一种可弯曲的超大不饱和磁阻材料制备方法及制备的材料技术

本发明专利技术公开了一种新型的材料结构设计，在氟晶云母衬底上生长高质量碲化钨薄膜，获得一种结合了柔性和超大不饱和磁阻性质的新结构。所述碲化钨薄膜是W、Te元素以1:2化学计量比形成的化合物，它是一种半金属材料，具有巨大的不饱和磁电阻，低温下可以达到10

Bendable super large unsaturated magnetic resistance material, preparation method and material prepared thereby

The present invention discloses a new material structure design for growing high quality tungsten telluride film on fluorine crystal mica substrate to obtain a new structure combining flexible and super large unsaturated magnetic resistance property. The tungsten telluride film is a compound formed by 1:2 stoichiometry of W and Te elements, which is a semi metallic material with a large unsaturated magnetic resistance and can reach 10 at low temperature

【技术实现步骤摘要】
一种可弯曲的超大不饱和磁阻材料制备方法及制备的材料
本专利技术属于电子材料
，特别涉及碲化钨(WTe2)应力调控研究和应用，柔性电子学应用、激光分子束外延的薄膜生长方法。
技术介绍
近年来随着电子科技的不断进步，可穿戴设备越来越成为一个热门的研究和应用领域。因而柔性电子学进入人们的视野，这就要求电子学器件能够集成在柔性的基地上。从而对一些有奇特的性质的材料，尝试将其生长在柔性材料上就变得非常有意义。氟晶云母就是一种非常理想的柔性基底，其成本低，绝缘，透明等性质，都使其在电子或者光电子器件上有着潜在的应用价值。碲化钨是一种有着奇特性质的材料，其存在一个直到60T都不饱和的巨大磁阻，所以将其加工成器件，是潜在的磁传感器，具有不可估量的价值。此外，碲化钨材料是一种对晶格结构变化十分敏感的材料，稍微施加一定的压力可以看到对电子结构和电子学性质极大的调控，比方观测到的超导。所以这样特殊的结构体系对于研究和产业都有极大的价值对碲化钨的研究，由来已久。很早之前有对进行热电性质的研究利用。在这一两年内又兴起对其不饱和磁阻性质的探究和利用，2015年Ali等人对碲化钨的块材进行了研究，主要集中在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可弯曲的超大不饱和磁阻材料制备方法，其特征在于：包括步骤：步骤1：将装有新解理的氟晶云母基片的真空腔室抽到4.6±1×10

【技术特征摘要】
1.一种可弯曲的超大不饱和磁阻材料制备方法，其特征在于：包括步骤：步骤1：将装有新解理的氟晶云母基片的真空腔室抽到4.6±1×10-7Pa，并将氟晶云母基片加热到恒定温度300±5℃；步骤2：保持步骤1中的生长条件，采用波长248nm的KrF准分子激光器将激光通过透镜聚焦到碲化钨靶材上，所述碲化钨靶材与激光束的夹角为45°+2°，激光束的平均能量密度为1.5±0.5J/cm2，激光重复频率为1Hz，沉积时间根据选择厚度而决定；步骤3：完成所述碲化钨薄膜生长后，基片温度保持不变，原位退火10min，然后将碲化钨薄膜冷却至室温，即得到超大不饱和磁阻材料。2.根据权利要求1所述的超大不饱和磁阻材料制备方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：王学锋，高明，钮伟，徐永兵，张荣，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32