The utility model discloses a lamp voltage buffer circuit based on optical touch control system is mainly composed of a control chip U, M electrodes, field effect transistor MOS, a triode VT1, a triode VT2, bidirectional thyristor V, diode D3, photosensitive resistance RL, and the electrode end end and control chip the U TRIG pins are connected, and the other end of the electrode M connected resistor R etc.. The utility model only in low light night corridor when touched when the lights will be lit and HL, in the daytime brightness corridor bright enough, while HL does not touch the touch lights are lit, and the utility model is a good solution in the daytime inadvertently touch after the lamp is lit, causing great the waste of electric energy problems, good save energy.
【技术实现步骤摘要】
一种基于电压缓冲电路的照明灯用光控触摸式控制系统
本技术为一种控制系统,具体是指一种基于电压缓冲电路的照明灯用光控触摸式控制系统。
技术介绍
照明灯不仅能给人们带来光明,它还是人们的另一双眼睛,因此人们的生活中离不开它,在人们生活中的每一个角落都有它的存在,比如在房间、厨房、楼道、马路上等地方都有它的存在。随着科技的不断发展,人们对照明灯的控制方式,照明灯在节能方面的要求也越来越高,因此不少企业对照明灯的开启与关闭的方式进行了不断的改进,并由最初的拉线式和按键式开关控制方式,改进为触摸式、声控式、光控式和声光控制式照明灯控制系统来对照明灯的开启与关闭进行控制,而其中的触摸式控制系统被人们广泛的使用于对楼道的照明控制中。然而,现有的触摸式控制系统存在不能根据照明灯使用环境的自然光亮度对照明灯的开启与关闭进行控制,导致在照明灯白天被误触后照明灯也还被点亮,造成电能的极大浪费,不能很好的满足人们对节能的要求。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有的触摸式控制系统在白天被误触摸时,也会开启照明灯的缺陷,提供一种基于电压缓冲电路的照明灯用光控触摸式控制系统。本技术的目的通过下述技术方案实现:一种基于电压缓冲电路的照明灯用光控触摸式控制系统,主要由控制芯片U,电极片M,场效应管MOS,三极管VT1,三极管VT2,双向晶闸管V,负极与三极管VT1的发射极相连接后接地、正极经电阻R3后与场效应管MOS的栅极相连接的极性电容C1,一端与三极管VT1的基极相连接、另一端与场效应管MOS的漏极相连接后接地的电阻R2,P极与场效应管MOS的源极相连接、N极与三极管VT1的集电极相连接的 ...
【技术保护点】
一种基于电压缓冲电路的照明灯用光控触摸式控制系统,其特征在于:主要由控制芯片U,电极片M,场效应管MOS,三极管VT1,三极管VT2,双向晶闸管V,负极与三极管VT1的发射极相连接后接地、正极经电阻R3后与场效应管MOS的栅极相连接的极性电容C1,一端与三极管VT1的基极相连接、另一端与场效应管MOS的漏极相连接后接地的电阻R2,P极与场效应管MOS的源极相连接、N极与三极管VT1的集电极相连接的二极管D1,一端与三极管VT1的集电极相连接、另一端与二极管D1的N极相连接后接地的可调电阻R1,一端与二极管D1的N极相连接、另一端与场效应管MOS的栅极相连接的电阻R4,正极与场效应管MOS的栅极相连接、负极与双向晶闸管V的第二阳极相连接的极性电容C2,N极经极性电容C4后与三极管VT2的基极相连接、P极与双向晶闸管V的第一阳极相连接的稳压二极管D2,正极经电阻R7后与三极管VT2的基极相连接、负极与三极管VT2的集电极相连接的极性电容C5,负极与稳压二极管D2的N极相连接、正极与稳压二极管D2的P极共同形成控制系统的输入端的极性电容C3,一端与极性电容C3的正极相连接、另一端与稳压二极管 ...
【技术特征摘要】
1.一种基于电压缓冲电路的照明灯用光控触摸式控制系统,其特征在于:主要由控制芯片U,电极片M,场效应管MOS,三极管VT1,三极管VT2,双向晶闸管V,负极与三极管VT1的发射极相连接后接地、正极经电阻R3后与场效应管MOS的栅极相连接的极性电容C1,一端与三极管VT1的基极相连接、另一端与场效应管MOS的漏极相连接后接地的电阻R2,P极与场效应管MOS的源极相连接、N极与三极管VT1的集电极相连接的二极管D1,一端与三极管VT1的集电极相连接、另一端与二极管D1的N极相连接后接地的可调电阻R1,一端与二极管D1的N极相连接、另一端与场效应管MOS的栅极相连接的电阻R4,正极与场效应管MOS的栅极相连接、负极与双向晶闸管V的第二阳极相连接的极性电容C2,N极经极性电容C4后与三极管VT2的基极相连接、P极与双向晶闸管V的第一阳极相连接的稳压二极管D2,正极经电阻R7后与三极管VT2的基极相连接、负极与三极管VT2的集电极相连接的极性电容C5,负极与稳压二极管D2的N极相连接、正极与稳压二极管D2的P极共同形成控制系统的输入端的极性电容C3,一端与极性电容C3的正极相连接、另一端与稳压二极管D2的N极相连接的电阻R5,P极与极性电容C3的负极相连接、N极与极性电容C5的正极相连接的二极管D3,正极经电阻R8后与极性电容C5的正极相连接、负极与控制芯片U的THRE管脚相连接的极性电容C7,一端与极性电容C7的负极相连接、另一端与二极管D3的N极...
【专利技术属性】
技术研发人员:梁毅,俞德军,
申请(专利权)人:成都赛昂电子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:四川,51
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