包含陶瓷微带的射频垂直过渡结构制造技术

本实用新型专利技术涉及毫米波无源射频电路技术领域，特别涉及包含陶瓷微带的射频垂直过渡结构。本实用新型专利技术提供一种基于陶瓷微带线的射频垂直过渡结构，通过使用陶瓷介质微带线，利用陶瓷高达9.8的介电常数，仅仅通过调整微带线不同位置的宽度，并结合微带线其他固有特性（如陶瓷介质层厚度）即可实现现有技术中的电容电感器件特性，因此不需要再在电路中引入额外的电容、电感器件，也不需要使用高密度金属化过孔的类同轴结构，可有效降低射频端口电压驻波比、传输损耗等指标对设计容差、加工容差、工艺容差的敏感度，有助于提升设计、加工、制造的一次成品率，同时陶瓷介质微带线在批量加工时单价急剧下降，从而本实用新型专利技术可在成本显著降低的前提下，保证较优的射频性能。

【技术实现步骤摘要】
包含陶瓷微带的射频垂直过渡结构
本技术涉及毫米波无源射频电路
，特别涉及包含陶瓷微带的射频垂直过渡结构。
技术介绍
射频同轴连接器是射频连接器中规模最大的一个分类，其最大的特点和优势就是与射频电缆的兼容性。现有的射频芯片输出端口(如GSG端口、CPW端口或微带输出端口)到射频同轴连接器的垂直连接，一般采用如图1所示的普通介质微带线-类同轴结构进行转换，这种转换方式中，由于采用了普通介质微带线Ⅰ，因此需要增加额外的电容电感器件Ⅱ、使用大量接地金属化通孔Ⅲ的类同轴结构，以匹配射频不连续性；此时微带线局部宽度、额外电感电容器件的精度、工艺方法在金属化通孔附近引入的分布参数都会对射频端口电压驻波比、传输损耗等指标有明显的影响。而随着射频工作频率升高，要求微带线匹配线宽变小、匹配电容电感值变小、金属化过孔间距更小，进而导致分布参数影响变大，射频端口电压驻波比、传输损耗等指标对设计容差、加工容差、工艺容差更加敏感。因此，一旦出现设计误差、加工误差、工艺误差，就需要对产品进行多次优化，造成人力、时间、资源和成本的巨大浪费，在毫米波频段应用中，现有的微带线-类同轴结构转换方式的上述缺点就更加明本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包含陶瓷微带的射频垂直过渡结构，包括，射频芯片、微带线以及射频同轴连接器；所述射频芯片通过所述微带线与所述射频同轴连接器连接；其特征在于，所述微带线为陶瓷介质微带线，其通过第一金丝与所述射频芯片输出端口连接；通过第二金丝与所述射频同轴连接器波针连接；所述陶瓷介质微带线包括依次连接的第一匹配段、第二匹配段、第三匹配段以及第四匹配段，其中，所述第一匹配段的自由端与第一金丝连接；第四匹配段的自由端与第二金丝连接；第一匹配段用于和所述第一金丝组成第一LC等效电路以和所述输出端口进行阻抗匹配；第二匹配段的特性阻抗与所述输出端口相同；所述第四匹配段用于和第二金丝组成第二LC等效电路以和所述波针进行阻抗...

【技术特征摘要】
1.一种包含陶瓷微带的射频垂直过渡结构，包括，射频芯片、微带线以及射频同轴连接器；所述射频芯片通过所述微带线与所述射频同轴连接器连接；其特征在于，所述微带线为陶瓷介质微带线，其通过第一金丝与所述射频芯片输出端口连接；通过第二金丝与所述射频同轴连接器波针连接；所述陶瓷介质微带线包括依次连接的第一匹配段、第二匹配段、第三匹配段以及第四匹配段，其中，所述第一匹配段的自由端与第一金丝连接；第四匹配段的自由端与第二金丝连接；第一匹配段用于和所述第一金丝组成第一LC等效电路以和所述输出端口进行阻抗匹配；第二匹配段的特性阻抗与所述输出端口相同；所述第四匹配段用于和第二金丝组成第二LC等效电路以和所述波针进行阻抗匹配；所述第三匹配段用于所述第二匹配段与第二LC等效电路进行阻抗匹配。2.如权利要求1所述的射频垂直过渡结构，其特征在于，所述第一匹配段的宽度大于第二匹配段。3.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡彦胜，符博，丁卓富，管玉静，孙思成，
申请(专利权)人：成都雷电微力科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51