一种半导体保护用低压快速限流熔断器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体保护用低压快速限流熔断器，包括瓷管体、熔体带组合体、前接触板、后接触板、前盖板以及后盖板，所述瓷管体内部设有柱状空腔，所述熔体带组合体置于柱状空腔内，所述熔体带组合体包括四组熔体组合分体，四个所述熔体组合分体以瓷管体的中心轴线对称分布，所述熔体组合分体包括多个熔体片，所述熔体片的两端部分别与前接触板以及后接触板焊接固定，所述前接触板、后接触板分别与前盖板、后盖板螺钉连接固定。所述半导体保护用低压快速限流熔断器有效提高整体熔断器的承载能力和分断能力，提高了对故障电流的分断速度，因而整体熔断器性能稳定、安全可靠且较大程度上降低制造成本。

Low voltage fast current limiting fuse for semiconductor protection

The utility model discloses a semiconductor protection fast current limiting fuse with low pressure, including porcelain tube, melt belt assembly, front contact plate and a rear plate, the front cover and the back contact, the ceramic tube body is provided with a cylindrical cavity, the melt zone unit is disposed in a cylindrical cavity, the the melt tape assembly comprises four groups of combined melt body, central axis symmetrical distribution of four combinations of the melt split with porcelain tube, the body comprises a plurality of pieces of the melt melt combination, both ends of a portion of the melt sheet and don't front contact plate and fixed contact plate welding, the the front plate and a rear contact contact plate are respectively fixedly connected with the front cover and back cover screw. The semiconductor protection for low voltage fast current limiting fuse effectively improve the bearing capacity of the whole of the fuse and breaking capacity, improve the fault current breaking speed, so the overall performance is stable, safe and reliable fuse and greatly reduce the manufacturing cost.

【技术实现步骤摘要】

：本技术涉及一种熔断器，尤其是涉及一种半导体保护用低压快速限流熔断器。
技术介绍
：熔断器是当电流超出规定值时，以本身产生的热量使熔体熔断、断开电路的一种电器，作为短路和过电流的保护器广泛使用于高低压配电系统、控制系统和用电设备中，而国内现有一般半导体保护熔断器结构复杂成本高、额定电流小，分断电流小，反应延迟大、系统不稳定，不利于快速灵敏地对电路进行保护，而且国内一般半导体保护熔断器的熔体是银熔体，导致制作成本较高。而且目前随着熔断器的广泛使用及电气行业的发展，要求熔断器的开断能力及额定电流越来越大，所以研究新的技术来解决这些难题迫在眉睫。
技术实现思路
：本技术所要解决的技术问题是：提供一种结构简单、成本低且能有效提高额定电流承载能力和对故障电流的分断速度和分断能力的半导体保护用低压快速限流熔断器。为了解决上述技术问题，本技术是通过以下技术方案实现的：一种半导体保护用低压快速限流熔断器，包括瓷管体、熔体带组合体、前接触板、后接触板、前盖板以及后盖板，所述瓷管体内部设有柱状空腔，所述熔体带组合体置于柱状空腔内且在熔体带组合体与柱状空腔之间填充有石英砂，所述熔体带组合体包括四组熔体组合分体，四个所述熔体组合分体以瓷管体的中心轴线对称分布，所述熔体组合分体包括多个相互平行设置且具有相同长度而宽度不同的熔体片，多个熔体片的底端水平对齐且多个熔体片的宽度沿瓷管体的轴线方向依次增大，所述熔体片的两端部分别与前接触板以及后接触板焊接固定，所述前接触板、后接触板分别与前盖板、后盖板螺钉连接固定，所述前盖板以及后盖板分别与瓷管体的前后端管体螺钉连接固定。作为优选，所述熔体片的材质设置为铜银复合带，包括多个相互间隔设置的铜带段以及银带段。作为优选，所述熔体组合分体上的熔体片数量设置为五个，且沿瓷管体轴线方向，五个熔体片的宽度依次为10mm、15mm、20mm、20mm、20mm。作为优选，所述熔体片上的银带段上设有多个按间距设置的通孔。作为优选，所述熔体组合分体上的五个熔体片的通孔数量沿瓷管体轴线方向依次设为4个、6个、8个、8个、8个。作为优选，所述熔体片上的铜带段设为折弯铜带段，所述熔体片的两端部设为90度折弯铜片，两端部的折弯铜片的其中一折弯边分别与前接触板以及后接触板焊接固定。作为优选，所述熔体组合分体之间的垂直间距设置为4.2mm-4.6mm，所述熔体片之间的垂直间距设置为4.0mm-4.4mm。与现有技术相比，本技术的有益之处是：所述半导体保护用低压快速限流熔断器通过采用分布在铜银复合带的银带段上的熔体上的通孔之间的狭径，继而有效提高整体熔断器的承载能力和分断能力，提高了对故障电流的分断速度，因而整体熔断器性能稳定、安全可靠且较大程度上降低制造成本，另外通过采用不同宽度的熔体片在不同的焊接位置进行组合的排布结构，有效增加了熔断器的额定电流，降低了温升功耗，进一步提高产品的分断能力，因而，整体熔断体具有较高的实用性的同时还具有较好的经济效益，适合推广应用。附图说明：下面结合附图对本技术进一步说明：图1是本技术的轴测结构示意图；图2是本技术的熔体带组合体置于瓷管体内的主视结构示意图；图3是本技术的熔体片的俯视结构示意图。具体实施方式：下面将对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围：如图1至图3所示的一种半导体保护用低压快速限流熔断器，包括瓷管体1、熔体带组合体、前接触板2、后接触板3、前盖板4以及后盖板5，所述瓷管体1内部设有柱状空腔6，所述熔体带组合体置于柱状空腔6内且在熔体带组合体与柱状空腔之间填充有石英砂，实际应用时，所述熔体带组合体固化在石英砂中，从而增强结构的稳固性。所述熔体带组合体包括四组熔体组合分体7，四个所述熔体组合分体7以瓷管体1的中心轴线对称分布，所述熔体组合分体7包括多个相互平行设置且具有相同长度而宽度不同的熔体片71，多个熔体片71的底端水平对齐且多个熔体片71的宽度沿瓷管体1的轴线方向依次增大，所述熔体片71的两端部分别与前接触板2以及后接触板3焊接固定，所述前接触板2、后接触板3分别与前盖板4、后盖板5螺钉连接固定，所述前盖板4以及后盖板5分别与瓷管体1的前后端管体螺钉连接固定。实际应用时，为进一步增强所述熔体片的的承载能力和分断能力，所述熔体片71的材质设置为铜银复合带，包括多个相互间隔设置的铜带段711以及银带段712，在增强熔体片性能的同时还能较大程度上节约成本，且作为优选实施方案，所述熔体片71上的银带段712上设有多个按间距设置的通孔713，通孔与通孔之间的银带区域即为狭径，由于通孔之间的间距均相同，继而熔体片上的狭径的宽度也均相同，通过狭径进一步提高了熔体对故障电流的分断速度，提高整体性能稳定，更加安全可靠。另外，在本实施例中，作为较佳实施方案，为进一步提高所述熔体组合分体的性能的稳定性，节约空间资源的同时能最大发挥熔体片整体的性能以及可靠性，所述熔体组合分体7上的熔体片71数量设置为五个，且沿瓷管体1轴线方向，五个熔体片71的宽度依次为10mm、15mm、20mm、20mm、20mm，且相应的，所述熔体组合分体7上的五个熔体片71的通孔713数量沿瓷管体1轴线方向依次设为4个、6个、8个、8个、8个，作为优选方案，所述熔体组合分体7之间的垂直间距设置为4.2mm-4.6mm，所述熔体片71之间的垂直间距设置为4.0mm-4.4mm，因而，通过上述熔体组合分体的排布组合结构，有效增加了熔断器的额定电流，降低了温升功耗，使产品的分断能力提高，性能更加稳定，更加安全可靠，且整体结构稳固性高，节能且安装维护简单快捷。而为进一步提高熔体片的承载能力和分断能力，所述熔体片71上的铜带段711设为折弯铜带段，所述熔体片71的两端部设为90度折弯铜片，两端部的折弯铜片的其中一折弯边分别与前接触板2以及后接触板3焊接固定，增强结构的稳定性的同时，节约空间资源，提高分断效果。上述半导体保护用低压快速限流熔断器通过采用分布在铜银复合带的银带段上的熔体上的通孔之间的狭径，继而有效提高整体熔断器的承载能力和分断能力，提高了对故障电流的分断速度，因而整体熔断器性能稳定、安全可靠且较大程度上降低制造成本，另外通过采用不同宽度的熔体片在不同的焊接位置进行组合的排布结构，有效增加了熔断器的额定电流，降低了温升功耗，进一步提高产品的分断能力提高，因而，整体熔断体具有较高的实用性的同时还具有较好的经济效益。需要强调的是：以上仅是本技术的较佳实施例而已，并非对本技术作任何形式上的限制，凡是依据本技术的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本技术技术方案的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体保护用低压快速限流熔断器，其特征在于：包括瓷管体（1）、熔体带组合体、前接触板（2）、后接触板（3）、前盖板（4）以及后盖板（5），所述瓷管体（1）内部设有柱状空腔（6），所述熔体带组合体置于柱状空腔（6）内且在熔体带组合体与柱状空腔之间填充有石英砂，所述熔体带组合体包括四组熔体组合分体（7），四个所述熔体组合分体（7）以瓷管体（1）的中心轴线对称分布，所述熔体组合分体（7）包括多个相互平行设置且具有相同长度而宽度不同的熔体片（71），多个熔体片（71）的底端水平对齐且多个熔体片（71）的宽度沿瓷管体（1）的轴线方向依次增大，所述熔体片（71）的两端部分别与前接触板（2）以及后接触板（3）焊接固定，所述前接触板（2）、后接触板（3）分别与前盖板（4）、后盖板（5）螺钉连接固定，所述前盖板（4）以及后盖板（5）分别与瓷管体（1）的前后端管体螺钉连接固定。

【技术特征摘要】
1.一种半导体保护用低压快速限流熔断器，其特征在于：包括瓷管体（1）、熔体带组合体、前接触板（2）、后接触板（3）、前盖板（4）以及后盖板（5），所述瓷管体（1）内部设有柱状空腔（6），所述熔体带组合体置于柱状空腔（6）内且在熔体带组合体与柱状空腔之间填充有石英砂，所述熔体带组合体包括四组熔体组合分体（7），四个所述熔体组合分体（7）以瓷管体（1）的中心轴线对称分布，所述熔体组合分体（7）包括多个相互平行设置且具有相同长度而宽度不同的熔体片（71），多个熔体片（71）的底端水平对齐且多个熔体片（71）的宽度沿瓷管体（1）的轴线方向依次增大，所述熔体片（71）的两端部分别与前接触板（2）以及后接触板（3）焊接固定，所述前接触板（2）、后接触板（3）分别与前盖板（4）、后盖板（5）螺钉连接固定，所述前盖板（4）以及后盖板（5）分别与瓷管体（1）的前后端管体螺钉连接固定。2.根据权利要求1所述的一种半导体保护用低压快速限流熔断器，其特征在于：所述熔体片（71）的材质设置为铜银复合带，包括多个相互间隔设置的铜带段（711）以及银带段（712）。3.根据权利要求2所述的一种半导体保护...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟毓强，南颖娟，苟阿鹏，李涛，贾炜，
申请(专利权)人：浙江茗熔电器保护系统有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33