半导体器件及其制造方法技术

一种半导体器件包括至少一个半导体鳍、栅电极、至少一个栅极间隔件和栅极电介质。该半导体鳍包括至少一个凹进部分和至少一个沟道部分。栅电极存在于半导体鳍的至少沟道部分上。栅极间隔件存在于栅电极的至少一个侧壁上。栅极电介质至少存在于半导体鳍的沟道部分和栅电极之间。栅极电介质比半导体鳍的沟道部分的至少一个端面延伸更远。本发明专利技术实施例涉及半导体器件及其制造方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
本专利技术实施例涉及半导体器件及其制造方法。
技术介绍
半导体器件是在半导体晶圆衬底上制造的小型电子组件。使用多种制造技术，可以制成这些器件并且使这些器件连接在一起以形成集成电路。可以在一个芯片上发现许多集成电路，并且能够在电子应用的操作中实施一组有用的功能。这些电子应用的实例为移动电话、个人电脑和个人游戏器件。这些流行器件的尺寸将意味着，在芯片上形成的组件变小。
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施例，提供了一种半导体器件，包括：至少一个半导体鳍，包括至少一个凹进部分和至少一个沟道部分；栅电极，存在于所述半导体鳍的至少所述沟道部分上；至少一个栅极间隔件，存在于所述栅电极的至少一个侧壁上；以及栅极电介质，至少存在于所述半导体鳍的所述沟道部分和所述栅电极之间，其中，所述栅极电介质比所述半导体鳍的所述沟道部分的至少一个端面延伸更远。根据本专利技术的另一实施例，还提供了一种半导体器件，包括：至少一个半导体鳍，包括至少一个凹进部分和至少一个沟道部分；栅电极，存在于所述半导体鳍的至少所述沟道部分上；至少一个栅极间隔件，存在于所述栅电极的至少一个侧壁上；栅极电介质，至少存在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：至少一个半导体鳍，包括至少一个凹进部分和至少一个沟道部分；栅电极，存在于所述半导体鳍的至少所述沟道部分上；至少一个栅极间隔件，存在于所述栅电极的至少一个侧壁上；以及栅极电介质，至少存在于所述半导体鳍的所述沟道部分和所述栅电极之间，其中，所述栅极电介质比所述半导体鳍的所述沟道部分的至少一个端面延伸更远。

【技术特征摘要】
2015.12.17 US 62/269,030;2016.01.28 US 15/009,7601.一种半导体器件，包括：至少一个半导体鳍，包括至少一个凹进部分和至少一个沟道部分；栅电极，存在于所述半导体鳍的至少所述沟道部分上；至少一个栅极间隔件，存在于所述栅电极的至少一个侧壁上；以及栅极电介质，至少存在于所述半导体鳍的所述沟道部分和所述栅电极之间，其中，所述栅极电介质比所述半导体鳍的所述沟道部分的至少一个端面延伸更远。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极电介质比所述栅电极的所述至少一个侧壁延伸更远。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体鳍的所述沟道部分的所述端面与所述栅极间隔件的至少一个侧壁分隔开一横向距离，并且所述栅极间隔件具有小于所述横向距离的宽度。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体鳍的所述沟道部分的所述端面与所述栅极间隔件的至少一个侧壁分隔开一横向距离，并且所述栅极间隔件具有大于所述横向距离的宽度。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体鳍的所述沟道部分的所述端面与所述栅极间隔件的至少一个侧壁分隔开一横向距离，并且所述栅极间隔件具有与所述横向距离相同的宽度。6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括存在于所述半导体鳍的所述凹进部分上并且与所述半导体鳍的所述沟道部分接触的至少一个外延结构。7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述栅极电介质具有相对...

【专利技术属性】
技术研发人员：张哲诚，林志翰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71