全背接触太阳能电池的制备方法和电池及其组件、系统技术方案

本发明专利技术涉及一种全背接触太阳能电池的制备方法和电池及其组件、系统。本发明专利技术的制备方法主要包括以下步骤：对N型太阳能电池基体的前表面作制绒处理；放入工业用扩散炉中对制绒面进行硼扩散；背面用激光或腐蚀浆料或阻挡层制备出图案，作为掺杂区域；在硅片背面的TMAH刻蚀区域使用离子注入机进行磷原子注入并退火处理；去除正面和背面的氧化层；在硅片的正面和背面均镀上氮化硅膜层，制备分段的金属电极，与基底形成欧姆接触；将金属丝分别铺设在P区和N区的金属电极上，切除电池边缘多余的金属丝得到太阳能电池。本发明专利技术的有益效果是：降低了含银副栅带来的表面复合又减少了金属化工程序的生产成本。

Method for preparing full back contact solar cell and battery and assembly and system thereof

The invention relates to a preparation method of a full back contact solar cell and a battery and a component and a system thereof. The preparation method of the invention comprises the following steps: the surface of N type solar cell substrate for cashmere processing; in the industrial diffusion of boron diffusion of suede with laser or furnace; corrosion or slurry prepared for the back barrier layer pattern, as doped region; using ion implantation and annealing the phosphorus atom treatment of injection machine in the TMAH region of silicon etching on the back of the oxide layer; removing the front and back in front and back; silicon wafers are plated on a silicon nitride film, metal electrode preparation section, forming ohmic contact with the substrate; the metal wire laying different metal electrodes in P and N region on resection the excess wire edge of solar battery. The invention has the advantages that the surface recombination caused by the silver sub gate is reduced, and the production cost of the metal chemical process is reduced.

【技术实现步骤摘要】
全背接触太阳能电池的制备方法和电池及其组件、系统
本专利技术涉及太阳能电池
，具体涉及一种全背接触太阳能电池的制备方法和电池及其组件、系统。
技术介绍
全背接触太阳能电池是一种高效率的太阳能转化为电能的半导体器件，但是其金属化需要耗费大量的贵金属材料。目前，量产太阳能电池中最常用的金属化方法是丝网印刷金属浆料法，通过印刷银浆或掺铝银浆，经过高温烧结过程，形成具备电学接触、电学传导、焊接互联等功能的金属化。为了形成良好的欧姆接触以及兼顾可焊性，晶体硅太阳能电池的正表面一般印刷银浆或掺铝银浆，但银浆或掺铝银浆的价格一般都较为昂贵，导致含银浆料在太阳能电池制造成本中的占比居高不下。因而寻找一种可以降低含银浆料使用量、同时又能满足欧姆接触和可焊性要求的电池制备方法成为减少太阳能电池生产成本的一项关键工作。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有技术的不足，提供一种低成本的全背接触太阳能电池的制备方法和电池及其组件、系统。所述的太阳能电池的金属化方法可以显著地降低含银浆料的使用量，从而降低太阳能电池的生产成本。本专利技术提供的一种全背太阳能电池的制备方法，其技术方案为：一种全背接触太阳能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种全背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)、选择N型太阳能电池基体，并对N型太阳能电池基体的前表面作制绒处理，N型太阳能电池基体的电阻率为0.5～15Ω·cm；(2)、将步骤(1)处理后的N型太阳能电池基体放入工业用扩散炉中对制绒面进行硼扩散，扩散温度为920‑1000℃，时间为60‑180分钟；硼扩散后的方阻值为40‑100Ω/sqr；(3)、在步骤(2)处理后的N型太阳能电池基体的背面制备出图案，作为P型掺杂或N型掺杂区域，其它区域为N型或P型掺杂区域；(4)、在步骤(3)处理后的N型太阳能电池基体背面的TMAH刻蚀区域进行磷原子注入并退火处理；退火的峰值温度为70...

【技术特征摘要】
1.一种全背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)、选择N型太阳能电池基体，并对N型太阳能电池基体的前表面作制绒处理，N型太阳能电池基体的电阻率为0.5～15Ω·cm；(2)、将步骤(1)处理后的N型太阳能电池基体放入工业用扩散炉中对制绒面进行硼扩散，扩散温度为920-1000℃，时间为60-180分钟；硼扩散后的方阻值为40-100Ω/sqr；(3)、在步骤(2)处理后的N型太阳能电池基体的背面制备出图案，作为P型掺杂或N型掺杂区域，其它区域为N型或P型掺杂区域；(4)、在步骤(3)处理后的N型太阳能电池基体背面的TMAH刻蚀区域进行磷原子注入并退火处理；退火的峰值温度为700～950℃，退火时间为30～200min；(5)、将步骤(4)处理后的N型太阳能电池基体放入清洗机中，去除正面和背面的氧化层；(6)、将步骤(5)处理后的N型太阳能电池基体放入PECVD设备中，在正面和背面均镀上氮化硅膜层；(7)、在镀膜后的电池背表面的P区和N区制备分段的金属电极，与基底形成欧姆接触；(8)、保留整片电池，或者将电池切片再进行焊接；(9)、将金属丝分别铺设在P区和N区的金属电极上，然后进行加热，使得金属丝和电极形成欧姆接触；(10)、切除电池边缘多余的金属丝，一侧间隔地切断N区的金属丝，另一侧间隔地切断P区的金属丝，得到太阳能电池。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述图案的形状是十字型、雪花型或多边形。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于：所述电极是非连续的圆点，非连续的圆点...

【专利技术属性】
技术研发人员：林建伟，章康平，刘志锋，季根华，刘勇，
申请(专利权)人：泰州中来光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32