H桥TEC控制电路制造技术
【技术实现步骤摘要】
H桥TEC控制电路
本专利技术涉及用于光通信中光发射组件的TEC（半导体致冷器）的驱动控制电路，尤其涉及H桥TEC控制电路。
技术介绍
纯金属的热电效应很小，若用一个N型半导体和一个P型半导体代替金属，效应就大得多。接通电源后，上接点附近产生电子-空穴对，内能减小，温度降低，向外界吸热，称为冷端。另一端因电子-空穴对复合，内能增加，温度升高，并向环境放热，称为热端。一对半导体热电元件所产生的温差和冷量都很小，实用的半导体制冷器是由很多对热电元件（半导体晶粒）经并联、串联组合而成，也称热电堆。将这些组合的晶粒上下面覆盖陶瓷片或其它导热的绝缘材料，在通电的状态下，便形成一面吸热、一面放热的效应。温度控制可让EML激光器（电吸收调制激光器）发光芯片的波长锁定在一个固定值，且避免了常规激光器在高低温的波长偏移的问题。EML激光器对温度非常敏感，所以对TEC的要求也相对较高。现有TEC驱动电路多采用H桥来控制TEC两端的电压方向，从而实现加热或制冷，但现有H桥的滤波电路采用对称结构，如图1所示，此种H桥面积大，效率较低。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种简洁、成本低、效率高的H桥TEC控制电路。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：本专利技术提供一种H桥TEC控制电路，包括第一PMOS、第二PMOS、第一NMOS和第二NMOS，所述第一PMOS与第二PMOS的源极连接VCC，第一PMOS的漏极与第一NMOS的源极连接，第二PMOS的漏极与第二NMOS的源极连接，第一NMOS和第二NMOS的漏极接地；其特征在于，还包括一电感与电容，所述电感一端与...
【技术保护点】
一种H桥TEC控制电路，包括第一PMOS（1）、第二PMOS（2）、第一NMOS（3）和第二NMOS（4），所述第一PMOS（1）与第二PMOS（2）的源极连接VCC，第一PMOS（1）的漏极与第一NMOS（3）的源极连接，第二PMOS（2）的漏极与第二NMOS（4）的源极连接，第一NMOS（3）和第二NMOS（4）的漏极接地；其特征在于：还包括一电感（5）与电容（6），所述电感（5）一端与第一PMOS（1）漏极连接，另一端与TEC（7）正端和电容（6）的一端连接，TEC（7）的负端与第二PMOS（2）漏极连接，电容（6）的另一端接地，所述第一PMOS（1）、第二PMOS（2）、第一NMOS（3）和第二NMOS（4）的基极接PWM信号。
【技术特征摘要】
1.一种H桥TEC控制电路，包括第一PMOS（1）、第二PMOS（2）、第一NMOS（3）和第二NMOS（4），所述第一PMOS（1）与第二PMOS（2）的源极连接VCC，第一PMOS（1）的漏极与第一NMOS（3）的源极连接，第二PMOS（2）的漏极与第二NMOS（4）的源极连接，第一NMOS（3）和第二NMOS（4）的漏极接地；其特征在于：还包括一电感（5）与电容（6），所述电感（5）一端与第一PMOS（1）漏极连接，另一端与TEC（7）正端和电容（6）的一端连接，TEC（7）的负端与第二PMOS（2）漏极连接...
【专利技术属性】
技术研发人员：张真波，郑文强，
申请(专利权)人：成都优博创通信技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51
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