一种阵列基板及包括其的显示装置制造方法及图纸

本申请提供一种阵列基板以及包括其的显示装置，其中，阵列基板包括衬底基板；第一金属层；第二金属层，位于第一金属层远离衬底基板的一侧；第三金属层，位于第二金属层远离衬底基板的一侧；第一绝缘层，设置于第一金属层和第二金属层之间；第二绝缘层，设置于第二金属层和第三金属层之间；第一氧化物导体层，位于第三金属层远离衬底基板的一侧；第二氧化物导体层，位于第一氧化物导体层远离衬底基板的一侧；第三绝缘层，位于第一氧化物导体层和第三金属层之间；其中，在所述显示区域，所述第一氧化物导体层和所述第二氧化物导体层之间设置有第四绝缘层，在非显示区域，第三金属层与第二金属层至少通过所述第一氧化物导体层电连接。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及包括其的显示装置
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种阵列基板，以及包括该阵列基板的显示装置。
技术介绍
液晶显示(liquidcrystaldisplay，LCD)装置具有功耗低、携带方便而成为目前广泛使用的显示装置，而有机发光显示(organicelectroluminesencedisplay，OLED)装置具有广视角、高对比度、高反应速度等优点逐渐成为新一代主流的显示装置。不论是液晶显示装置还是有机发光显示装置，阵列基板都是不可或缺的组件。目前，阵列基板包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域，在显示区域，阵列排布有多个薄膜晶体管、多条相互交叉绝缘的数据线和扫描线等；而在非显示区域，包括各类用于与显示区域的薄膜晶体管、数据线、扫描线等电连接的外围走线，以及移位寄存器电路、防静电电路等。近年来，内置触控显示装置将触控功能和显示功能集成于一体，与传统的外挂式触控显示装置，内置触控显示装置具有更轻、更薄的优点。通常地，应用于内置触控显示装置的阵列基板会设置有触控电极以及触控电极引线，触控电极引线用于电连接触控电极与驱动芯片。此外，由于触控电极引线在生产过程中容易产生静电，因此，现有技术中会将触控电极引线在非显示区域连接至防静电电路。对于目前常用的面内电场(in-planeswitch，IPS)显示模式和边缘电场(fringefieldswitch，FFS)显示模式而言，触控电极线与驱动芯片之间，以及触控电极线与防静电电路之间通过跨桥方式进行电连接。具体地，现有技术中，在形成最后一层氧化物导体层(可以是像素电极或者是公共电极)前，通过掩膜版在非显示区域形成通孔，继而在形成最后一层氧化物导体层时实现触控电极线与防静电电路的电连接，以及触控电极线与驱动芯片的电连接。现有技术中，触控电极线通常采用金属材料制成且作为第三金属层，而触控电极与防静电电路的电连接是通过第三金属层与防静电电路中薄膜晶体管的源极/漏极(第二金属层)电连接实现；触控电极线与驱动芯片间的电连接是通过第三金属层与第二金属层电连接、第二金属层再与第一金属层电连接的方式实现(即采用换线的方式)。然而，通过上述方式制备得到的阵列基板容易发生接触不良，从而造成阵列基板容易被静电击伤、或者触控灵敏度下降等问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种阵列基板以及一种显示装置，以实现触控电极线与防静电电路的良好接触从而提高阵列基板的防静电能力，以及实现触控电极与驱动芯片的良好接触从而提高触控灵敏度。为实现上述目的，本专利技术实施例提供如下技术方案：首先，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板包括衬底基板，包括显示区域和非显示区域；第一金属层，位于所述显示区域和所述非显示区域；第二金属层，位于所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧；第三金属层，位于所述第二金属层远离所述衬底基板的一侧；第一绝缘层，设置于所述第一金属层和所述第二金属层之间；第二绝缘层，设置于所述第二金属层和所述第三金属层之间；第一氧化物导体层，位于所述第三金属层远离所述衬底基板的一侧；第二氧化物导体层，位于所述第一氧化物导体层远离所述衬底基板的一侧；第三绝缘层，位于所述第一氧化物导体层和所述第三金属层之间；其中，在所述显示区域，所述第一氧化物导体层和所述第二氧化物导体层之间设置有第四绝缘层，在所述非显示区域，所述第三金属层与所述第二金属层至少通过所述第一氧化物导体层电连接。其次，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述阵列基板。与现有技术相比，本专利技术实施例提供的阵列基板以及显示装置具有如下技术效果：1、由于采用第一氧化物半导体层实现第三金属层和第二金属层间的电连接，第一氧化物导体层与第二金属层之间的膜层数量较少，从而降低跨桥电极(第一氧化导体层)在在通孔中的断线风险；2、第一氧化物半导体层远离衬底基板的一侧设置有第三绝缘层和/或第二氧化物导体层，从而避免跨桥电极(第一氧化物导体层)在后续制成中被腐蚀。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的阵列基板结构示意图；图2为图1所示阵列基板显示区域中一个子像素的一种结构示意图；图3为图1所示阵列基板显示区域中一个子像素的另一种结构示意图；图4为图1所示阵列基板非显示区域中防静电电路单元的一种结构示意图；图5为图4所示结构沿AA'的一种剖面结构示意图；图6为图3所示结构沿AA'的另一种剖面结构示意图；图7为图1所示阵列基板非显示区域中防静电电路单元的另一种结构示意图；图8为图7所示结构沿BB'的剖面结构示意图；图9为图1所示阵列基板非显示区域在第三金属层换线处的一种结构示意图；图10为图9所示结构沿CC'的一种剖面结构示意图；图11为图9所示结构沿CC'的另一种剖面结构示意图；图12为图1所示阵列基板非显示区域在第三金属层换线处的另一种结构示意图；图13为图12所示结构沿DD'的一种剖面结构示意图；图14为图9所示结构沿CC'的又一种剖面结构示意图；图15为图1所示阵列基板非显示区域在第三金属层换线处的又一种结构示意图；图16为本专利技术实施例提供的一种显示装置结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。为了提高第三金属层和第二金属层之间的电连接稳定性，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板包括衬底基板，衬底基板包括显示区域和非显示区域，位于显示区域和非显示区域的第一金属层；位于第一金属层远离远离衬底基板的一侧的第二金属层；位于第二金属层远离衬底基板的一侧的第三金属层；设置于第一金属层和第二金属层之间的第一绝缘层，设置于第二金属层和第三金属层之间的第二绝缘层；位于第三金属层远离衬底基板的一侧的第一氧化物导体层；位于第一氧化物导体层远离衬底基板的一侧的第二氧化物导体层；位于第一氧化物导体层和第三金属层之间的第三绝缘层；其中，在显示区域，第一氧化物导体层和第二氧化物导体层之间设置有第四绝缘层，在非显示区域，第三金属层与第二金属层至少通过第一氧化物导体层连接。请参考图1至图5，图1为本专利技术实施例提供的阵列基板结构示意图，图2为图1所示阵列基板显示区域中一个子像素的剖面结构示意图，图3为图1所示阵列基板显示区域中一个子像素的另一种结构示意图，图4为图1所示阵列基板非显示区域中防静电电路单元的一种结构示意图，图5为图4所示结构沿AA'的一种剖面结构示意图。结合图1和图2，阵列基板包括衬底基板220，衬底基板220包括显示区域10和非显示区域20。显示区域10包括多个显示薄膜晶体管DT、多条数据线106、多条栅极线104以及多条触控电极线206；显示薄膜晶体管DT包括栅极104a、源极106a/漏极108和有源层102，显示薄膜晶体管DT的栅极10本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括：衬底基板，包括显示区域和非显示区域；第一金属层，位于所述显示区域和所述非显示区域；第二金属层，位于所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧；第三金属层，位于所述第二金属层远离所述衬底基板的一侧；第一绝缘层，设置于所述第一金属层和所述第二金属层之间；第二绝缘层，设置于所述第二金属层和所述第三金属层之间；第一氧化物导体层，位于所述第三金属层远离所述衬底基板的一侧；第二氧化物导体层，位于所述第一氧化物导体层远离所述衬底基板的一侧；第三绝缘层，位于所述第一氧化物导体层和所述第三金属层之间；其中，在所述显示区域，所述第一氧化物导体层和所述第二氧化物导体层之间设置有第四绝缘层，在所述非显示区域，所述第三金属层与所述第二金属层至少通过所述第一氧化物导体层电连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括：衬底基板，包括显示区域和非显示区域；第一金属层，位于所述显示区域和所述非显示区域；第二金属层，位于所述第一金属层远离所述衬底基板的一侧；第三金属层，位于所述第二金属层远离所述衬底基板的一侧；第一绝缘层，设置于所述第一金属层和所述第二金属层之间；第二绝缘层，设置于所述第二金属层和所述第三金属层之间；第一氧化物导体层，位于所述第三金属层远离所述衬底基板的一侧；第二氧化物导体层，位于所述第一氧化物导体层远离所述衬底基板的一侧；第三绝缘层，位于所述第一氧化物导体层和所述第三金属层之间；其中，在所述显示区域，所述第一氧化物导体层和所述第二氧化物导体层之间设置有第四绝缘层，在所述非显示区域，所述第三金属层与所述第二金属层至少通过所述第一氧化物导体层电连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二绝缘层包括平坦化层，所述平坦化层具有通孔，所述通孔向所述衬底基板的垂直投影与所述第二金属层向所述衬底基板的垂直投影交叠。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述平坦化层还设置有凹槽。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一氧化物导体层与所述第三金属层通过第一过孔连接，所述第一氧化物导体层与所述第二金属层通过第二过孔连接，所述第一过孔贯穿所述第三绝缘层，所述第二过孔贯穿所述第二绝缘层和所述第三绝缘层，所述第二过孔向所述衬底基板的垂直投影与所述平坦化层的通孔向所述衬底基板的垂直投影交叠。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第三金属层与所述第二金属层通过所述第一氧化物导体层、所述第二氧化物导体层电连接。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二氧化物导体层包括第一区域和第二区域，在所述第一区域，所述第二氧化物导体层与所述第一氧化物导体层之间设置有所述第四绝缘层；在所述第二区域，所述第二氧化物导体层与所述第一氧化物导体层相互接触；所述第二区域向所述衬底基板的垂直投影与所述平坦化层的通孔向所述衬底基板的垂直投影重叠。7.根据权利要求5所述的阵...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭涛，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35