一种具有光取出结构的OLED和OLED灯具制造技术

本发明专利技术实施例提供一种具有光取出结构的OLED和OLED灯具，该具有光取出结构的OLED应用于OLED，包括金属电极层，设置于金属电极一侧的发光层，设置于发光层远离所述金属电极层一侧的透明电极层，以及设置于透明电极层远离所述发光层一侧的基板。其中，基板靠近透明电极层的一侧设置有凹凸结构，远离透明电极层的一侧设置有外散射膜层，所述凹凸结构用于实现OLED的内光取出，所述外散射膜层用于实现OLED的外光取出。本发明专利技术实施例能够有效提高光利用率，并避免由于全反射等原因导致光从基板的侧面射出的问题。

OLED and OLED lamps with light extraction structure

The embodiment of the invention provides a light extraction structure with OLED and OLED with the lamp, the light extraction structure of OLED application in OLED, including a metal electrode layer, a light-emitting layer is arranged on the side of the metal electrode, arranged in the light emitting layer from the transparent electrode layer on one side of the metal electrode layer, and the substrate is arranged on the transparent electrode layer away from the side of the light emitting layer. The substrate near the transparent electrode layer is provided with a concave convex structure, one side away from the transparent electrode layer is arranged outside the scattering layer, the concave convex structure for the realization of OLED in the light out, the outer scattering film for the realization of OLED external light extraction. The embodiment of the invention can effectively improve the utilization rate of light and avoid the problem that light is emitted from the side surface of the substrate due to total reflection and other reasons.

【技术实现步骤摘要】
一种具有光取出结构的OLED和OLED灯具
本专利技术涉及OLED
，具体而言，涉及一种具有光取出结构的OLED和OLED灯具。
技术介绍
有机发光二极管(OLED，OrganicLight-EmittingDiode)，是由一层薄而透明且具有半导体特性的铟锡氧化物(ITO)，与电源的正极相连，再加上另一个金属阴极，将有机发光材料包成如三明治的结构。经专利技术人研究发现，现有的OLED在照明时，由于全反射等原因导致从侧面出射的光较多，且侧面射出的光集中在某一些波段，使得从正面发出的光比例很低，且光谱不全，外量子效率很低。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种具有光取出结构的OLED和OLED灯具，通过在基板上设置凹凸结构和外散射膜层，有效减少由于全反射等原因从侧面出射的光，同时，有效提高了光取出效率。本专利技术较佳实施例提供一种具有光取出结构的OLED，包括：金属电极层；设置于所述金属电极层一侧的发光层；设置于所述发光层远离所述金属电极层一侧的透明电极层；以及设置于所述透明电极层远离所述发光层一侧的基板；其中，所述基板靠近所述透明电极层的一侧设置有凹凸结构，远离所述透明电极层的一测设置有外散射膜层，所述凹凸结构用于实现所述OLED的内光取出，所述外散射膜层用于实现所述OLED的外光取出。在本专利技术较佳的实施例中，上述外散射膜层为有机材料层。在本专利技术较佳的实施例中，有机材料层的玻璃化温度小于110℃。在本专利技术较佳的实施例中，所述外散射膜层的厚度为50-500nm。在本专利技术较佳的实施例中，所述外散射膜层为雾化层，所述雾化层的雾度范围为5％-30％。在本专利技术较佳的实施例中，所述凹凸结构的凸起高度大于OLED器件的总厚度，且小于所述基板总厚度的三分之一。在本专利技术较佳的实施例中，所述凹凸结构中的凸起部和凹陷部之间的距离范围为4um-400um。在本专利技术较佳的实施例中，所述凹凸结构的粗糙度小于20nm。在本专利技术较佳的实施例中，所述金属电极、发光层、透明电极层中至少有一层与所述基板有相同的凹凸结构。本专利技术较佳实施例还提供一种OLED灯具，所述OLED灯具包括上述的具有光取出结构的OLED。与现有技术相比，本专利技术提供的具有光取出结构的OLED和OLED灯具，通过在基板靠近透明电极层的一侧设置凹凸结构，以及在基板的出光面设置外散射膜层，能够有效减少由于全反射等原因从侧面出射的光，同时，有效提高了光取出效率，且本专利技术结构简单，易于实现。附图说明为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例只是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。在本专利技术的描述中，术语“第一、第二、第三、第四等仅用于区分描述，而不能理解为只是或暗示相对重要性。在本专利技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。图1为本专利技术实施例提供的一种具有光取出结构的OLED的结构示意图。图2为本专利技术实施例提供的一种具有光取出结构的OLED的另一结构示意图。图3为图2所示的基板的截面结构示意图。图4为图2所示的基板的另一截面结构示意图。图标：10-具有光取出结构的OLED；110-金属电极层；120-发光层；130-透明电极层；140-基板；142-凹凸结构；1422-凸起部；1424-凹陷部；144-外散射膜层；1442-结晶体。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。请参阅图1，为本专利技术实施例提供的一种具有光取出结构的OLED10的结构示意图，该具有光取出结构的OLED10包括金属电极层110、发光层120、透明电极层130和基板140，。所述发光层120设置于所属金属电极层110的一侧，所述透明电极层130设置于所述发光层120远离所述金属电极层110的一侧，所述基板140设置于透明电极层130远离所述发光层120的一侧。其中，如图2和图3所示，所述基板140的两侧分别设置有凹凸结构142和外散射膜层144，所述凹凸结构142位于所述基板140靠近所述透明电极层130的一侧，所述外散射膜层144位于所述基板140的出光面。进一步地，该OLED的发光原理是通过金属电极层110、和透明电极层130之间蒸镀非常薄的发光层120，由正负载流子注入有机半导体薄膜后复合产生发光。其中，所述金属电极层110即该OLED的阴极，所述透明电及层即该OLED的阳极。其中，所述金属电极层110即所述具有光取出结构的OLED10的阴极，在选择所述金属电极层110的制作材料时，为了增加元件的发光效率，电子的注入通常需要低功函数(Lowworkfunction)的Ag、Al、Ca、In、Li与Mg等金属，或低功函数的复合金属来制作阴极，例如：Mg-Ag镁银合金。应理解，在本专利技术实施例中，对所述金属电极层110的具体材料不作限制。进一步地，所述透明电极层130即所述具有光取出结构的OLED10的阳极。在选择所述金属电极层110的制作材料时，应注意，材料本身必需是具高功函数(Highworkfunction)与可透光性，因此，可选用具有4.5eV-5.3eV的高功函数、性质稳定且透光的ITO透明导电膜。应理解，在本专利技术实施例中，对所述透光电极层的具体材料不作限制。进一步地，所述发光层120为有机发光层120，该有机发光层120的材料须具备固态下有较强萤光、载子传输性能好、热稳定性和化学稳定性佳、量子效率高且能够真空蒸镀的特性，一般有机发光层120的材料使用通常与电子传输层或电洞传输层所采用的材料相同，例如Alq被广泛用于绿光，Balq和DPVBi则被广泛应用于蓝光。一般而言，OLE本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有光取出结构的OLED，其特征在于，包括：金属电极层；设置于所述金属电极层一侧的发光层；设置于所述发光层远离所述金属电极层一侧的透明电极层；以及设置于所述透明电极层远离所述发光层一侧的基板；其中，所述基板靠近所述透明电极层的一侧设置有凹凸结构，远离所述透明电极层的一测设置有外散射膜层，所述凹凸结构用于实现所述OLED的内光取出，所述外散射膜层用于实现所述OLED的外光取出。

【技术特征摘要】
1.一种具有光取出结构的OLED，其特征在于，包括：金属电极层；设置于所述金属电极层一侧的发光层；设置于所述发光层远离所述金属电极层一侧的透明电极层；以及设置于所述透明电极层远离所述发光层一侧的基板；其中，所述基板靠近所述透明电极层的一侧设置有凹凸结构，远离所述透明电极层的一测设置有外散射膜层，所述凹凸结构用于实现所述OLED的内光取出，所述外散射膜层用于实现所述OLED的外光取出。2.根据权利要求1所述的具有光取出结构的OLED，其特征在于，所述外散射膜层为有机材料层。3.根据权利要求2所述的具有光取出结构的OLED，其特征在于，所述有机材料层的玻璃化温度小于110℃。4.根据权利要求1所述的具有光取出结构的OLED，其特征在于，所述外散射膜层的厚度为50-500nm。5.根据权利要求1所述的具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：祝晓钊，冯敏强，廖良生，
申请(专利权)人：江苏集萃有机光电技术研究所有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32