微弧氧化同步辅助电磁场装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了微弧氧化同步辅助电磁场装置；属于微弧氧化装置的技术领域。本发明专利技术要解决现有微弧氧化装置存在加工效率低和微弧氧化膜生长过程中有时易烧蚀的技术问题。本发明专利技术的所述装置还包括电磁场组件，电磁场组件是由中空管和缠绕在中空管外壁上的N匝线圈构成，电磁场组件设置在微弧氧化槽内，工件安装在电磁场组件内，工件作为阳极与电源箱的输出正极相连接，微弧氧化槽和中空管作为阴极与电源箱输出负极相连接，电源箱控制中空管和线圈导通与关断。本发明专利技术通过外加辅助同步电磁场作用于电解液微等离子体，能够进一步提升微弧氧化膜层生长速率，同时防止微弧氧化过程膜层生长出现的烧蚀缺陷。

Micro arc oxidation synchronous auxiliary electromagnetic field device

The invention discloses a micro arc oxidation synchronous auxiliary electromagnetic field device, belonging to the technical field of the micro arc oxidation device. The invention solves the technical problems that the existing micro arc oxidation device has low processing efficiency and is easy to ablate at the time of the growth of the micro arc oxidation film. The device of the invention also includes the electromagnetic field components, electromagnetic field component is composed of hollow winding coil and N in air traffic control on the outer wall of the electromagnetic field component is arranged in the micro arc oxidation tank, the workpiece is mounted on the electromagnetic field components within the workpiece as anode and cathode output power box is connected with the micro arc oxidation tank and air traffic control as the cathode and the anode output power box is connected with the power supply control box in the pipe and the coil turn-on and turn off. The invention can further enhance the growth rate of the micro arc oxidation film by adding an auxiliary synchronous electromagnetic field to the electrolyte micro plasma, and simultaneously prevent the ablation defect produced by the micro arc oxidation process film growth.

【技术实现步骤摘要】
微弧氧化同步辅助电磁场装置
本专利技术属于微弧氧化装置的
，具体涉及微弧氧化同步辅助电磁场装置。
技术介绍
微弧氧化技术是表面陶瓷化改性技术的一种，是从普通阳极氧化发展而来的，它突破了传统的阳极氧化电流、电压法拉第区域的限制，把阳极电位由几十伏提高到几百伏，利用弧光放电增强并激活阳极工件发生的电场、物理、化学、电化学等复杂反应。微弧氧化技术具有工艺简单、处理效率高、成本低、无污染等特点。微弧氧化陶瓷膜具有耐磨、耐腐蚀、耐高温冲击、热稳定性好，综合性能明显优于传统的表面改性技术，因此在航空、航天、汽车、机械和轻工等领域有着广阔的应用前景。同时，还可以根据不同性能的要求，制备出具有装饰、磁电屏蔽、电绝缘等功能性膜层，因此该技术已成为国际材料研究的热点之一。随着现代科学技术的发展，铝、镁、钛及其合金的应用越来越广泛，虽然它们具有很多优良的物理力学性能，但总感到它们的耐磨、耐蚀性能还不能满足某些零件的要求。微弧氧化技术的出现则较好地解决了这个问题。所谓微弧氧化技术MAO是在阳极氧化技术基础上发展起来的，是在铝、镁、钛及其合金表面原位生长氧化物陶瓷膜的新技术，是集物理、化学、电化学和等离子体氧化于一体的过程，具有电晕、火花、微弧、弧光等各种放电形式，在其表面能生长与基体结合强度高、硬度高、耐磨损、耐腐蚀和耐冲刷烧蚀等优异性能陶瓷膜的新技术。现有微弧氧化装置，在微弧氧化电源的控制下，微等离子体只一个固有移动方向，因此导致生长速度低(目前为0.6微米/每分钟)且有时易烧蚀。
技术实现思路
本专利技术要解决现有微弧氧化装置存在加工效率低和微弧氧化膜生长过程中有时易烧蚀的技术问题；而提供了微弧氧化同步辅助电磁场装置。本专利技术通过外加辅助同步电磁场作用于电解液微等离子体，能够进一步提升微弧氧化膜层生长速率，同时防止微弧氧化过程膜层生长出现的烧蚀缺陷为解决上述技术问题，本专利技术的微弧氧化同步辅助电磁场装置，包括微弧氧化槽1、冷却槽4、电源箱5，微弧氧化槽1内装有电解液，微弧氧化槽1外设置冷却槽4，微弧氧化槽1外设置冷却槽4之间形成空腔，空腔内装有冷却液，所述装置还包括电磁场组件3，电磁场组件3是由中空管31和缠绕在中空管31外壁上的N匝线圈32构成，电磁场组件3设置在微弧氧化槽1内，工件2安装在电磁场组件3内，工件2作为阳极与电源箱5的输出正极相连接，微弧氧化槽1和中空管31作为阴极与电源箱5输出负极相连接，电源箱5控制中空管31和线圈32导通与关断。进一步限定，所述中空管31的材质为304不锈钢，从而避免参与微弧氧化过程中的电化学反应。线圈32呈周向分布，或者呈螺旋式分布；进一步限定：线圈32均匀分布在中空管31上。线圈32的匝数为50～200匝，线圈缠绕紧密，有利于膜层生长，生长的膜层疏松均匀且致密，膜层无烧蚀。中空管31的横截面为方形、圆形等。使用时：将工件2安装到中空管31中，注入电解液，设定工作参数，然后开启电源箱上的开关，相互垂直磁力线作用下在工件表面生长膜层，微弧氧化结束水洗样件，烘干。本专利技术是在外部同步电磁场的作用下，生长较厚显微硬度较高的膜层。在微弧氧化电源的作用下，阳极产生的微等离子体水平方向移动，而处于电磁场(线圈32)中的工件2在微等离子过程中产生的等离子体铅垂方向移动，这样微等离子体在两个方向的作用力下，有效地预防膜层烧蚀现象。两个电磁场的磁力线相互垂直作用，那么在一个磁场的作用下，等离子体会产生移动，并穿过另一个电磁场的磁力线，等离子体中会产生电动势，这会对耗电和生产效率产生积极的影响；膜层生长速率由原来0.6微米/每分钟提高到1.2微米/每分；2、膜层疏松层与致密层比例由原来1:1提高到1:3；膜层无烧蚀现象。附图说明图1是本专利技术一具体实施方式的结构示意图。具体实施方式结合图1进行说明，本实施方式的微弧氧化同步辅助电磁场装置，包括微弧氧化槽1、冷却槽4、电源箱5，微弧氧化槽1内装有电解液，微弧氧化槽1外设置冷却槽4，微弧氧化槽1外设置冷却槽4之间形成空腔，空腔内装有冷却液，所述装置还包括电磁场组件3，电磁场组件3是由中空管31和缠绕在中空管31外壁上的N匝线圈32构成，电磁场组件3设置在微弧氧化槽1内，工件2安装在电磁场组件3内，工件2作为阳极与电源箱5的输出正极相连接，微弧氧化槽1和中空管31作为阴极与电源箱5输出负极相连接，电源箱5控制中空管31和线圈32导通与关断。线圈32呈螺旋式分布，共100匝线圈，所述中空管31的横截面为方形，且线圈32与中空管31之间绝缘处理。本文档来自技高网...

【技术保护点】
微弧氧化同步辅助电磁场装置，包括微弧氧化槽(1)、冷却槽(4)、电源箱(5)，微弧氧化槽(1)内装有电解液，微弧氧化槽(1)外设置冷却槽(4)，微弧氧化槽(1)与冷却槽(4)之间形成空腔，空腔内装有冷却液，其特征在于所述装置还包括电磁场组件(3)，电磁场组件(3)是由中空管(31)和缠绕在中空管(31)外壁上的N匝线圈(32)构成，线圈(32)与中空管(31)之间绝缘处理，电磁场组件(3)设置在微弧氧化槽(1)内，工件(2)安装在电磁场组件(3)内，工件(2)作为阳极与电源箱(5)的输出正极相连接，微弧氧化槽(1)作为阴极与电源箱的输出负极相连接，电源箱(5)控制中空管(31)和线圈(32)导通与关断。

【技术特征摘要】
1.微弧氧化同步辅助电磁场装置，包括微弧氧化槽(1)、冷却槽(4)、电源箱(5)，微弧氧化槽(1)内装有电解液，微弧氧化槽(1)外设置冷却槽(4)，微弧氧化槽(1)与冷却槽(4)之间形成空腔，空腔内装有冷却液，其特征在于所述装置还包括电磁场组件(3)，电磁场组件(3)是由中空管(31)和缠绕在中空管(31)外壁上的N匝线圈(32)构成，线圈(32)与中空管(31)之间绝缘处理，电磁场组件(3)设置在微弧氧化槽(1)内，工件(2)安装在电磁场组件(3)内，工件(2)作为阳极与电源箱(5)的输出正极相连接，微弧氧化槽(1)作为阴极与电源箱的输出负极相连...

【专利技术属性】
技术研发人员：袭建军，
申请(专利权)人：哈尔滨佰倍科技有限公司，
类型：发明
国别省市：黑龙江,23