一种像素结构及显示面板制造技术

本发明专利技术关于像素结构及显示面板，电连接于扫描线与数据线，像素结构包括：第一主干电极；第二主干电极，第二主干电极与第一主干电极垂直相交；主像素电极，主像素电极具有主电极图案；以及，次像素电极，次像素电极具有多个次电极图案，多个次电极图案包括第一次电极图案、第二次电极图案、第三次电极图案以及第四次电极图案，第一次电极图案与第二次电极图案以第一主干电极为中心对称分布于该主电极图案的相对两侧，第三次电极图案与第四次电极图以第二主干电极为中心对称分布于主电极图案的相对另两侧；其中，第一主干电极与第二主干电极位于该像素结构的中间区域，次像素电极的面积占该像素结构的面积的18％‑58％。

Pixel structure and display panel

The present invention relates to a pixel structure and a display panel is electrically connected to the scan line and the data line, the pixel structure comprises a first main electrode; second main electrode, the second electrode and the first electrode main trunk perpendicular; the main pixel electrode and the pixel electrode has a main electrode pattern; and second pixel electrode, the pixel electrode has a plurality of times the electrode pattern, a plurality of electrode pattern includes a first electrode pattern, second electrode pattern, third electrode pattern and fourth electrode pattern on opposite sides of the first electrode pattern and second electrode pattern to the first main electrode as the central symmetry distribution on the main electrode pattern, third electrode pattern and fourth times figure second the main electrode to electrode center symmetrically distributed on the main electrode pattern relative to the other two sides; the first main electrode and the second main power Is located in the middle area of the pixel structure of the pixel electrode area of the pixel structure of the area of the 18% 58%.

【技术实现步骤摘要】
一种像素结构及显示面板
本专利技术属于液晶显示领域，具体涉及一种像素结构及显示面板。
技术介绍
随着信息社会的发展，人们对显示装置的需求得到了快速的增长。为了满足这种需求，以液晶显示装置(LCD：LiquidCrystalDisplay)、等离子体显不器(PDP：PlasmaDisplayPanel)、有机发光显示装置(OLED：OrganicLightEmittingDiode)为代表的显示装置都得到了迅猛地发展。在平板显示装置中，液晶显示装置由于其重量低、体积小、能耗低的优点，正在得到越来越广泛的使用。液晶显示装置包括扭曲向列(TwistedNematic,TN)模式、电子控制双折射(ElectricallyControlledBirefringence,ECB)模式、垂直配向(VerticalAlignment，VA)等多种显示模式，其中，垂直配向(VA)模式是一种具有高对比度、宽视野角、无须摩擦配向制程等优势的常见显示模式。针对垂直配向模式的(VA模式)液晶显示装置而言，其使用负性液晶，在未通电状态时，负性液晶分子垂直于上下基板排列，所以可以得到较好的黑态，实现较高的对比度。而为了得到较好的视角，目前垂直配向模式的液晶显示装置通常采用多畴的方式，这种显示方式被称为"Multi-DomainVerticalAlignmentMode"(MVA模式)。主要通过在彩膜或者阵列基板的表面制作凸起或者狭缝来实现。当对像素施加电压时，这些凸起或者狭缝导致电势面发生崎变，液晶分子就在这种崎变的电场作用下向不同方向取向，从而实现了多畴(Multi-Domain)，如图1所示，现有的垂直配向模式(VA模式)液晶显示装置中的像素单元P一般为4畴(4-Domain)结构，像素单元P包括D1至D4四个区域。但由于垂直配向模式(VA模式)采用垂直转动的液晶，液晶分子双折射率的差异比较大，导致大视角下的色偏(colorshift)问题比较严重。因此，降低色偏是VA模式液晶显示装置的发展要求。针对这个问题，行业内提出了各种解决方法，例如：耦合电容法(也被称为CC方法)、双TFT驱动法(也被称为TT法)、电荷分享法(ChargeSharing)等。以上每种方法都有各自的优缺点，但是其都有一个共同点：都是将原来的一个子像素(Sub-子像素)分为两个部分，其中，一部分称为Main区(主区)，另一部分称为Sub区(次区)，通常Main区小于Sub区。这种设计一般都统称为8畴(8-Domain)设计。目前显示装置的解析度越来越高，在一般解析度的显示面板中，例如：FHD,FullHighDefinition，解析度4K，显示面板的尺吋大于等于55吋，会把显示面板中的一颗子像素分割成Main和Sub两个区域，调整Main区与Sub区的driving电路的电压分配，让Sub区稍晚亮起且亮度稍微低一些，用这样8畴(8-domain)的操作方式减缓显示面板大视角时的侧边泛白。然而，随着解析度逐渐变高、子像素的面积逐渐变小，对8K或55吋以下的4K显示面板中的子像素而言，走线和TFT等元件已经占掉大部分的出光区域，在子像素设计上已经没有余裕再把子像素再分割成Main区与Sub区。如何让高解析度面板中的4畴(4-domain)的小面积子像素也能拥有不会侧边泛白的良好画质，对高解析度面板中的子像素设计非常重要。
技术实现思路
本专利技术提供一种新的像素结构及显示面板，以解决高解析度的垂直配向模式(VA模式)显示面板于大视角边缘泛白影响显示品质的问题。本专利技术的目的之一在于提供一种像素结构，电连接于扫描线与数据线，该像素结构包括：第一主干电极；第二主干电极，该第二主干电极与该第一主干电极垂直相交；主像素电极，该主像素电极具有主电极图案；以及，次像素电极，该次像素电极具有多个次电极图案，该多个次电极图案包括第一次电极图案、第二次电极图案、第三次电极图案以及第四次电极图案，该第一次电极图案与该第二次电极图案以该第一主干电极为中心对称分布于该主电极图案的相对两侧，该第三次电极图案与该第四次电极图以该第二主干电极为中心对称分布于该主电极图案的相对另两侧；其中，该第一主干电极与该第二主干电极位于该像素结构的中间区域，该次像素电极的面积占该像素结构的面积的18％-58％。可选地，该主电极图案包括多个第一条状电极及多个第一狭缝，该第一条状电极与该第一狭缝交替设置，该第一条状电极具有第一线宽，该第一狭缝具有第一狭缝宽度，该第一线宽大于等于该第一狭缝宽度。可选地，该次电极图案包括多个第二条状电极及多个第二狭缝，该第二条状电极与该第二狭缝交替设置，该第二条状电极具有第二线宽，该第二狭缝具有第二狭缝宽度，该第二线宽小于该第二狭缝宽度。可选地，该第一线宽与该第一狭缝宽度的和等于该第二线宽与该第二狭缝宽度的和。可选地，该第一线宽与该第一狭缝宽度的和为第一间距，该第一狭缝宽度占该第一间距的25％至50％。可选地，该第二线宽与该第二狭缝宽度的和为第二间距，该第二狭缝宽度占该第二间距的50％至66％。可选地，该第二狭缝宽度自该像素结构的该中间区域朝向该像素结构的边缘区域逐渐增大。本专利技术的另一目的在于提供一种显示面板，包括相对设置的第一基板与第二基板，以及密封于该第一基板与该第二基板之间的液晶层，该显示面板还包括：像素阵列，该像素阵列设置于该第一基板与该第二基板的其中之一上，且该像素阵列面对该液晶层，该像素阵列包括多个如上所述的像素结构。可选地，该液晶层为选自高分子稳定的负性液晶。可选地，还包括第二电极，该第二电极设置于该第一基板与该第二基板的其中之另一上，且该第二电极面对该液晶层，该第二电极与该多个像素结构形成垂直电场。与现有技术相比，本专利技术提供的像素结构及其显示面板，通过控制像素结构次像素电极相对整个像素结构的面积占比，以及主像素电极的主电极图案与次像素电极的多个次电极图案的狭缝宽度和条状电极的线宽彼此不同，将像素结构划分为多个区域进行控制，此外，通过维持主电极图案中的第一间距与次电极图案中的第二间距相等，即整个像素结构具有单一的间距，以解决显示面板的不同视角上边缘泛白的问题，进而提高显示品质。附图说明图1为现有技术中4畴的像素结构的示意图。图2为本专利技术的显示面板的局部剖面示意图。图3为本专利技术一实施例中的像素结构的示意图。图4A至图4C分别为图3中R1、R2及R3区域的放大示意图。图5为本专利技术另一实施例中的像素结构的示意图。图6A至图6B为图5中R4及R5区域的放大示意图。具体实施方式为使得对本专利技术的内容有更清楚及更准确的理解，现在结合附图详细说明，说明书附图示出本专利技术的实施例的示例，其中，相同的标号表示相同的元件。可以理解的是，说明书附图示出的比例并非本专利技术实际实施的比例，其仅为示意说明为目的，并未依照原尺吋作图。图2为本专利技术的显示面板的局部剖面示意图，图3为本专利技术一实施例中的像素结构的示意图。如图2所示，显示面板100包括相对设置的第一基板10与第二基板20，第一电极层11设置于第一基板10上，第二电极层21设置于第二基板20上，第一电极层11与第二电极层21相对；液晶层30设置于第一基板10与第二基板20之间；第一配向层12覆盖于第一电极层11上，第二配向层22覆盖于第二电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，电连接于扫描线与数据线，其特征在于，该像素结构包括：第一主干电极；第二主干电极，该第二主干电极与该第一主干电极垂直相交；主像素电极，该主像素电极具有主电极图案；以及，次像素电极，该次像素电极具有多个次电极图案，该多个次电极图案包括第一次电极图案、第二次电极图案、第三次电极图案以及第四次电极图案，该第一次电极图案与该第二次电极图案以该第一主干电极为中心对称分布于该主电极图案的相对两侧，该第三次电极图案与该第四次电极图以该第二主干电极为中心对称分布于该主电极图案的相对另两侧；其中，该第一主干电极与该第二主干电极位于该像素结构的中间区域，该次像素电极的面积占该像素结构的面积的18％‑58％。

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，电连接于扫描线与数据线，其特征在于，该像素结构包括：第一主干电极；第二主干电极，该第二主干电极与该第一主干电极垂直相交；主像素电极，该主像素电极具有主电极图案；以及，次像素电极，该次像素电极具有多个次电极图案，该多个次电极图案包括第一次电极图案、第二次电极图案、第三次电极图案以及第四次电极图案，该第一次电极图案与该第二次电极图案以该第一主干电极为中心对称分布于该主电极图案的相对两侧，该第三次电极图案与该第四次电极图以该第二主干电极为中心对称分布于该主电极图案的相对另两侧；其中，该第一主干电极与该第二主干电极位于该像素结构的中间区域，该次像素电极的面积占该像素结构的面积的18％-58％。2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该主电极图案包括多个第一条状电极及多个第一狭缝，该第一条状电极与该第一狭缝交替设置，该第一条状电极具有第一线宽，该第一狭缝具有第一狭缝宽度，该第一线宽大于等于该第一狭缝宽度。3.如权利要求2所述的像素结构，其特征在于，该次电极图案包括多个第二条状电极及多个第二狭缝，该第二条状电极与该第二狭缝交替设置，该第二条状电极具有第二线宽，该第二狭缝具有第二狭缝宽度，该第二线宽小于该第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：鍾介文，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71