一种IGBT饱和压降检测电路制造技术

本发明专利技术涉及电机驱动领域，特别涉及一种IGBT饱和压降检测电路。本发明专利技术提供的IGBT饱和压降检测电路可通过设置第一二极管D1和第一稳压二极管ZD1值决定报警电压阈值，同时通过第四电阻R4和第一电容C1调整报警时间，只有超过阈值的极间电压存在时间超过报警时间，本电路的输出端口才会输出报警信号至控制器（如驱动光耦）。

IGBT saturation voltage drop detecting circuit

The invention relates to the field of motor drive, in particular to a IGBT saturation voltage drop detecting circuit. IGBT saturation voltage detection circuit provided by the invention can be set through the first diode D1 and a zener diode ZD1 first voltage threshold value determines alarm, at the same time through the fourth resistor R4 and capacitor C1 first adjust the alarm time, only exceeded the threshold voltage of time exceeds the alarm time, the output port can output the alarm signal to the controller circuit (as driver).

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT饱和压降检测电路
本专利技术涉及电机驱动领域，特别涉及一种IGBT饱和压降检测电路。
技术介绍
现有技术中，IGBT是伺服电机驱动电路中必不可少的开关器件，但是由于IGBT的固有特性，如果对IGBT采用硬关断方式，在关断瞬间其C极、E极极间电压会出现飙高至额定值以上数倍，这对器件安全造成了极大的危害，由此通常需要有专门的压降检测电路对IGBT的CE极间电压进行检测，同时，由于极短时间内的极间电压飙高是可以忍受的，因此需要对电压飙高时间进行评估，只有超出时间阈值的电压飙高才需要控制器件做出反应。
技术实现思路
本专利技术的目的在于可以检测IGBT在关断时CE极间电压值，且可具有报警时间设定功能的饱和压降检测电路。为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供了以下技术方案：一种IGBT饱和压降检测电路，包括第一端口及第二端口，所述第一端口及第二端口分别与被控IGBT的集电极、射极连接，用于检测被控IGBT的集电极与射极之间的极间电压；还包括，第一二极管D1、第二二极管D2、第一稳压二极管ZD1、第二稳压二极管ZD2、第三电阻R3、第四电阻R4及第一电容C1；所述第一二极管D1的负极与第一端口、第二端口连接，正极与第一稳压二极管ZD1的正极连接，第一稳压二极管ZD1的负极与第三电阻R3的第一端连接；所述第三电阻R3的第二端通过第四电阻R4与IGBT驱动电路的输出端连接；同时，所述第三电阻R3还通过并接的第一电容C1、第二二极管D2、第二稳压二极管ZD2接地；其中，第一电容C1与第三电阻R3连接的一端为检测电路的输出端口。本电路中，第一二极管D1和第一稳压二极管ZD1共同决定IGBT的CE极间电压报警阈值，而第四电阻R4、第一电容C1共同决定报警时间。与现有技术相比，本专利技术的有益效果：本专利技术提供的IGBT饱和压降检测电路可通过设置第一二极管D1和第一稳压二极管ZD1值决定报警电压阈值，同时通过第四电阻R4和第一电容C1调整报警时间，只有超过阈值的极间电压存在时间超过报警时间，本电路的输出端口才会输出报警信号至控制器（如驱动光耦）。附图说明：图1为本专利技术实施例中饱和压降检测电路电路图。具体实施方式下面结合附图及具体实施例对本专利技术作进一步的详细描述。但不应将此理解为本专利技术上述主题的范围仅限于以下的实施例，凡基于本
技术实现思路
所实现的技术均属于本专利技术的范围。实施例1：如图1所示，本实施例提供一种IGBT饱和压降检测电路，包括第一端口及第二端口，所述第一端口及第二端口分别与被控IGBT的集电极、射极连接，用于检测被控IGBT的集电极与射极之间的极间电压；还包括，第一二极管D1、第二二极管D2、第一稳压二极管ZD1、第二稳压二极管ZD2、第三电阻R3、第四电阻R4及第一电容C1；所述第一二极管D1的负极与第一端口、第二端口连接，正极与第一稳压二极管ZD1的正极连接，第一稳压二极管ZD1的负极与第三电阻R3的第一端连接；所述第三电阻R3的第二端通过第四电阻R4与IGBT驱动电路的输出端连接；同时，所述第三电阻R3还通过并接的第一电容C1、第二二极管D2、第二稳压二极管ZD2接地；其中，第一电容C1与第三电阻R3连接的一端为检测电路的输出端口。本电路中，第一二极管D1和第一稳压二极管ZD1共同决定IGBT的CE极间电压报警阈值，而第四电阻R4、第一电容C1共同决定报警时间。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种IGBT饱和压降检测电路，其特征在于，包括第一端口及第二端口，所述第一端口及第二端口分别与被控IGBT的集电极、射极连接，用于检测被控IGBT的集电极与射极之间的极间电压；还包括，第一二极管D1、第二二极管D2、第一稳压二极管ZD1、第二稳压二极管ZD2、第三电阻R3、第四电阻R4及第一电容C1；所述第一二极管D1的负极与第一端口、第二端口连接，正极与第一稳压二极管ZD1的正极连接，第一稳压二极管ZD1的负极与第三电阻R3的第一端连接；所述第三电阻R3的第二端通过第四电阻R4与IGBT驱动电路的输出端连接；同时，所述第三电阻R3还通过并接的第一电容C1、第二二极管D2、第二稳压二极管ZD2接地；其中，第一电容C1与第三电阻R3连接的一端为检测电路的输出端口。

【技术特征摘要】
1.一种IGBT饱和压降检测电路，其特征在于，包括第一端口及第二端口，所述第一端口及第二端口分别与被控IGBT的集电极、射极连接，用于检测被控IGBT的集电极与射极之间的极间电压；还包括，第一二极管D1、第二二极管D2、第一稳压二极管ZD1、第二稳压二极管ZD2、第三电阻R3、第四电阻R4及第一电容C1；所述第一二极管D1的负极与第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：涂光炜，
申请(专利权)人：四川埃姆克伺服科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51