一种栅极驱动电路制造技术
【技术实现步骤摘要】
一种栅极驱动电路
本技术属于电子
，尤其涉及一种栅极驱动电路。
技术介绍
传统的栅极驱动电路一般采用如图1所示的变频器架构，由上方的PMOS管MP1′和下方的NMOS管MN1′构成。在该电路中，MP1′和MN1′均必须耐压VPP-VNN的电压差范围。也就是说，如果电源VPP与地VNN之间的电压差是10V，则选用的器件MP1′和MN1′也必须选择耐压10V的器件。然而，众所周知耐压越高的器件，面积越大，成本越高，在价格竞争越发激烈，制程的选择越来越少的环境下，利用低压器件来完成相对高压制程的电路设计，是目前集成电路设计的一个趋势。
技术实现思路
针对上述现有技术的不足，本技术提供一种改进的栅极驱动电路，其能够利用低压器件来完成相对高压制程的栅极驱动。为了实现上述目的，本技术采用如下技术方案：一种栅极驱动电路，包括：一反相器，其输入端连接一信号输入端；一第一PMOS管，其栅极连接所述反相器的输入端，源极和基极连接一正电压端；一第二PMOS管，其栅极连接所述反相器的输出端，源极和基极连接所述正电压端；一第三PMOS管，其栅极连接所述反相器的输入端，源极和基极连接所述正电压...
【技术保护点】
一种栅极驱动电路，其特征在于，包括：一反相器，其输入端连接一信号输入端；一第一PMOS管，其栅极连接所述反相器的输入端，源极和基极连接一正电压端；一第二PMOS管，其栅极连接所述反相器的输出端，源极和基极连接所述正电压端；一第三PMOS管，其栅极连接所述反相器的输入端，源极和基极连接所述正电压端；一电压峰值控制模块，其第一电流输入端连接所述第一PMOS管的漏极，第二电流输入端连接所述第二PMOS管的漏极，第三电流输入端连接所述第三PMOS管的漏极，第一电压输入端连接一第一调控电压端，第二电压输入端连接一第二调控电压端；一第一电流镜，其电流输入端连接所述电压峰值控制模块的第一...
【技术特征摘要】
2016.10.21 TW 105216101;2016.10.21 TW 1051340351.一种栅极驱动电路，其特征在于，包括：一反相器，其输入端连接一信号输入端；一第一PMOS管，其栅极连接所述反相器的输入端，源极和基极连接一正电压端；一第二PMOS管，其栅极连接所述反相器的输出端，源极和基极连接所述正电压端；一第三PMOS管，其栅极连接所述反相器的输入端，源极和基极连接所述正电压端；一电压峰值控制模块，其第一电流输入端连接所述第一PMOS管的漏极，第二电流输入端连接所述第二PMOS管的漏极，第三电流输入端连接所述第三PMOS管的漏极，第一电压输入端连接一第一调控电压端，第二电压输入端连接一第二调控电压端；一第一电流镜，其电流输入端连接所述电压峰值控制模块的第一输出端，电流输出端连接所述电压峰值控制模块的第三输出端，电压输入端连接一负电压端；一第二电流镜，其电流输入端连接所述电压峰值控制模块的第二输出端，电流输出端连接所述电压峰值控制模块的第三输出端，电压输入端连接所述负电压端；以及一第九NMOS管，其栅极连接所述电压峰值控制模块的第三输出端，源极和背栅连接所述负电压端，漏极连接所述电压峰值控制模块的第四输出端以及一信号输出端。2.根据权利要求1所述的栅极驱动电路，其特征在于，该电路还包括：一电容，其连接在所述反相器的输入端与所述第一PMOS管的栅极之间；以及一电阻，其连接在所述第一PMOS管的栅极与所述正电压端之间。3.根据权利要求1所述的栅极驱动电路，其特征在于，所述电压峰值控制模块包括：一小电流产生模块，其第一输出端连接所述电压峰值控制模块的第一电流输入端，第三输出端连接所述电压峰值控制模块的第二电流输入端，第四输出端连接所述电压峰值控制模块的第三电流输入端；一第四PMOS管，其栅极连接所述电压峰值控制模块的第一电压输入端，源极和基极连接所述电压峰值控制模块的第一电流输入端；一第五PMOS管，其栅极连接所述电压峰值控制模块的第一电压输入端，源极和基极连接所述小电流产生模块的第二输出端；一第六PMOS管，其栅极连接所述电压峰值控制模块的第一电压输入端，源极和基极连接所述电压峰值控制模块的第二电流输入端；一第六PMOS管，其栅极连接所述电压峰值控制模块的第一电压输入端，源极和基...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：上海灿瑞科技股份有限公司，灿瑞半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31
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