【技术实现步骤摘要】
一种高纯度二氧化硅中去除氯离子的方法
本专利技术涉及一种杂质处理工艺,尤其是一种高纯度二氧化硅中去除氯离子的方法。
技术介绍
高纯度二氧化硅在工业中有着重要的应用价值,可用于制备光导纤维、精密的光学仪器、电子元件的载体等,也可以生产石英玻璃。现阶段,合成高纯二氧化硅,通常采用硅酸钠与硝酸合成来完成:Na2SiO3+2HNO3=2NaNO3+H2SiO3;H2SiO3+SiO2+H2O在合成中硅酸钠及硝酸都会夹带微量氯离子,氯离子在合成中被硅酸富集吸附,导致后处理非常困难,合成高纯二氧化硅过程中需要用大量热纯水反复洗涤,能耗和工时巨大。因此,寻找一种方便有效的去除二氧化硅中微量氯离子的方法具有非常重要的生产实践意义。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种高纯度二氧化硅中去除氯离子的方法。为解决上述技术问题,本专利技术的技术方案是:一种高纯度二氧化硅中去除氯离子的方法,具体步骤为:(1)在合成二氧化硅生成沉淀前将氨水加入到反应体系中,其中,Na2SiO3与氨水的摩尔比为1:1-1.2,静置,弃去清液;(2)二氧化硅再用氨水洗涤两次,其中,二氧化硅与氨水的摩尔比为1:1-1.2;(3)二氧化硅再使用纯水洗涤,其中,每1kg二氧化硅的纯水使用量为20L/次,一天两次,洗涤2-3天,即可去除氯离子,得到高纯度二氧化硅。优选的,上述高纯度二氧化硅中去除氯离子的方法,所述步骤(1)、(2)中氨水为15%氨水。本专利技术的有益效果是:上述高纯度二氧化硅中去除氯离子的方法,方法简单,操作方便,洗涤时间及次数较少50%以上,可以再较短时间和更少纯水用量的情况下, ...
【技术保护点】
一种高纯度二氧化硅中去除氯离子的方法,其特征在于:具体步骤为:(1)在合成二氧化硅生成沉淀前将氨水加入到反应体系中,其中,Na
【技术特征摘要】
2015.12.08 CN 20151090053251.一种高纯度二氧化硅中去除氯离子的方法,其特征在于:具体步骤为:(1)在合成二氧化硅生成沉淀前将氨水加入到反应体系中,其中,Na2SiO3与氨水的摩尔比为1:1-1.2,静置,弃去清液;(2)二氧化硅再...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈曙,
申请(专利权)人:天津市科密欧化学试剂有限公司,
类型:发明
国别省市:天津,12
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