压力感测输入装置制造方法及图纸

技术编号:15143752 阅读:53 留言:0更新日期:2017-04-11 03:31
本实用新型专利技术涉及压力感测技术领域,特别涉及一种压力感测输入装置。该压力感测输入装置中包括一第一基板及一第一导电层,该第一导电层具有第一压力感测电极,该第一压力感测电极用于侦测施加导电层上压力的大小,所述第一压力感测电极由纳米银线薄膜形成。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及压力感测
,特别涉及一种压力输入装置。
技术介绍
消费者产品,例如,移动电话、移动导航系统、移动游戏设备以及移动媒体播放器等,正在寻找新的输入方法。现今通常使用的触控装置是一种通过触摸方式接收输入信号的感应装置。理想的触控装置不仅能够感应触摸位置,而且还能感应触摸压力,这种压力感测为触摸输入提供了一个额外的自由度,并能适应不同的输入方法,如手写笔,手指,以及戴着手套的手指等。因此,同时实现压力和位置的触摸感应技术应运而生,并得到了业界的广泛关注。该技术是利用氧化铟锡(简称为ITO)材料通过黄光工艺制程进行制备的。然而,由于黄光工艺制程复杂、设备成本高,同时,ITO材料脆性大,且铟是一种昂贵的稀有金属,在大自然的存储量比较小,其价格比较昂贵,氧化铟锡作为触控装置的检测电极在很大程度上提升了制造成本,致使该种触控装置的整体制造成本高,其在一定程度上抑制了产业的发展。此外,采用ITO薄膜作为触控的导电膜也存在如下的问题:(1)随着电阻及应用尺寸变大,电极间的电流传输速度变慢,从而导致相应速度(指接触指尖到检测出该位置的时间)变慢;(2)由ITO形成的导电膜在被施加压力时,仅发生单层形变,电阻变化率较小,压力感测的精度较差。综上所述,寻找一种新的方案能够解决ITO所存在的价格昂贵,工艺复杂,抗损性能差等缺点成为业界的努力方向。
技术实现思路
为克服现有输入装置中存在的ITO脆性大,价格昂贵,工艺复杂,抗损性能差等的缺点,本技术提供了一种压力感测输入装置。本技术解决技术问题的技术方案是提供一种压力感测输入装置,包括:第一基板;第一导电层,设置于该第一基板,所述第一导电层包括复数个第一压力感测电极,所述第一压力感测电极由纳米银线薄膜形成,该第一压力感测电极用于侦测施加第一导电层上压力的大小;压力感测芯片,与所述第一压力感测电极电连接,所述压力感测芯片通过检测所述第一压力感测电极在受到压力后产生的电阻变化量实现对所述压力大小的检测。优选地,所述纳米银线薄膜包括纳米银线和基质,当纳米银线薄膜受到触压时,该纳米银线薄膜发生形变,且所述纳米银线搭接点增多,电阻变化率增大。优选地,所述纳米银线薄膜包括暗色添加剂颗粒,该暗色添加剂颗粒的粒径为20nm-800nm。优选地,所述第一导电层的厚度为10nm-5μm,其透光率至少为90%,其雾度小于3%,其方阻小于150ohm/sq,其折射率为1.3-2.5。优选地,所述第一压力感测电极为曲线状、折线状、绕线式放射状、绕线式螺旋状中的任一种或多种。优选地,所述第一压力感测电极的应变计因子大于0.5。优选地,所述第一压力感测电极能实现多点压力侦测。优选地,所述压力输入装置进一步包括复数个第一触控感应电极,所述第一导电层包括第一压力感测配置区和第一触控感应配置区,所述第一触控感应电极位于所述第一触控感应配置区,所述第一压力感测电极位于所述第一压力感测配置区,其中所述第一压力感测配置区与第一触控感应配置区面积互补。优选地,所述第一压力感测电极与至少部分所述第一触控感应电极在同一制程中形成,该第一压力感测电极与该第一触控感应电极于基板的同一平面上。优选地,所述第一压力感测电极的线宽为所述第一触控感应电极的线宽的0.5-0.8倍。优选地,所述第一压力感测配置区设于所述第一触控感测配置区的第一触控感测电极之间或设于所述第一触控感测配置区的周围。优选地,所述第一触控感测电极进一步包括间隔设置的第一方向触控感测电极及第二方向触控感测电极,所述第一压力感测电极设置于第一方向触控感测电极及第二方向触控感测电极之间。优选地,所述压力输入装置进一步包括第二基板及第二导电层,所述第二导电层设于所述第二基板表面,该第二导电层包括复数个第二触控感应电极和/或第二压力感测电极;所述第一触控感测电极与第二触控感应电极用于检测多点触控。优选地,所述压力输入装置还包括至少一光学匹配层,该光学匹配层的折射率为1.1-1.6,所述光学匹配层位于所述第一导电层和第一基板之间。优选地,所述第一基板为一保护盖板,用以作为第一导电层的保护外盖,所述保护盖板具有第一表面及相对设置的第二表面,所述第一表面供使用者施加一触压动作。与现有技术相比,本技术中的压力感测输入装置的第一导电层由纳米银线薄膜形成,其具有价格低,当受到压力作用时电阻变化大,且挠性好等优点。另外,当压力感测输入装置的第一导电层由纳米银线薄膜形成时,其可以采用简单的涂布工艺来代替传统ITO黄光工艺,其简化了触控面板的制作工艺的同时,设备成本降低,大大降低了成本和提高了效率。【附图说明】图1是本技术纳米银线薄膜的截面结构示意图。图2是本技术纳米银线薄膜的平面示意图。图3是本技术纳米银线薄膜的触控原理内部结构示意图。图4A是本技术压力感测输入装置第一实施例的结构示意图。图4B是图4A中导电层的正视示意图。图5是本技术压力感测输入装置第二实施例的导电图案平面示意图。图6是本技术压力感测输入装置第三实施例的剖面结构示意图。图7是本技术压力感测输入装置第四实施例的剖面结构示意图。图8A是本技术压力感测输入装置第五实施例的结构示意图。图8B是图8A的沿B-B方向的剖面结构示意图。图9是本技术压力感测输入装置第六实施例的立体爆炸结构示意图。图10A是本技术压力感测输入装置第七实施例的立体爆炸结构示意图。图10B是图10A中第一导电层局部的平面结构示意图。图11A是本技术压力感测输入装置第八实施例的结构示意图。图11B是图11A中Ⅰ处放大示意图。图12A是本技术压力感测输入装置第九实施例的结构示意图。图12B是图12A的又一变形实施例的结构示意图。图13A是本技术第十实施例压力感测输入装置制造方法流程图。图13B是本技术第十实施例中蚀刻程度示意图。【具体实施方式】为了使本技术的目的,技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施实例,对本技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种压力感测输入装置,包括:第一基板;第一导电层,设置于该第一基板,所述第一导电层包括复数个第一压力感测电极,所述第一压力感测电极由纳米银线薄膜形成,该第一压力感测电极用于侦测施加第一导电层上压力的大小;压力感测芯片,与所述第一压力感测电极电连接,所述压力感测芯片通过检测所述第一压力感测电极在受到压力后产生的电阻变化量实现对所述压力大小的检测。

【技术特征摘要】
1.一种压力感测输入装置,包括:
第一基板;
第一导电层,设置于该第一基板,所述第一导电层
包括复数个第一压力感测电极,所述第一压力感测电极
由纳米银线薄膜形成,该第一压力感测电极用于侦测施
加第一导电层上压力的大小;
压力感测芯片,与所述第一压力感测电极电连接,
所述压力感测芯片通过检测所述第一压力感测电极在
受到压力后产生的电阻变化量实现对所述压力大小的
检测。
2.如权利要求1所述的压力感测输入装置,其特征
在于:所述纳米银线薄膜包括纳米银线和基质,当纳米
银线薄膜受到触压时,该纳米银线薄膜发生形变,且所
述纳米银线搭接点增多,电阻变化率增大。
3.如权利要求2所述的压力感测输入装置,其特征
在于:所述纳米银线薄膜包括暗色添加剂颗粒,该暗色
添加剂颗粒的粒径为20nm-800nm。
4.如权利要求1所述的压力感测输入装置,其特征
在于:所述第一导电层的厚度为10nm-5μm,其透光率至
少为90%,其雾度小于3%,其方阻小于150ohm/sq,其
折射率为1.3-2.5。
5.如权利要求1所述的压力感测输入装置,其特征
在于:所述第一压力感测电极为曲线状、折线状、绕线
式放射状、绕线式螺旋状中的任一种或多种。
6.如权利要求1所述的压力感测输入装置,其特征
在于:所述第一压力感测电极的应变计因子大于0.5。
7.如权利要求1所述的压力感测输入装置,其特征
在于:所述第一压力感测电极能实现多点压力侦测。
8.如权利要求1所述的压力感测输入装置,其特征
在于:进一步包括复数个第一触控感应电极,所述第一
导电层包括第一压力感测配置区和第一触控感应配置
区,所述第一触控感应电极位于所述第一触控感应配置
区,所述第一压力感测电极位于所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈风陈艺琴何加友
申请(专利权)人:宸鸿科技厦门有限公司
类型:新型
国别省市:福建;35

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