一种高效异质结太阳能电池的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种高效异质结太阳能电池的制造方法，包括：掺杂的半导体基底以及分布在基底两面的第一微结构层和第二微结构层，即黑硅层；第一微结构层上面沉积一层钝化层；第一本征层和第二本征层分别设置在第一微结构层和第二微结构层上面，然后第一本征层和第二本征层上面分别设置第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层的掺杂与半导体基底的掺杂类型相反，第二半导体层的掺杂与半导体基底的掺杂类型相同，但其掺杂浓度远远大于基底的掺杂浓度；上下电极分别镀在第一、第二半导体层上面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及新能源领域，尤其是涉及一种高效异质太阳能电池。
技术介绍
太阳能电池是一种利用光伏效应将太阳光辐射直接转化为电能的新型能源技术，因其无污染、安全、资源充足等优点，被认为是目前最有前途的可再生能源之一。晶体硅太阳能电池包括单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池以及高效晶体硅太阳能电池。单晶硅太阳能电池的转化效率很高，但是成本高昂，难以大规模推广。多晶硅太阳能电池的成本相比于单晶硅太阳能电池来说低廉了很多，但是其转化效率非常低，并且使用寿命也比较短。高效晶体硅太阳能电池包括HIT电池、IBC电池等，其中HIT电池是非晶硅/晶硅异质结太阳能电池，其优点是转化效率高、成本低廉，因此HIT电池成为目前主流的高效太阳能电池技术之一。本专利技术采用低掺杂的单晶硅作为基底，并在基底的两面放置高掺杂的非晶硅掺杂层，掺杂类型为一层为n型，另一层为p型。这样的好处就是给太阳能电池提供了较高的开路电压并降低了暗电流。同时微结构层-黑硅层的特性就是对可见光-近红外的光的吸收率可以达到90％以上，其采用大大增加了太阳能电池对可见光的吸收，也在一定程度上提高对近红外光的吸收。专利技术内容本专利技术的目本文档来自技高网...

【技术保护点】
本专利技术公开了一种高效异质结太阳能电池的制造方法，包括：掺杂的半导体基底以及分布在基底两面的第一微结构层和第二微结构层，即黑硅层；第一微结构层上面沉积一层钝化层；第一本征层和第二本征层分别设置在第一微结构层和第二微结构层上面，然后第一本征层和第二本征层上面分别设置第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层的掺杂与半导体基底的掺杂类型相反，第二半导体层的掺杂与半导体基底的掺杂类型相同，但其掺杂浓度远远大于基底的掺杂浓度；上下电极分别镀在第一、第二半导体层上面。

【技术特征摘要】
1.本发明公开了一种高效异质结太阳能电池的制造方法，包括：掺杂的半导体基底以及分布在基底两面的第一微结构层和第二微结构层，即黑硅层；第一微结构层上面沉积一层钝化层；第一本征层和第二本征层分别设置在第一微结构层和第二微结构层上面，然后第一本征层和第二本征层上面分别设置第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层的掺杂与半导体基底的掺杂类型相反，第二半导体层的掺杂与半导体基底的掺杂类型相同，但其掺杂浓度远远大于基底的掺杂浓度；上下电极分别镀在第一、第二半导体层上面。2.如权力要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述的第一本征层或第二本征层至少有一个为非晶的。3.如权力要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述的第一半导体层或第二半导体层至少有一个为非晶的。4.根据权力要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述的半导体基底为单晶的。5.如权力要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述的第一微结构层和第二微结构层的微结构的高度为50nm-1um。6.如权力要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述的第一微结构层或第二微结构层至少有一个经过激光处理，激光的脉宽为100fs，其中在激光处理的表面事先通过离子注入法掺入高浓度的杂质，杂质元素可以是硫、硒、碲、金等。7.如权力要求1所述，其特征在于：所述的第一微结构层或第二微结构层至少有一个经过化学方法刻蚀，化学方法刻蚀为酸法刻蚀。...

【专利技术属性】
技术研发人员：李世彬，黄开华，
申请(专利权)人：李世彬，黄开华，
类型：发明
国别省市：四川;51