一种MEMS器件及其制备方法、电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供底部晶圆，在所述底部晶圆上形成有粘结材料层；步骤S2：在所述粘结材料层的侧壁上形成第一间隙壁，以覆盖所述侧壁；步骤S3：在所述第一间隙壁上形成第二间隙壁，以覆盖所述第一间隙壁的侧壁；步骤S4：去除所述第一间隙壁，以在所述粘结材料层和所述第二间隙壁之间形成凹槽，防止接合过程中接合材料的溢出。通过所述方法可以很好地解决现有技术金属材料溢出造成桥连或者其他问题的发生，提高了MEMS器件键合质量，进一步提高了MEMS器件的性能和良率。

MEMS device and its preparing method and electronic device

The invention relates to a MEMS device and a preparation method thereof and an electronic device. The method comprises the steps of: providing the bottom wafer, S1 bonded material layer is formed on the bottom of the wafer; step S2: the formation of the first clearance wall in the adhesive layer on the side wall of the cover of the side wall; step S3: second clearance wall is formed in the first gap on the wall to covering the first clearance wall side wall; step S4: the removal of the first clearance wall to form a groove between the adhesive layer and the second gap wall, to prevent overflow of bonding materials bonding process. The method can solve the problems of bridging or other problems caused by overflow of metal materials in the prior art, improve the bonding quality of MEMS devices, and further improve the performance and yield of MEMS devices.

【技术实现步骤摘要】
一种MEMS器件及其制备方法、电子装置
本专利技术涉及半导体领域，具体地，本专利技术涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。
技术介绍
对于高容量的半导体存储装置需求的日益增加，这些半导体存储装置的集成密度受到人们的关注，为了增加半导体存储装置的集成密度，现有技术中采用了许多不同的方法，例如通过减小晶片尺寸和/或改变内结构单元而在单一晶片上形成多个存储单元，对于通过改变单元结构增加集成密度的方法来说，已经进行尝试沟通过改变有源区的平面布置或改变单元布局来减小单元面积。在电子消费领域，多功能设备越来越受到消费者的喜爱，相比于功能简单的设备，多功能设备制作过程将更加复杂，比如需要在电路版上集成多个不同功能的芯片，因而出现了3D集成电路(integratedcircuit，IC)技术。其中，微电子机械系统(MEMS)在体积、功耗以及价格方面具有十分明显的优势，至今已经开发出多种不同的传感器，例如压力传感器、加速度传感器、惯性传感器以及其他的传感器。在MEMS领域中，现有技术MEMS的制备过程以及封装过程通常包括：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆上形成有各种传感器器件，在所述MEMS本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MEMS器件的制备方法，包括：步骤S1：提供底部晶圆，在所述底部晶圆上形成有粘结材料层；步骤S2：在所述粘结材料层的侧壁上形成第一间隙壁，以覆盖所述侧壁；步骤S3：在所述第一间隙壁上形成第二间隙壁，以覆盖所述第一间隙壁的侧壁；步骤S4：去除所述第一间隙壁，以在所述粘结材料层和所述第二间隙壁之间形成凹槽，防止接合过程中接合材料的溢出。

【技术特征摘要】
1.一种MEMS器件的制备方法，包括：步骤S1：提供底部晶圆，在所述底部晶圆上形成有粘结材料层；步骤S2：在所述粘结材料层的侧壁上形成第一间隙壁，以覆盖所述侧壁；步骤S3：在所述第一间隙壁上形成第二间隙壁，以覆盖所述第一间隙壁的侧壁；步骤S4：去除所述第一间隙壁，以在所述粘结材料层和所述第二间隙壁之间形成凹槽，防止接合过程中接合材料的溢出。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，在所述底部晶圆上形成有环形的粘结材料层，在所述步骤S4中在所述粘结材料层的周围形成环形凹槽。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S1中，所述粘结材料层选用金属材料。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S2包括：步骤S21：沉积第一间隙壁材料层，以覆盖所述底部晶圆和所述粘结材料层；步骤S22：全面蚀刻所述第一间隙壁材...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪中山，王伟，郑超，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31