一种平面转印装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及热转印技术领域，公开了一种平面转印装置。包括上台面、下台面、活动式支撑杆、第一高频震荡电路、第二高频震荡电路和支撑台，所述上台面设置在支撑台上，所述上台面和下台面平行并通过活动式支撑杆连接，所述上台面和下台面压合时相互重叠，所述第一高频震荡电路和第二高频震荡电路设置在支撑台内，所述第一高频震荡电路的谐振线圈设置在下台面，所述第二高频震荡电路的谐振线圈设置在上台面，所述上台面和下台面压合时所述初谐振圈和谐振线圈重叠。转印时上下台面间放置的覆铜板形成涡流产热，覆铜板的温度稳定，一次完成转印。

Plane transfer device

The invention relates to the technical field of heat transfer printing, and discloses a plane transfer device. On the table, under the table, including a movable support rod, a first high-frequency oscillation circuit, second high-frequency oscillation circuit and the support table, the table is arranged on the supporting table, the table and the table in parallel and connected by a movable support rod, wherein the surface and surface pressure to step down when the overlap the first high-frequency oscillation circuit and second high-frequency oscillation circuit is arranged in the support platform, the first resonance coil high frequency oscillation circuit is arranged in under the table, the second resonant coil high frequency oscillation circuit is arranged in the table, the table and the table pressing the primary resonant ring resonant coil overlap. The copper clad plate placed between the upper and the lower surfaces forms a vortex induced abortion heat, and the copper clad plate has a stable temperature and is completed at one time.

【技术实现步骤摘要】
一种平面转印装置
本专利技术涉及热转印
，特别是一种平面转印装置。
技术介绍
胶轴式转印机是目前各种实验室普遍采用的转印设备，其通过电热辐射原件以及反射装置向胶轴空隙方向发射主拨段为2.5~15μm的红外线辐射实现传热。利用胶轴的转动实现大面积的转印需求，利用该方法转印需要高温高压力才能转印完全转印，但是由于胶轴上的温度分布不均匀，转印过程中覆铜板的温度容易变化，致使图案转印不完全，需要二次转印；另外，胶轴转印机只要打开设备便会升温从而产生大量能耗，而且升温过程需要导热介质也会引起能量损耗；其次，通过介质导热也会使转印效率较低。因此，其能量传递方式就限制了其效率以及加热面积。如果能提供一种小型的加热面积可控、能量传递过程中损耗少的加热设备，将解决上述困扰，给人们生活带来便利。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是：针对上述存在的问题，提供了一种平面转印装置。本专利技术采用的技术方案如下：一种平面转印装置，具体包括上台面、下台面、活动式支撑杆、第一高频震荡电路、第二高频震荡电路和支撑台，所述上台面设置在支撑台上，所述上台面和下台面平行设置，所述上台面和下台面之间通过活动式支撑杆连接，所述上台面和下台面压合时相互重叠，所述第一高频震荡电路和第二高频震荡电路设置在支撑台内，所述第一高频震荡电路的第一谐振线圈设置在下台面，所述第二高频震荡电路的第二谐振线圈设置在上台面，所述上台面和下台面压合时所述第一谐振线圈和第二谐振线圈重叠。所述上台面和下台面距离最远时，所述上台面和下台面部分重叠，此时上台面和下台面处于分离状态。进一步的，所述活动式支撑杆包括相互平行的第一支撑轴、第二支撑轴、第三支撑轴和第四支撑轴，所述第一支撑轴、第二支撑轴、第三支撑轴和第四支撑轴与上台面和下台面的两条对侧边连接，所述上台面和下台面距离最远时，所述第一支撑轴、第二支撑轴、第三支撑轴和第四支撑轴垂直于上台面。进一步的，所述第一支撑轴和第二支撑轴的一端分别铰接在上台面的两条对侧边的一端，所述第一支撑轴和第二支撑轴的另一端分别铰接在下台面的两条对侧边的非端部，所述第三支撑轴和第四支撑轴的一端分别铰接在上台面的两条对侧边的非端端，所述第三支撑轴和第四支撑轴的另一端分别铰接在下台面的两条对侧边的一部，所述第一支撑轴、第二支撑轴、第三支撑轴和第四支撑轴均可以沿着铰接处的铰接点在90°范围内活动。进一步的，所述下台面的上表面具有第一凹槽，所述第一谐振线圈设置在第一凹槽内，所述上台面的下表面具有第二凹槽，所述第二谐振线圈设置在第二凹槽内。进一步的，所述第一谐振线圈和第二线圈分别粘附于所述下台面的上表面和所述上台面的下表面。进一步的，所述第一高频震荡电路和第二高频震荡电路均采用零电压开关电路（ZVS）。进一步的，所述零电压开关电路包括电源、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第一高频线圈、第一晶体管、第二晶体管、第三二极管、第四二极管、第一二极管、第六二极管、第二电感、第三电感；所述第一电阻的第一端与第二电感的第一端、第四电阻的第一端以及电源正极连接，所述第一电阻的第二端与第二电阻的第一端、第一二极管第二端、第三二极管的第一端、第一晶体管的G极连接，所述第二电感的第二端与第一高频线圈的第一端、第三电感的第一端连接，所述第四电阻的第二端与第三电阻的第二端、第六二极管的第一端、第四二极管的第二端、第二晶体管的G极连接，所述第一二极管的第一端与第三电感的第一端、第一电容的第二端、第一高频线圈的第二端、第二晶体管的D极连接，所述第六二极管的第二端与第二电感下端、第一电容的第一端、第一高频线圈的第一端、第一晶体管的D极连接，所述第二电阻的第二端、第三二极管的第二端、第一晶体管的S极、第二二极管的第二端、第三电阻的第一端、第四二极管的第一端、第二晶体管的S极、第五二极管的第一端接入电源地，其中第二电感和第三电感为续流电感，所述第一高频线圈为谐振线圈。进一步的，所述零电压开关电路还包括保护电路，所述保护电路耦接于供电端和第一高频线圈的第一端之间，包括基准电压产生电路和反馈环路，所述基准电压产生电路包括并联电路和第七电阻，所述并联电路包括并联的第七齐纳二极管、第八电阻和第二电容，所述并联电路的第一端接地，所述并联电路的第二端耦接第七电阻的第一端，所述反馈环路包括第三晶体管、第一放大器、第二放大器和第九电阻，所述第三晶体管的第一端耦接供电端，所述第三晶体管的第二端耦接第一高频线圈的第一端，所述第三晶体管的控制端耦接第一放大器的输出端，所述第一放大器的第二输入端耦接并联电路的第二端，所述第一放大器的第一输入端耦接第二放大器的输出端，所述第二放大器的输入端耦接第一高频线圈的第一端，所述第二放大器的输出端耦接第九电阻后耦接地，所述第三晶体管为场效应晶体管或者MOS晶体管或者三极管。进一步的，所述保护电路还包括电阻网络、比较器和放电通路，所述电阻网络包括第十电阻、第十一电阻、第十二电阻和第十三电阻，所述第十电阻的第一端耦接供电端，所述第十电阻的第二端耦接第十一电阻后耦接地，所述第十二电阻的第一端耦接供电端，所述第十二电阻的第二端耦接第十三电阻后耦接地，所述第十电阻的第二端耦接比较器的第一输入端，所述第十二电阻的第二端耦接比较器的第二输入端，放电通路包括串联的N-MOS晶体管和第十四电阻，所述比较器的输出端连接N-MOS晶体管的控制端，所述N-MOS晶体管的第二端耦接地，所述N-MOS晶体管的第一端耦接地十四电阻的第一端，所述第十四电阻的第二端耦接第一放大器的第二输入端。进一步的,所述第十电阻和第十二电阻均为匹配电阻，第十一电阻的温度系数大于第十三电阻的温度系数，常温下第十一电阻的阻值小于第十三电阻的阻值。综上所述，由于采用了上述技术方案，本专利技术有益效果是：转印时，采用上、下台面将覆铜板夹在中间，加热过程中覆铜板的温度不会出现变化的情况，加热均匀，只需要一次就可以转印完全，避免二次转印；同时，实现了对上台面和下台面之间的覆铜板进行涡流加热，避免热传导过程中的热量耗散，提高能量转化效率。附图说明图1是本专利技术平面转印装置未压合时的结构示意图。图2是本专利技术平面转印装置压合时的结构示意图。图3是本专利技术零电压开关电路200的结构示意图。图4是本专利技术具有保护电路的零电压开关电路300结构示意图。图5是本专利技术保护电路400的结构示意图。图6是图5中保护电路进一步优化的保护电路500结构示意图。图7是本专利技术一个实施例的温度调节曲线。附图标记：支撑台-1，轴承-2，第一谐振线圈-3，第二线圈-4，上台面-5，覆铜板-6，下台面-7，第一支撑轴-8，第三支撑轴-9。具体实施方式下面结合附图，对本专利技术作详细的说明。为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。如图1-2所示，一种平面转印装置，具体包括上台面5、下台面7、活动式支撑杆、第一高频震荡电路、第二高频震荡电路和支撑台1，所述上台面5设置在支撑台1上，所述上台面5和下台面7平行设置，所述上台面5和下台面7之间通过活动式支撑杆连接，所述上台面5和下台面7压合时相互重叠，所述上台面5和下台面7距离最远时，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平面转印装置，其特征在于，包括上台面、下台面、活动式支撑杆、第一高频震荡电路、第二高频震荡电路和支撑台，所述上台面设置在支撑台上，所述上台面和下台面平行设置，所述上台面和下台面之间通过活动式支撑杆连接，所述上台面和下台面压合时相互重叠，所述第一高频震荡电路和第二高频震荡电路设置在支撑台内，所述第一高频震荡电路的第一谐振线圈设置在下台面，所述第二高频震荡电路的第二谐振线圈设置在上台面，所述上台面和下台面压合时所述第一谐振线圈和第二谐振线圈重叠。

【技术特征摘要】
1.一种平面转印装置，其特征在于，包括上台面、下台面、活动式支撑杆、第一高频震荡电路、第二高频震荡电路和支撑台，所述上台面设置在支撑台上，所述上台面和下台面平行设置，所述上台面和下台面之间通过活动式支撑杆连接，所述上台面和下台面压合时相互重叠，所述第一高频震荡电路和第二高频震荡电路设置在支撑台内，所述第一高频震荡电路的第一谐振线圈设置在下台面，所述第二高频震荡电路的第二谐振线圈设置在上台面，所述上台面和下台面压合时所述第一谐振线圈和第二谐振线圈重叠。2.如权利要求1所述的平面转印装置，其特征在于，所述活动式支撑杆包括相互平行的第一支撑轴、第二支撑轴、第三支撑轴和第四支撑轴，所述第一支撑轴、第二支撑轴、第三支撑轴和第四支撑轴与上台面和下台面的两条对侧边连接，所述上台面和下台面距离最远时，所述第一支撑轴、第二支撑轴、第三支撑轴和第四支撑轴垂直于上台面。3.如权利要求2所述的平面转印装置，其特征在于，所述第一支撑轴和第二支撑轴的一端分别铰接在上台面的两条对侧边的一端，所述第一支撑轴和第二支撑轴的另一端分别铰接在下台面的两条对侧边的非端部，所述第三支撑轴和第四支撑轴的一端分别铰接在上台面的两条对侧边的非端端，所述第三支撑轴和第四支撑轴的另一端分别铰接在下台面的两条对侧边的一部，所述第一支撑轴、第二支撑轴、第三支撑轴和第四支撑轴均可以沿着铰接处的铰接点在90°范围内活动。4.如权利要求1所述的平面转印装置，其特征在于，所述下台面的上表面具有第一凹槽，所述第一谐振线圈设置在第一凹槽内，所述上台面的下表面具有第二凹槽，所述第二谐振线圈设置在第二凹槽内。5.如权利要求4所述的平面转印装置，其特征在于，所述第一谐振线圈和第二线圈分别粘附于所述下台面的上表面和所述上台面的下表面。6.如权利要求5所述的平面转印装置，其特征在于，所述第一高频震荡电路和第二高频震荡电路均采用零电压开关电路。7.如权利要求6所述的平面转印装置，其特征在于，所述零电压开关电路包括电源、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第一高频线圈、第一晶体管、第二晶体管、第三极管、第四二极管、第一二极管、第六二极管、第二电感、第三电感；所述第一电阻的第一端与第二电感的第一端、第四电阻的第一端以及电源正极连接，所述第一电阻的第二端与第二电阻的第一端、第一二极管第二端、第三二极管的第一端、第一晶体管的G极连接，所述第二电感的第二端与第一高频线圈的第一端、第三电感的第一端连接，所述第四电阻的第二端与第三电阻的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：王海时，李艾伟，杜江，孙捷，谷少伟，文奥，李珂，
申请(专利权)人：成都信息工程大学，
类型：发明
国别省市：四川,51