等离子产生源及具备它的真空等离子处理装置制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子产生源及具备它的真空等离子处理装置
本专利技术涉及用来对基材进行通过CVD或溅镀的成膜等等离子处理的真空等离子处理装置及其等离子产生源。
技术介绍
在例如通过溅镀、等离子CVD等的向基材的成膜中，使用真空等离子处理装置。该真空等离子处理装置具备真空腔室和等离子产生源，所述等离子产生源具有电极，使真空腔室内产生等离子。在该真空等离子处理装置中，由于向等离子产生源投入的电能的一部分乃至大部分被变换为热能，所以在等离子产生源上作用有较大的热负荷。所以，在真空等离子处理装置中，为了抑制与等离子接触的上述电极的温度上升而设有冷却装置。例如，在专利文献1中，公开了一种冷却装置，其在磁控管溅镀装置中，具备设在支承靶的背板（电极板）的背后的冷却水路，通过供给到该冷却水路中的冷却水将上述背板冷却。具体而言，在该冷却装置中，沿着设在背板的背后的冷却路径的冷却水的循环能够进行等离子产生源（在此情况下是溅镀蒸发源）自身的冷却。但是，在这样使冷却水沿着冷却路径流通的冷却方式、即水冷方式中，由于随着冷却水向下游侧流动，该冷却水的温度逐渐上升，所以在接近冷却路径的终点的部位不能将背板充分...
【技术保护点】
一种等离子产生源，设在内部被真空排气的真空腔室的该内部，与该真空腔室一起构成真空等离子处理装置，其特征在于，具备：等离子产生电极，用来在上述真空腔室内产生等离子；减压空间形成部件，在上述等离子产生电极的背面侧形成减压空间，所述减压空间能够收容液体的冷却介质且将液体的冷却介质减压；和液化装置，将在上述减压空间内气化的冷却介质液化，在上述减压空间中，以该减压空间被排气的状态封入有上述冷却介质，上述减压空间形成部件与上述等离子产生电极一起形成包括圆筒状的周壁的箱体，该周壁的至少外周部分由上述等离子产生电极构成，在上述圆筒状的周壁的轴心位置设有上述液化装置，上述液化装置以夹着上述减...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.11.22 JP 2011-254695;2011.11.22 JP 2011-254691.一种等离子产生源，设在内部被真空排气的真空腔室的该内部，与该真空腔室一起构成真空等离子处理装置，其特征在于，具备：等离子产生电极，用来在上述真空腔室内产生等离子；减压空间形成部件，在上述等离子产生电极的背面侧形成减压空间，所述减压空间能够收容液体的冷却介质且将液体的冷却介质减压；和液化装置，将在上述减压空间内气化的冷却介质液化，在上述减压空间中，以该减压空间被排气的状态封入有上述冷却介质，上述减压空间形成部件与上述等离子产生电极一起形成包括圆筒状的周壁的箱体，该周壁的至少外周部分由上述等离子产生电极构成，在上述圆筒状的周壁的轴心位置设有上述...
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