Integrated molecular beam epitaxy growth and measurement system, including molecular beam epitaxial growth chamber, sample control rod, a tilt table, the incident light and reflected light, a pair of electromagnets, polarizer, polarizer, laser diode, photoelectric detector, molecular beam epitaxy of Changyuan; molecular beam epitaxial growth. Has a pair of windows, the window is a molecular beam epitaxy system of laser light and emitting light with high transparency, low scattering of optical windows; in situ magnetic optical characterization system installed in the growth system of molecular beam epitaxy chamber; laser diode, optical in situ magnetic characterization system includes generating S line polarized light adjust the linearly polarized light polarizing polarizer; wherein the polarizer polarizer produces incident laser light to the sample surface, wherein the polarizer of light polarization; in situ magnetic optical characterization system comprises a light The detector inputs the signal of outgoing light into the phase locked amplifier, and the sample table is provided with an electromagnet. The sample lever is fixed with an inclined sample stand.
【技术实现步骤摘要】
一种集成生长与测量的分子束外延生长系统
本专利技术属于材料制备
,尤其是磁学、光学相结合的交叉领域,具体涉及到分子束外延生长的磁性薄膜、原位表征技术、表面磁光克尔效应、超高真空系统等。可原位表征分子束外延生长的各种磁性材料、纳米结构和基于磁性材料的器件。
技术介绍
分子束外延生长的磁性薄膜和纳米结构是实现新型物理电子应用的理想平台。在自旋研究方面,磁光克尔效应是分析磁性薄膜最有力而应用广泛的技术之一。它的原理是磁光克尔效应:当一束线偏振光从磁性样品表面反射后,线偏振光的偏振面会发生偏转,偏转的大小与样品的磁性成正比。总的来说,磁光测量基本都在外部或者嵌入系统中进行,但以上两种情况往往需要再在磁性薄膜上覆盖一层非磁性或氧化的保护层,而这些操作会影响薄膜磁性的最终测量结果。出于对探测磁性薄膜本征特性的追求,专利技术了原位磁光表征技术并集成到分子束外延生长系统。
技术实现思路
本专利技术目的是,提出一种集成生长与测量的分子束外延生长系统,将原位磁光表征技术并集成到分子束外延生长系统。不会影响薄膜磁性的最终测量结果,而是得到精确的测量结果。本专利技术的技术方案是,集成生长与测量的分子束外延生长系统,包括分子束外延生长腔室、(2)样品操纵杆、(3)可倾斜的样品台、(4)入射光、(5)反射光、(6)一对电磁铁、(7)偏振片、(8)检偏器、(9)激光二极管、(10)光电探测器、分子束外延的生长源;分子束外延生长腔室上设有一对视窗,这对视窗是分子束外延生长系统上激光入射光和出射光的高透明、对光低散射的视窗;原位磁光表征系统安装在分子束外延生长系统的腔室上;原位磁光表征系 ...
【技术保护点】
集成生长与测量的分子束外延生长系统,其特征是包括分子束外延生长腔室、样品操纵杆(2)、可倾斜的样品台(3)、入射光(4)、反射光(5)、一对电磁铁(6)、偏振片(7)、检偏器(8)、激光二极管(9)、光电探测器(10)、分子束外延的生长源;分子束外延生长腔室上设有一对视窗,这对视窗是分子束外延生长系统上激光入射光和出射光的高透明、对光低散射的视窗;原位磁光表征系统安装在分子束外延生长系统的腔室上;原位磁光表征系统包含产生S型线偏振光的激光二极管、调节线偏振光的起偏偏振片,原位磁光表征系统包含对样品表面反射回的椭偏光即出射光进行探测的检偏器;所述起偏偏振片产生激光入射光射至样品表面,所述检偏器对出射光检偏;原位磁光表征系统包含光电探测器,探测器将出射光的信号输入到锁相放大器;样品台侧设有电磁铁,电磁铁的磁性由电磁铁线圈的电流提供;样品操纵杆与可倾斜的样品台固定。
【技术特征摘要】
1.集成生长与测量的分子束外延生长系统,其特征是包括分子束外延生长腔室、样品操纵杆(2)、可倾斜的样品台(3)、入射光(4)、反射光(5)、一对电磁铁(6)、偏振片(7)、检偏器(8)、激光二极管(9)、光电探测器(10)、分子束外延的生长源;分子束外延生长腔室上设有一对视窗,这对视窗是分子束外延生长系统上激光入射光和出射光的高透明、对光低散射的视窗;原位磁光表征系统安装在分子束外延生长系统的腔室上;原位磁光表征系统包含产生S型线偏振光的激光二极管、调节线偏振光的起偏偏振片,原位磁光...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐永兵,黄大威,吴竞,何亮,刘文卿,陆显扬,张晓倩,
申请(专利权)人:南京大学,
类型:发明
国别省市:江苏,32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。