与第四连接部；所述串并联母排的两侧分别向背离所述正母排的方向弯折形成第二弯折部；所述第三连接部和所述第四连接部分别设置在对应的所述第二弯折部的末端；所述第二叠置部在所述正母排上的投影与所述第三穿孔在所述正母排上的投影相互分离。在本专利技术所述的叠层母线排中，每个所述第二弯折部包括由所述第二叠置部的侧边向背离所述正母排的方向弯折的第三弯折部分，以及由所述第三弯折部分的末端向背离所述第二叠置部的方向弯折的第四弯折部分。在本专利技术所述的叠层母线排中，所述第二叠置部在所述正母排上的投影与所述第三穿孔在所述正母排上的投影的距离为2mm?4mm。在本专利技术所述的叠层母线排中，所述正母排靠近所述IGBT模块的一侧边还开设用于提高爬电距离的通槽。本专利技术还构造了一种变频器，包括IGBT模块、电容以及如上述技术方案任意一项所述的叠层母线排；所述叠层母线排用于连接所述IGBT模块以及所述电容。实施本专利技术的叠层母线排以及变频器，具有以下有益效果:所述叠层母线排采用负母排靠近IGBT模块的一侧和/或靠近电容的一侧向背离正母排的方向弯折的结构，对应使得第一连接部和/或第二连接部与绝缘板之间形成间隙，该间隙能够提高正母排与负母排之间的爬电距离以及电气间隙，既而增强了所述叠层母线排的绝缘性能。【专利附图】【附图说明】下面将结合附图及实施例对本专利技术作进一步说明，附图中:图1是本专利技术较佳实施例提供的叠层母线排连接IGBT模块与电容时的立体结构示意图；图2是本专利技术较佳实施例提供的叠层母线排连接IGBT模块与电容时的另一立体结构示意图；图3是图1所示的叠层母线排连接IGBT模块与电容时的内部结构示意图；图4是图3中A部的放大图；图5是图3中B部的放大图；图6是图4中C部的放大图；图7是图5中D部的放大图；图8是图1所示的叠层母线排中的正母排、负母排以及串并联母排叠合设置时的立体结构示意图；图9是图1所示的叠层母线排中的正母排的立体结构示意图；图10是图1所示的叠层母线排中的负母排的立体结构示意图；图11是图1所示的叠层母线排中的绝缘板的立体结构示意图；图12是图1所示的叠层母线排中的串并联母排的立体结构示意图。【具体实施方式】为了对本专利技术的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本专利技术的【具体实施方式】。如图1、图2以及图3所示，本专利技术的较佳实施例提供一种叠层母线排，其用于连接IGBT模块I与电容2。该叠层母线排包括正母排3、负母排4、绝缘板5、串并联母排6、第一连接件7、第二连接件8以及第三连接件9。具体地，如图1以及图2所示，所述叠层母线排用于连接多个IGBT模块I与多个电容2。本实施例中，IGBT模块I呈片状结构，其数量为三个，且三个IGBT模块I呈直线排列。电容2为直流电容，其呈圆柱状结构。该电容2的数量为八个，且八个电容2并成两排设置，两排电容2之间采用串并联母排6进行连接，八个电容2串并联后提供约750V电压给IGBT模块I。该两排电容2与多个IGBT模块I平行设置。在本专利技术的其它实施例中，IGBT模块I的数量亦可以有其它选择，例如六个等。电容2的数量亦可以有其它选择，多个电容2亦可以采用并成三排或多排设置。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种叠层母线排，包括分别用于连接IGBT模块（1）与电容（2）并相互叠合设置的正母排（3）与负母排（4），以及安装在所述正母排（3）与所述负母排（4）之间的绝缘板（5）；所述负母排（4）包括用于连接所述IGBT模块（1）的第一连接部（42），以及用于连接所述电容（2）的第二连接部（43）；其特征在于：所述负母排（4）靠近所述IGBT模块（1）的一侧和/或靠近所述电容（2）的一侧向背离所述正母排（3）的方向弯折，对应使得所述第一连接部（42）和/或所述第二连接部（43）与所述绝缘板（5）之间形成有用于提高所述正母排（3）与负母排（4）之间爬电距离的间隙。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张荣亮，郑延，
申请(专利权)人：深圳市正弦电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44