发光器件封装和包括该发光器件封装的发光装置制造方法及图纸

根据实施例的发光器件封装，包括：发光器件，包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；布置成互相间隔开的第一引线框和第二引线框；分别布置在所述第一引线框和所述第二引线框上的第一焊接部和第二焊接部；以及分别布置在所述第一焊接部和第二焊接部与所述第一半导体层和第二半导体层之间的第一焊盘和第二焊盘，其中所述第一焊盘和第二焊盘中的至少一个包括圆角部分和倒角部分中的至少一个，其中所述第一焊盘包括第一‑第一边缘和第一‑第二边缘，第一‑第二边缘位于比第一‑第一边缘离发光器件的中心更远处，其中所述第二焊盘包括第二‑第一边缘和第二‑第二边缘，第二‑第二边缘位于比第二‑第一边缘离发光器件的中心更远处，并且其中所述圆角部分或所述倒角部分位于所述第一‑第二边缘或第二‑第二边缘中的至少一个处。

Light emitting element package and light emitting device comprising the same

According to a light emitting element package, the embodiment of the light emitting element includes a light emitting structure, the light emitting structure includes a first conductive semiconductor layer, an active layer and a second conductive semiconductor layer; the first lead frame and a second lead frame spaced apart from each other; were placed on the first lead frame and the second lead frame on the first second welding unit and welding unit; and placed in the first unit and the second welding unit and welding between the first semiconductor layer and a second semiconductor layer of the first pad and the second pad, wherein the first pad and the second pad includes at least one corner part and at least part of a chamfer a.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
实施例涉及一种发光器件封装和包括该封装的发光设备。
技术介绍
发光二极管(LED)是为了交换信号或者用作光源，利用化合物半导体的特性将电能转换成红外线或光的一类半导体装置。由于其物理和化学性质，作为发光装置如发光二极管(LED)或激光二极管(LD)的核心材料，Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体已是公众注意的中心。由于这样的发光二极管不含有对环境有害的材料诸如用于现有照明设备(诸如白炽灯或荧光灯等)的汞(Hg)等，并且具有长寿命和低功耗，所以发光二极管是现有光源的替代物。另一方面，当堆叠具有不同热膨胀系数的两个层时，这些层会产生例如剪切应力的各种应力。也就是，当传统发光器件封装中两层中的一层形成发光元件而两层中的另一层形成焊盘(pad)时，如果以200℃或更高的温度将焊盘接合到发光元件，发光器件与焊盘之间不同的热膨胀系数引起的残余应力导致产生早期故障和累积疲劳，这样会破坏发光器件封装。
技术实现思路
技术问题实施例提供一种释放应力并且具有可靠性的发光器件封装，以及包括该发光器件封装的发光设备。技术方案根据实施例的发光器件封装可以包括：发光器件，该发光器件包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件封装，包括：发光器件，包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；第一引线框和第二引线框，布置成互相间隔开；第一焊接部和第二焊接部，分别布置在所述第一引线框和所述第二引线框上；以及第一焊盘和第二焊盘，分别布置在所述第一焊接部和第二焊接部与所述第一半导体层和第二半导体层之间，其中所述第一焊盘或第二焊盘中的至少一个包括圆角部分或倒角部分中的至少一个。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.08.28 KR 10-2014-01130781.一种发光器件封装，包括：发光器件，包括发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；第一引线框和第二引线框，布置成互相间隔开；第一焊接部和第二焊接部，分别布置在所述第一引线框和所述第二引线框上；以及第一焊盘和第二焊盘，分别布置在所述第一焊接部和第二焊接部与所述第一半导体层和第二半导体层之间，其中所述第一焊盘或第二焊盘中的至少一个包括圆角部分或倒角部分中的至少一个。2.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述圆角部分包括圆角拐角或弯曲侧面中的至少一个，以及其中所述倒角部分包括倒角拐角或倾斜侧面中的至少一个。3.根据权利要求2所述的发光器件封装，其中所述第一焊盘和第二焊盘中的每个包括多个拐角，以及其中所述圆角拐角或倒角拐角包括在所述多个拐角之中位于离所述发光器件的中心最远处的拐角。4.根据权利要求2所述的发光器件封装，其中所述第一焊盘和第二焊盘中的每个包括多个侧面，以及其中所述弯曲侧面包括在所述多个侧面之中位于离所述发光器件的中心最远处的侧面。5.根据权利要求2所述的发光器件封装，其中所述弯曲侧面包括至少一个转折点。6.根据权利要求1所述的发光器件封装，其中所述发光器件还包括第一接触层和第二接触层，所述第一接触层和第二接触层分别布置在所述第一导电半导体层和第二导电半导体层与所述第一焊盘和第二焊盘之间。7.根据权利要求6所述的发光器件封装，其中所述第一焊盘和所述第一接触层具有不同的热膨胀系数，以及其中所述第二焊盘和所述第二接触层具有不同的热膨胀系数。8.根据权利要求6所述的发光器件封装，其中所述第一焊盘通过穿过所述第二接触层、所述第二导电半导体层和所述有源层连接到所述第一导电半导体层，其中所述发光器件还包括布置在所述第一焊盘与所述第二接触层、第二导电半导体层和所述有源层中的每一个之间的绝缘层，以及其中所述绝缘层与所述第一焊盘和第二焊盘中的每个具有不同的热膨胀系数。9.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：李尚烈，崔珍炯，洪俊憙，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR