铜的高速填充方法技术

本发明专利技术提供一种改变以往的铜镀敷温度、浓度、电流密度等或其他条件，加快对基板上形成的孔或沟进行填充的速度的技术。本发明专利技术提供一种以铜镀敷高速填充基板上形成的孔或沟的方法，其特征在于，将形成有孔或沟的基板浸渍于含铜离子、硫酸离子及卤化物离子且为30～70℃的酸性铜镀敷液中，以电流密度3A/dm2以上，使用不溶性电极作为阳极进行镀敷。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及以铜镀敷且以比以往更高速地填充基板上形成的通孔(via)、穿孔(throughhole)等孔、沟槽等沟的方法。
技术介绍
作为小型电子机器的代表的便携电话的基板结构正在高密度化，为了制造该基板结构，增层工艺不可或缺。该增层工艺中重要的技术是以铜镀敷填充以数层重叠的基板上形成的通孔、穿孔等孔、沟槽等沟。另外，半导体领域中作为3维安装技术之一，以铜镀敷填充Si贯通电极(通孔的一种)的技术受到瞩目。迄今为止，对于在基板上形成的孔或沟利用酸性铜镀敷的填充而言，例如若为开孔径120μmφ、深度70μm左右的通孔，则在使用含有铜离子56g/l(以硫酸铜(II)五水合物计约220g/l)左右、硫酸离子135g/l(以硫酸计约50g/l)左右、氯化物离子40mg/l左右、以及添加剂等的酸性铜镀敷液的情况下，使用含磷铜阳极或不溶性阳极，以电流密度2A/dm2耗费约1小时。一般来说，为了加速铜镀敷速度，可以考虑提高温度、铜离子浓度，并提高电流密度，但已知在以铜镀敷填充孔或沟的情况下若提高这些，则会发生调平作用或填充性能下降，镀敷外观变差，镀敷皮膜物性变差等。此外，使用含磷铜阳极进行铜镀敷本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种以铜镀敷高速填充基板上形成的孔或沟的方法，其特征在于，将形成有孔或沟的基板浸渍于含有铜离子、硫酸离子及卤化物离子且为30～70℃的酸性铜镀敷液中，以电流密度3A/dm2以上，使用不溶性电极作为阳极进行镀敷。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种以铜镀敷高速填充基板上形成的孔或沟的方法，其特征在于，将形成有孔或沟的基板浸渍于含有铜离子、硫酸离子及卤化物离子且为30～70℃的酸性铜镀敷液中，以电流密度3A/dm2以上，使用不溶性电极作为阳极进行镀敷。2.如权利要求1所述的以铜镀敷高速填充基板上形成的孔或沟的方法，其中，酸性铜镀敷液中含有的铜离子为25g/l以上、且为所述铜镀敷液的液温在30～70℃的各温度下的饱和铜离子浓度以下，硫酸离子为50g/l以上，卤化物离子为5～500mg/l。3.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：大森隆史，安田弘树，安藤俊介，
申请(专利权)人：株式会社杰希优，
类型：发明
国别省市：日本;JP