【技术实现步骤摘要】
低温共烧PTC陶瓷材料组成物
本专利技术涉及一种新型PTC陶瓷材料组成物，具体地说，是一种低温共烧PTC陶瓷材料组成物。
技术介绍
近年来，在半导体技术飞速发展的带动下，电子元器件不断向小型化、集成化和高频化方向发展。随着SMT技术的快速发展，极大的促进了电子设备以及电子元器件的小型化、微型化，集成化和片式化，而发展制备具有多层结构的片式化、微型化的PTC元件成为国内外的研究热点与重点。为了实现多层结构PTC元件的片式化、微型化，所使用的PTC材料必须具备在低温烧结条件大保持良好的PTC效应和较高的耐电压、较低的电阻率；以保证其能在微型电路以及其它更加广泛的范围得到应用，这使得研究如何制备能在低温下进行烧结且保持高性能PTC特性的陶瓷组成物成为技术的关键。它是实现PTC材料低温共烧的核心技术，是制备多层结构PTC元件的基础。制备多层结构的PTC元件最适宜的技术方案是借鉴MLCC低温共烧技术，这样虽然低温共烧多层结构的PTC元件在结构及制作工艺上与MLCC有着极强的继承性，但由于BaTiO3系正温度系数热敏电阻材料烧结温度高、外来杂质或第二相常常影响半导化程度，甚至...
【技术保护点】
一种低温共烧PTC陶瓷材料组成物，包括陶瓷相和玻璃相，其特征在于：所述陶瓷相为常规PTC陶瓷材料，所述玻璃相为PbO‑BN材料，所述PbO‑BN材料的含量为1‑10wt％，PTC陶瓷材料的含量为90‑99wt％。
【技术特征摘要】
1.一种低温共烧PTC陶瓷材料组成物，包括陶瓷相和玻璃相，其特征在于：所述陶瓷相为常规PTC陶瓷材料，所述玻璃相为PbO-BN材料，所述PbO-BN材料的含量为1-10wt％，PTC陶瓷材料的含量为90-99wt％。2.根据权利要求1所述的低温共烧PTC陶瓷材料组成物，其特征在于所述PbO-BN材料中：PbO和B...
【专利技术属性】
技术研发人员：李春花，
申请(专利权)人：青岛祥智电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37
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