一种用于开关电源的自适应吸收系统及开关电源技术方案

本实用新型专利技术公开了一种开关电源及用于开关电源的自适应吸收系统，该系统包括：用于采集当前运行状态下开关电源的状态信号的信号采集装置，与采集装置连接的信号转换装置，与信号转换装置连接的控制器，与控制器连接的驱动电路，以及与驱动电路连接的吸收回路。由此可见，本系统以开关电源的当前运行状态的状态信号作为目标吸收深度量的调节依据，因此，该目标吸收深度量不是固定的，而是与当前状态信号有关，并且是随着状态信号的改变而改变。以此，无论开关电源处于何种运行状态，对应的吸收回路的吸收深度也都是与当前状态相适应的，从而能够降低开关电源中晶体管电应力问题的风险，提高了开关电源的稳定性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种用于开关电源的自适应吸收系统及开关电源
本技术涉及电子
，特别是涉及一种用于开关电源的自适应吸收系统及开关电源。
技术介绍
目前电子设备和器件失效的原因有50％以上是由开关电源在不同工作使用状态下致电源开关器件(如晶体管)，电应力不符合规格要求所引起。作为开关电源中转换与传递能量的变压器，无法实现“零”漏感的情况，此漏感在开关电源工作时会产生一定的能量，如果处理不好会在不同工作使用状态时影响开关电源晶体管电应力及其效率，严重的会使管子击穿损坏，经常会引起故障，对开关电源所在系统的可靠性构成威胁，影响正常使用。现有技术中比较成熟的开关电源的吸收回路都是单一固定的，无论输入电压高低，负载功率大小、电压大小、电流大小，环境温度高低，其吸收回路都是不能随外界参数变化而变化的，尤其是在恶劣环境下工作，固定模式的吸收回路有可能会造成开关电源中晶体管电应力问题。由此可见，如何提高开关电源在不同工作状态下的适应能力是本领域技术人员亟待解决的问题。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种用于开关电源的自适应吸收系统及开关电源，用于提高开关电源在不同工作状态下的适应能力。为解决上述技术问题，本技术提供一种用于开关电源的自适应吸收系统，包括：用于采集当前运行状态下所述开关电源的状态信号的信号采集装置，与所述采集装置连接，用于将所述状态信号进行转换的信号转换装置，与所述信号转换装置连接，用于生成与所述状态信号对应的目标吸收深度量的控制器，与所述控制器连接的驱动电路，以及与所述驱动电路连接，用于通过所述驱动电路接收所述目标吸收深度量的吸收回路；其中，所述吸收回路的输出端与所述开关电源的电源开关器件连接。优选地，还包括：与所述电源开关器件和所述控制器连接，用于采集所述电源开关器件的电应力信号的反馈回路。优选地，所述吸收回路具体包括N沟道MOSFET、与所述N沟道MOSFET并联连接的第一电阻，以及与所述第一电阻串联的第一电容；其中，所述N沟道MOSFET的栅极与所述驱动电路连接，所述N沟道MOSFET的源极与所述第一电阻的第二端和所述第一电容的第一端连接，所述N沟道MOSFET的漏极与所述第一电阻的第一端连接，并作为所述吸收回路的第一输出端与所述电源开关器件的第一端连接，所述第一电阻的第二端与所述第一电容的第一端连接，所述第一电容的第二端作为所述吸收回路的第二端与所述电源开关器件的第二端连接；其中，所述电源开关器件为晶体管。优选地，所述吸收回路具体包括与所述驱动电路连接的功率模块，与所述功率模块并联连接的第二电容，以及二极管；其中，所述电源开关器件包括晶体管，所述功率模块的控制端与所述驱动电路连接，所述功率模块的第一端和所述第二电容的第一端连接，所述功率模块的第二端与所述第二电容的第二端连接，所述第二电容的第二端还与所述二极管的阴极连接，所述二极管的阳极与所述晶体管的漏极连接，所述第二电容的第一端还与所述晶体管的源极和所述功率模块连接。优选地，所述功率模块为可调电阻器。优选地，所述信号采集装置包括用于采集当前环境信号的温度传感器或湿度传感器。优选地，所述信号采集装置包括用于采集所述开关电源的输入参数的第一电流传感器和/或第一电压传感器。优选地，所述信号采集装置包括用于采集所述开关电源的输出参数的第二电流传感器和/或第二电压传感器。优选地，所述控制器为MCU控制器。为解决上述技术问题，本技术提供一种开关电源，包括电源开关器件，还包括上述所述的用于开关电源的自适应吸收系统。本技术所提供的用于开关电源的自适应吸收系统，包括：用于采集当前运行状态下开关电源的状态信号的信号采集装置，与采集装置连接，用于将状态信号进行转换的信号转换装置，与信号转换装置连接，用于生成与状态信号对应的目标吸收深度量的控制器，与控制器连接的驱动电路，以及与驱动电路连接，用于通过驱动电路接收目标吸收深度量的吸收回路。由此可见，本系统以开关电源的当前运行状态的状态信号作为目标吸收深度量的调节依据，因此，该目标吸收深度量不是固定的，而是与当前状态信号有关，并且是随着状态信号的改变而改变。以此，无论开关电源处于何种运行状态，对应的吸收回路的吸收深度也都是与当前状态相适应的，从而能够降低开关电源中晶体管电应力问题的风险，提高了开关电源的稳定性和可靠性。此外，本技术所提供的开关电源包括用于开关电源的自适应吸收系统，效果如上所述。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例，下面将对实施例中所需要使用的附图做简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术提供的一种用于开关电源的自适应吸收系统的结构图；图2为本技术另一实施例提供的一种用于开关电源的自适应吸收系统的结构图；图3为本技术实施例提供的一种吸收回路的结构图；图4为本技术另一实施例提供的一种吸收回路的结构图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护范围。本技术的核心是提供一种用于开关电源的自适应吸收系统及开关电源。为了使本
的人员更好地理解本技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步的详细说明。图1为本技术提供的一种用于开关电源的自适应吸收系统的结构图。如图1所示，用于开关电源的自适应吸收系统包括：用于采集当前运行状态下开关电源的状态信号的信号采集装置10，与采集装置10连接，用于将状态信号进行转换的信号转换装置11，与信号转换装置11连接，用于生成与状态信号对应的目标吸收深度量的控制器12，与控制器12连接的驱动电路13，以及与驱动电路13连接，用于通过驱动电路13接收目标吸收深度量的吸收回路14；其中，吸收回路14的输出端与开关电源的电源开关器件连接。在具体实施中，信号采集装置10采集当前运行状态下，开关电源的各个状态信号，以这些状态信号作为目标吸收深度量的基准，可以理解的是，控制器12如何根据这些状态信号计算出目标吸收深度量可以采用现有技术中的算法，只不过本技术中这些状态信号是实际测量得到的，换句话说，本技术中的目标吸收深度量是在线计算的，因此，对应的目标吸收深度量也会随着状态信号的改变而改变。可以理解的是，信号转换装置11的对状态信号进行转换以得到控制器12能够识别的信号。例如，当信号采集装置10采集的是模拟信号，且控制器12能够识别的信号为数字信号时，信号转换装置11可以为A/D转换器。驱动电路13是将控制器12输出的目标吸收深度量发送至吸收回路14，因此吸收回路14在得到驱动信号的同时也得到了目标吸收深度量，然后根据目标吸收深度量进行能量吸收。可以理解的是，吸收回路14可以是现有技术中的吸收回路，只不过，现有技术中的吸收回路14是以一个固定的吸收深度量作为输入进行能量吸收，本技术中，吸收回路14是以一个动态变化的吸收深度量作为输入进行能量吸收。本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于开关电源的自适应吸收系统，其特征在于，包括：用于采集当前运行状态下所述开关电源的状态信号的信号采集装置，与所述采集装置连接，用于将所述状态信号进行转换的信号转换装置，与所述信号转换装置连接，用于生成与所述状态信号对应的目标吸收深度量的控制器，与所述控制器连接的驱动电路，以及与所述驱动电路连接，用于通过所述驱动电路接收所述目标吸收深度量的吸收回路；其中，所述吸收回路的输出端与所述开关电源的电源开关器件连接。

【技术特征摘要】
1.一种用于开关电源的自适应吸收系统，其特征在于，包括：用于采集当前运行状态下所述开关电源的状态信号的信号采集装置，与所述采集装置连接，用于将所述状态信号进行转换的信号转换装置，与所述信号转换装置连接，用于生成与所述状态信号对应的目标吸收深度量的控制器，与所述控制器连接的驱动电路，以及与所述驱动电路连接，用于通过所述驱动电路接收所述目标吸收深度量的吸收回路；其中，所述吸收回路的输出端与所述开关电源的电源开关器件连接。2.根据权利要求1所述的用于开关电源的自适应吸收系统，其特征在于，还包括：与所述电源开关器件和所述控制器连接，用于采集所述电源开关器件的电应力信号的反馈回路。3.根据权利要求1所述的用于开关电源的自适应吸收系统，其特征在于，所述吸收回路具体包括N沟道MOSFET、与所述N沟道MOSFET并联连接的第一电阻，以及与所述第一电阻串联的第一电容；其中，所述N沟道MOSFET的栅极与所述驱动电路连接，所述N沟道MOSFET的源极与所述第一电阻的第二端和所述第一电容的第一端连接，所述N沟道MOSFET的漏极与所述第一电阻的第一端连接，并作为所述吸收回路的第一输出端与所述电源开关器件的第一端连接，所述第一电阻的第二端与所述第一电容的第一端连接，所述第一电容的第二端作为所述吸收回路的第二端与所述电源开关器件的第二端连接；其中，所述电源开关器件为晶体管。4.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙成东，甘旭，
申请(专利权)人：东莞铭普光磁股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44