一种磁共振射频功率放大器用定向耦合器制造技术

技术编号:15137723 阅读:108 留言:0更新日期:2017-04-10 21:19
本实用新型专利技术涉及一种磁共振射频功率放大器用定向耦合器,包括主微带线和副微带线,其特征在于:还包括介质基板,所述主微带线铺设在介质基板的上方,所述副微带线则埋入介质基板内部,所述介质基板上还铺设有屏蔽干扰用的接地金属层。与现有技术相比,本实用新型专利技术的优点在于:方向性好,加工简单,制造成本较低,能够将弱定向耦合器的方向性提高到25dB以上,且大大减少了外部干扰。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种磁共振射频功率放大器用定向耦合器
技术介绍
定向耦合器在核磁共振射频功率放大器上的作用是提取功率放大器输出端口的输出功率以及反射功率,以便于控制系统对功率放大器的输出功率进行监测。这种定向耦合器耦合较弱,易受到干扰,且需要25dB以上的方向性。因此,这种定向耦合器需要一些特别的设计。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种带屏蔽干扰能力、具有高方向性的磁共振射频功率放大器用定向耦合器。本技术解决上述技术问题所采用的技术方案为:一种磁共振射频功率放大器用定向耦合器,包括主微带线和副微带线,其特征在于:还包括介质基板,所述主微带线铺设在介质基板的上方,所述副微带线则埋入介质基板内部,所述介质基板上还铺设有屏蔽干扰用的接地金属层。本技术提供的定向耦合器还包含用于引出耦合信号的SMA接头,该SMA接头的外导体连接接地金属层,所述接地金属层通过一系列过孔与介质基板的另一侧相连,所述副微带线通过所述过孔与SMA接头的内导体相连。较好的,所述介质基板为相对介电常数为4.4的基板,介质基板的板厚为3mm,主微带线宽度为5.3mm,副微带线的宽度为1.7mm,长度100mm;副微带线埋藏在介质基板中心,与上下侧面的距离均为1.5mm,主微带线和副微带线之间的间距为7.2mm,接地金属层的宽度为27.2mm,长度为150mm,由此得到在63.87MHz处耦合度为-60.3073dB,隔离度为-86.5969dB,方向性约为26dB。与现有技术相比,本技术的优点在于:方向性好,加工简单,制造成本较低,能够将弱定向耦合器的方向性提高到25dB以上,且大大减少了外部干扰。附图说明图1为本技术实施例中磁共振射频功率放大器用定向耦合器的顶视图;图2为本技术实施例中磁共振射频功率放大器用定向耦合器的剖视图;图3为本技术实施例中磁共振射频功率放大器用定向耦合器的部分剖视图。具体实施方式以下结合附图实施例对本技术作进一步详细描述。如图1~3所示的磁共振射频功率放大器用定向耦合器,包括主微带线1、副微带线2和介质基板3,所述主微带线1铺设在介质基板3的上方,所述副微带线2则埋入介质基板3内部,所述介质基板3上还铺设有屏蔽干扰用的接地金属层4,接地金属层4上设有两个用于引出耦合信号的SMA接头5,两个SMA接头的外导体连接接地金属层,所述接地金属层通过一系列过孔41与介质基板的另一侧相连,所述副微带线的两个末端通过前述过孔分别与两个SMA接头的内导体相连。本实施例中,所述介质基板为相对介电常数为4.4的基板,介质基板的板厚为3mm,主微带线宽度为5.3mm,副微带线的宽度为1.7mm,长度100mm;副微带线埋藏在介质基板中心,与上下侧面的距离均为1.5mm,主微带线和副微带线之间的间距为7.2mm,接地金属层的宽度为27.2mm,长度为150mm,由此得到在63.87MHz处耦合度为-60.3073dB,隔离度为-86.5969dB,方向性约为26dB。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁共振射频功率放大器用定向耦合器,包括主微带线和副微带线,其特征在于:还包括介质基板,所述主微带线铺设在介质基板的上方,所述副微带线则埋入介质基板内部,所述介质基板上还铺设有屏蔽干扰用的接地金属层。

【技术特征摘要】
1.一种磁共振射频功率放大器用定向耦合器,包括主微带线和副微带线,其特征在于:还包括介质基板,所述主微带线铺设在介质基板的上方,所述副微带线则埋入介质基板内部,所述介质基板上还铺设有屏蔽干扰用的接地金属层。
2.根据权利要求1所述的磁共振射频功率放大器用定向耦合器,其特征在于:还包含用于引出耦合信号的SMA接头,该SMA接头的外导体连接接地金属层,所述接地金属层通过一系列过孔与介质基板的另一侧相连,所述副微带线的...

【专利技术属性】
技术研发人员:项融张勋李应良
申请(专利权)人:鑫高益医疗设备股份有限公司
类型:新型
国别省市:浙江;33

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