SACVD腔室的清洁方法技术

一种SACVD腔室的清洁方法，包括：提供SACVD腔室，所述SACVD腔室具有腔盖和位于所述腔盖下方的加热基座；对所述SACVD腔室进行第一清洁，在所述第一清洁中，所述腔盖和所述加热基座的间距为第一间距；进行第一清洁后，对所述SACVD腔室进行第二清洁，在所述第二清洁中，所述加热基座靠近SACVD腔室底部，所述腔盖和所述加热基座的间距为第二间距，所述第一间距小于所述第二间距。采用所述SACVD腔室的清洁方法，将所述SACVD腔室底部和腔壁的膜层清洁干净的同时降低了对腔壁的刻蚀损伤。

【技术实现步骤摘要】
SACVD腔室的清洁方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种SACVD腔室的清洁方法。
技术介绍
亚常压化学气相沉积(SACVD)工艺指的是将反应气体在腔室内进行沉积反应时压强为500torr～600torr的一种化学气相沉积反应。亚常压化学气相沉积工艺具有较佳的阶梯覆盖能力和沟槽填充能力，且其反应过程为纯化学反应，不产生等离子体损伤。基于上述优点，亚常压化学气相沉积工艺被广泛应用于半导体制造工艺的前道工序FEOL(Front-End-Of-Line)中的沟槽填充，如浅沟槽隔离结构中对浅沟槽填充、以及形成层间介质层过程中沉积层间介质层。利用SACVD沉积工艺沉积的膜层的物质为通常为二氧化硅，具体的，在次常压化学气相沉积(SACVD)的腔室中，利用臭氧和正硅酸乙酯(TEOS)在次常压条件下沉积形成二氧化硅。在所述SACVD腔室中沉积所述膜层的过程中，容易产生颗粒(particle)，所述颗粒的存在使得形成的膜层的均匀性变差，或者影响后续沉积工艺中薄膜的质量，所述颗粒的来源主要是由于在沉积所述膜层的同时在SACVD腔室底部和腔壁、及腔盖表面也形成膜层，当SACVD腔室底部和腔壁及腔盖表面的膜层积累到一定程度时容易发生剥落(peeling)现象，从而产生particle。故需要定期清洁SACVD腔室。现有技术中，将所述SACVD腔室底部和腔壁的膜层全部去除干净的同时对腔壁的刻蚀损伤大。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种SACVD腔室的清洁方法，将所述SACVD腔室底部和腔壁的膜层全部去除干净，且降低对腔壁的刻蚀损伤。为解决上述问题，本专利技术提供一种SACVD腔室的清洁方法，包括：提供SACVD腔室，所述SACVD腔室具有腔盖和位于所述腔盖下方的加热基座；对所述SACVD腔室进行第一清洁，在所述第一清洁中，所述腔盖和所述加热基座的间距为第一间距；进行第一清洁后，对所述SACVD腔室进行第二清洁，在所述第二清洁中，所述加热基座靠近SACVD腔室底部，所述腔盖和所述加热基座的间距为第二间距，所述第一间距小于所述第二间距。可选的，所述第一间距比第二间距至少小1/3。可选的，所述加热基座与SACVD腔室底部的间距大于0且小于等于400mil。可选的，在第一清洁和第二清洁中，所述加热基座的温度为500摄氏度～560摄氏度。可选的，在第一清洁和第二清洁中，所述SACVD腔室的压强范围为3torr～40torr。可选的，所述第一清洁和第二清洁采用的清洁气体为氟等离子体。可选的，所述氟等离子体的流量为4000sccm～6000sccm。可选的，产生所述氟等离子体采用的气体为NF3，等离子体化功率为600瓦～1500瓦。可选的，所述腔盖中具有孔状结构，在所述第二清洁中，对所述腔盖进行降温处理。可选的，采用冷却循环水对所述腔盖进行降温处理。可选的，降温处理后，所述腔盖的温度为200摄氏度～300摄氏度。可选的，所述第一清洁采用的腔室压强为第一压强，所述第二清洁采用的腔室压强为第二压强，所述第一压强大于或等于第二压强。可选的，所述第一压强为20torr～40torr；所述第二压强为3torr～10torr。与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下优点：由于在第二清洁之前进行了第一清洁，且第一清洁中的第一间距小于第二清洁中的第二间距，即在第一清洁中所述腔盖和所述加热基座之间的间距小于在第二清洁中所述腔盖和所述加热基座之间的间距，使得在第一清洁中清洁气体能够更多的进入对应第二间距位置的加热基座下方的腔室空间，去除了对应第二间距位置的加热基座下方的腔室空间中的大部分的膜层，即将SACVD腔室底部的大部分的膜层去除，增加了对第一清洁中对SACVD腔室底部的清洁效果，然后通过第二清洁对整个SACVD腔室进行清洁；通过第二清洁将腔壁剩余的膜层和SACVD腔室底部剩余的膜层全部去除；避免由于只采用第二清洁对SACVD腔室清洁导致的当对SACVD腔室底部和腔壁的膜层均去除干净时，对腔壁的刻蚀损伤较大的缺陷。进一步的，所述第一间距比第二间距至少小1/3，若第一间距与第二间距的差值相小于第二间距的1/3，使得第一间距过大，第一清洁中清洁气体进入对应第二间距位置的加热基座下方的腔室空间的量与第二清洁中清洁气体进入对应第二间距位置的加热基座下方的腔室空间的量的差值较小，而设定第一间距比第二间距至少小1/3，使得清洁气体能够充分的进入对应第二间距位置的加热基座下方的腔室空间，进一步增加了第一清洁中对SACVD腔室底部的清洁效果。附图说明图1是SACVD腔室的结构示意图；图2本专利技术第一实施例中SACVD腔室清洁过程的流程图。具体实施方式正如
技术介绍
所述，在现有技术中SACVD腔室的清洁方法，将SACVD腔室底部和腔壁的膜层全部去除干净的同时对腔壁的刻蚀损伤大。针对SACVD腔室的清洁方法进行研究，现有技术中采用一步清洁的工艺对SACVD腔室进行清洁，所述SACVD腔室具有腔盖和位于所述腔盖下方的加热基座；设定所述腔盖和所述加热基座的间距为1990mil～2000mil，腔室压强为2torr～10torr，加热基座的温度为500摄氏度～560摄氏度，然后通入清洁气体对所述SACVD腔室进行清洁。采用上述方法对SACVD腔室清洁时，将SACVD腔室底部和腔壁的膜层全部去除干净的同时对腔壁的刻蚀损伤大，主要原因为：在所述腔盖和所述加热基座的间距为1990mil～2000mil的条件下，所述腔盖和所述加热基座的间距接近SACVD腔室中腔盖和所述加热基座的最大极限间距2000mil，加热基座靠近所述SACVD腔室底部，使得所述加热基座下方的腔室空间很小，导致清洁气体难以充分的进入加热基座下方的腔室空间，导致SACVD腔室底部和腔壁的膜层不能较为同步的去除干净，当将腔壁的膜层完全去除的临界时刻，所述SACVD腔室底部还存在大量的膜层，若增加清洁时间，将所述SACVD腔室底部和腔壁的膜层均全部去除干净，会导致对腔壁的刻蚀损伤。需要说明的是，当所述加热基座与SACVD腔室底部的间距为0且小于等于400mil时，均会存在上述问题。在此基础上，本专利技术提供了一种SACVD腔室的清洁方法，在第二清洁之前进行第一清洁，在第一清洁中所述腔盖和所述加热基座之间的间距小于在第二清洁中所述腔盖和所述加热基座之间的间距，从而将所述SACVD腔室底部和腔壁的膜层去除干净，且减小了对腔壁的刻蚀损伤。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细的说明。第一实施例图1是SACVD腔室的结构示意图；图2本专利技术第一实施例中SACVD腔室清洁过程的流程图。执行步骤S1:提供SACVD腔室，所述SACVD腔室具有腔盖和位于所述腔盖下方的加热基座。图1是SACVD腔室的结构示意图。参考图1，SACVD腔室1具有腔盖101和位于所述腔盖101下方的加热基座103；加热基座103用于在SACVD沉积工艺中放置晶圆104，加热基座103中的加热装置(未图示)对SACVD腔室1进行加温，加热基座103与位于加热基座103下方的移动轴承105连接，移动轴承105通过上下移动来控制加热基座103与腔盖101之间的间距；腔盖101具有边缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SACVD腔室的清洁方法，其特征在于，包括：提供SACVD腔室，所述SACVD腔室具有腔盖和位于所述腔盖下方的加热基座；对所述SACVD腔室进行第一清洁，在所述第一清洁中，所述腔盖和所述加热基座的间距为第一间距；进行第一清洁后，对所述SACVD腔室进行第二清洁，在所述第二清洁中，所述加热基座靠近SACVD腔室底部，所述腔盖和所述加热基座的间距为第二间距，所述第一间距小于所述第二间距。

【技术特征摘要】
1.一种SACVD腔室的清洁方法，其特征在于，包括：提供SACVD腔室，所述SACVD腔室具有腔盖和位于所述腔盖下方的加热基座；对所述SACVD腔室进行第一清洁，在所述第一清洁中，所述腔盖和所述加热基座的间距为第一间距；进行第一清洁后，对所述SACVD腔室进行第二清洁，在所述第二清洁中，所述加热基座靠近SACVD腔室底部，所述腔盖和所述加热基座的间距为第二间距，所述第一间距小于所述第二间距。2.根据权利要求1所述的SACVD腔室的清洁方法，其特征在于，所述第一间距比第二间距至少小1/3。3.根据权利要求1所述的SACVD腔室的清洁方法，其特征在于，所述加热基座与SACVD腔室底部的间距大于0且小于等于400mil。4.根据权利要求1的SACVD腔室的清洁方法，其特征在于，在第一清洁和第二清洁中，所述加热基座的温度为500摄氏度～560摄氏度。5.根据权利要求1的SACVD腔室的清洁方法，其特征在于，在第一清洁和第二清洁中，所述SACVD腔室的压强范围为3torr～40torr。6.根据权利要求1的SACVD腔室的清洁方法，其特征在于，所述第一清...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐建华，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31