本实用新型专利技术公开了一种用于反激式开关电源的无损吸收电路，包括一上端管脚与变压器初级线圈串联的开关管、一连接在开关管控制脚的用于控制开关管工作的控制芯片及一由第一电感、第一二极管、第一电容和第二二极管构成的无损吸收回路，还包括一由第一电感、第三二极管和第二电容构成的用于吸收无损吸收回路产生的能量并给控制芯片提供辅助电源的供电回路，该供电回路的第三二极管的正负极端分别连接在无损吸收回路中第一电感与第一二极管之间的结点及控制芯片的电源输入端ＶＤＤ上，所述第二电容的两端分别连接在控制芯片的电源输入端ＶＤＤ和直流电源ＶＤＣ的负极端上。本电路充分利用无损吸收电路中的能量，节省了辅助电源，并消除了无损吸收电路应用中的限制条件。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种用于反激式开关电源的集无损吸收和辅助电源 为一体的电路。
技术介绍
基本的反激式电源电路(见图l)，在反激式开关电源中，由于变压器漏感的存在及其它分布参数的影响，在电源工作中开关管Q1的关断瞬间会 产生很大的尖峰电压Vdamp，见图2开关管Ql关断过程中漏极的电压波形。 这个尖峰电压Vclamp严重威胁着开关管Ql的正常工作，影响整个系统的运 行稳定和安全，并产生EMI问题，必须采取措施对其进行柑位或者吸收。 目前，有很多种方法可以实现这个目的，其中的RCD吸收装置以其结构简 单，成本低廉的特点而得以广泛应用，如图3为RCD吸收基本电路，图中 阴影部分为RCD吸收部分，Lpril为变压器初级电感，Llr为变压器漏感。 该装置工作过程如下当控制器控制开关管M1导通时，变压器初级线圈 Lpril、变压器漏感Llr中的电流逐渐增加，能量存储在变压器初级电感Lpril 和变压器漏感Llr中；当开关管M1关闭时，Lpril中的能量将转移到副边输 出，但变压器漏感Llr中的能量不会传递到副边，如果没有RCD吸收装置， 变压器漏感Ll沖的能量5LlZ(L指漏感，I指开关管关断前流过的最大电流) 将会在开关管M1关断瞬间转移到开关管M1的漏源极间电容和开关管M1 漏级的杂散电容中，这个能量被分布电容吸收，根据电容中的能量规则5cu2，因为这些分布电容的容量非常小，所以分布电容会产生非常高的电压，从而使开关管M1的漏极产生非常高的尖峰电压，即图2中的Vclamp。而开关管Ml承受的电压应力为Vc+Vor+Vin，其中Vc为电容上产生的尖峰 Np电压，Vor=^Vout， Np:初级线圈匝数，Ns:次级线圈距数，Vout:输出 电压。若加上RCD吸收装置后，其中的电容C2容量远大于分布电容，变 压器漏感Llr中的大部分能量将在开关管Ml关断瞬间转移到柑位电路的柑 位电容C2上，根据电容储能的公式，能量不变的情况下，电容C和电压的 平方112成反比，所以容量大的电容产生的尖峰电压较低，然后这部分能量 被柑位电阻RO消耗，为下次吸收做准备，这样在开关管M1关断过程中就 大大减少了开关管M1的电压应力。如上所述，RCD吸收装置缓解开关管M1的高压应力，是通过把变压 器漏感Llr能量消耗在柑位电阻R0上来完成的，这造成了这一部分能量的 浪费，在吸收漏感能量时要得到较好的吸收效果，即让尖峰电压Vclamp 的尖峰较小，这样就的使柑位电容C2的取值要足够大，并且要把每次吸 收的能量由柑位电阻R0消耗了，由于柑位电容C2的能量为 Wc"CU2^^C2n^clamp2，所以要取得越好的效果电容C2的取值就偏大， 这样损耗越多。为了减少功率损失，还可以使用如图4所示的无损吸收电 路。如图4所示的无损吸收电路也是把对开关管M2关断时由变压器漏感 的能量吸收起来，并回馈到输入或者输出中，该装置工作过程如下当控 制器控制开关管M2关断时，开关管M2的漏极电压迅速上升，电容C3 开始充电，吸收漏感中的能量，减缓开关管M2漏极的dV/dT。电容C3 充电一直到开关管M2关断后漏感的能量被吸收完为止，此时电容C3两端电压A点为正，B点为负，稳定后电容C3两端的电压值为VOR，当控 制器控制开关管M2再次开通后，电容C3的右端引脚A点的电位下降为 0，由于电容C3左端比右端的电压高，其电压差为VOR，所以开关管M2 刚开通时，电容C3左端引脚的电压下降为-VOR，引起D4导通，那么电 容C3通过二极管D4和电感L1形成谐振，能量在电感L1和电容C3之间 发生转移，能量先由电容C3放电转移至电感L1，由于电感L1电流的可 持续性，电容C3放电完成后再由电感L1释放能量对C3充电，直至电感 Ll中的能量再次转移到电容C3，经过谐振过程的半个周期，电容C3上的 电压由+VOR转化为0再转化为-VOR，如图6、 7所示为无损吸收电路在 开关管导通时LC谐振半个周期的电容C3、电感L1上的电压变化过程， 也就是说在开关管导通电感L1，电容C3半个谐振周期后，电容C3的电 压改变了方向，为下次吸收漏感能量做准备，此时电容C3充电完成后其 两端的电压情况为A为负，B为正。由于二极管的单向导通性，二极管 D4截止，能量保存在电容C3中。当开关管M2再次关断时，当B点电压 大于输入电压时，二极管D5导通，电容C3放电，其中的能量回馈到变压 器线圈中，当电容C3中的能量释放完毕后再次对其充电，吸收变压器漏 感中的能量，随着控制器的控制动作，无损吸收电路重复这样的周期。在 吸收电路中多为非耗能器件，不产生损耗，只在二极管D4，开关管M2 以及其他一些寄生元件上产生少量的能量损失。由于无损吸收电路不产生 能量损耗，所以可以用更大的吸收电容C3来缓冲开关过程，减小EMI干 扰，有利系统的稳定，并且最大限度的减少了能量损耗。无损吸收电路有很多优点但目前还无法普及使用，是因为其使用需要 有限制条件，在前面的分析过程中，电容C3的电压在开关管M2开通后从A正B负转到B正A负需要一个时间过程，为电容C3和电感L1的谐 振周期的一半，要求开关管的导通时间大于这个时间，如果开关管不能 满足这个要求，开关管M2在电容C3和电感L1之间能量转化完成之前关 闭，那么电容C3、电感L1的谐振回路被关闭，那么电感L1的能量还没 有完全转移至电容C3，造成电感L1中有能量累积，由于电感L1上的电 流不能瞬间为零，造成电感L1能量无处释放，电感L1上会形成很大的冲 击电压，从而容易造成对开关管M2等器件击穿或毁坏。由于反激式变换 器通过控制芯片或控制电路控制开关管M2的开通与关断，当次级负载变 化使得开关管M2导通时间需求不一致，大部分控制芯片组成的反激式开 关电源在不同工作过程不能全部保证这个条件，所以无法使用这个无损吸 收电路。另一方面，在反激式开关电源中，通常需在变压器中增加辅助线 圈来解决控制芯片的供电问题，如图7所示，辅助线圈Las与初级线圈Lpri4 同相，作为辅助电源来给控制电路供电。辅助线圈Las可以与初级线圈 Lpri4同相，也可以和它反相。开关管M3开关一次，则辅助线圈给电容 C4供电一次，反复补充能量，以保证控制模块工作电源在正常的工作区间 内。
技术实现思路
本技术的目的是为了克服现有技术的不足，提供一种用于反激式 开关电源的无损吸收电路，它能在发挥无损吸收装置优点的同时，充分利 用无损吸收电路中的能量，节省了辅助电源，简化了电路，减小了损耗。实现上述目的技术方案是 一种用于反激式开关电源的无损吸收电 路，包括一上端管脚与变压器初级线圈串联的开关管M2、 一连接在开关 管M2控制脚的用于控制开关管M2工作的控制芯片及一由第一电感 LOA、第一二极管D0、第一电容C0和第二二极管D1构成的用于吸收开关管M2在关断瞬间产生的尖峰电压的无损吸收回路，该无损吸收回路中 的第二二极管Dl、第一二极管DO和第一电感LOA依次串联连接后与串 联连接的变压器初级线圈和开关管M2并联后连接在直流电源VDC的正 负两极端上，所述第一电容CO的两端分别连接在第一二极管DO和第二二 极管Dl之间的结点及变压器初级线圈和开关管上端管脚之间的结点上， 还包括一由第一电感LO本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于反激式开关电源的无损吸收电路，包括一上端管脚与变压器初级线圈串联的开关管Ｍ２、一连接在开关管Ｍ２控制脚的用于控制开关管Ｍ２工作的控制芯片及一由第一电感ＬＯＡ、第一二极管Ｄ０、第一电容Ｃ０和第二二极管Ｄ１构成的用于吸收开关管Ｍ２在关断瞬间产生的尖峰电压的无损吸收回路，该无损吸收回路中的第二二极管Ｄ１、第一二极管Ｄ０和第一电感ＬＯＡ依次串联连接后与串联连接的变压器初级线圈和开关管Ｍ２并联后连接在直流电源ＶＤＣ的正负两极端上，所述第一电容Ｃ０的两端分别连接在第一二极管Ｄ０和第二二极管Ｄ１之间的结点及变压器初级线圈和开关管Ｍ２上端管脚之间的结点上，其特征在于，还包括一由第一电感ＬＯＡ、第三二极管Ｄ２和第二电容Ｃ１构成的用于吸收无损吸收回路产生的能量并给控制芯片提供辅助电源的供电回路，该供电回路的第三二极管Ｄ２的正负极端分别连接在无损吸收回路中第一电感ＬＯＡ与第一二极管Ｄ０之间的结点及控制芯片的电源输入端ＶＤＤ上，所述第二电容Ｃ１的两端分别连接在控制芯片的电源输入端ＶＤＤ和工作地端上，该工作地端为直流电源ＶＤＣ的负极端。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：喻明凡，任善华，林新春，
申请(专利权)人：上海辰蕊微电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]
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