Ti-CGSe+CIGS广谱薄膜太阳能电池制造技术
Ti-CGSe+CIGS thin film solar cell
The invention relates to a Ti-CGSe+CIGS (Ti, Cu, Se, Cu, Se, Se) double heterojunction broad spectrum thin film solar cell. Is a broad spectrum of thin film solar cells are brass body structure, which is characterized in the visible spectral band and infrared band has strong absorption coefficient, the spectrum absorption, photoelectric conversion rate is high, because the band gap of Ti-CGSe in 2.4Ev, and the band gap of CIGS in 1.2eV, it will be placed in Ti-CGSe the upper and lower CIGS in the Ti-CGSe+CIGS, the invention of the broad spectrum of thin film solar cell.
【技术实现步骤摘要】
：本专利技术涉及一种由Ti-CGSe单结异质太阳能薄膜太阳能电池和CIGS单结异质结薄膜太阳能电池，中间由SnO2：F透明导电层串联起来，形成双异质结结构的广谱薄膜太阳能电池。
技术介绍
：降低光伏产品成本，提高光电转换效率，使用廉价地球贮藏量丰富的光伏材料并易于回收利用，永远是光伏业界人士遵循的主题。现在世界上生产的光伏产品都是单结的太阳能电池，只利阳光光谱的40％左右的可见光光谱范围内，光电转换效率不高。对于光伏材料，硅、铟等材料比较昂贵。降低成本最根本的办法是提高技术，充分利用扩大太阳光谱的利用范围。本专利技术就是在这样背景下，利用CIGS薄膜层在400-800nm光谱波段内吸收系数高，利用Ti-CGSe薄膜在800-2000nm光谱波段内吸收系数高的特点，由单异质结的电池制成双异质结广谱薄膜太阳能电池。本专利技术的Ti-CGSe+CIGS广谱薄膜太阳能电池，含盖太阳光全光谱范围，光电转换效率高，成本低，具有广阔的市场前景。附图说明：图1是本专利技术Ti-CGSe+CIGS广谱薄膜太阳能电池的结构示意图。图2是本专利技术Ti-CGSe+CIGS广谱薄膜太阳...
【技术保护点】
如图1所示的Ti‑CGSe+CIGS广谱薄膜太阳能电池包括：(1)100×100×2(mm)的含钠(Na)玻璃基板，(2)1μm厚的M0(钼)背电极，(3)2μmCIGS吸收层，(4)0.05μm厚的CdS缓冲层，(5)0.05μm厚的ZnO2层，(6)0.5μm厚的SnO2：F透明导电层，(7)1μm厚的Ti‑CGSe吸收层，(8)0.05μm厚的CdS缓冲层，(9)0.05μm厚的ZnO2层，(10)1μm厚的AZO(氧化锌铝)透明导电前电极，(11)为2mm厚前板高透光率钢化玻璃，从前电极及背电极引出导线后，上下盖覆EVA薄膜，经真空层压后，制成Ti‑CGSe+CIG...
【技术特征摘要】
1.如图1所示的Ti-CGSe+CIGS广谱薄膜太阳能电池包括：(1)100×100×2(mm)的含钠(Na)玻璃基板，(2)1μm厚的M0(钼)背电极，(3)2μmCIGS吸收层，(4)0.05μm厚的CdS缓冲层，(5)0.05μm厚的ZnO2层，(6)0.5μm厚的SnO2：F透明导电层，(7)1μ...
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