零温度系数充电电流的电池充电装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种零温度系数充电电流的电池充电装置。零温度系数充电电流的电池充电装置包括第一PMOS管、第一电阻、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NPN管、第二NPN管、第一NMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第二电阻和电池。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电池充电装置，尤其涉及到零温度系数充电电流的电池充电装置。
技术介绍
为了减少温度对电池充电电流的影响，设计了一种零温度系数充电电流的电池充电装置。
技术实现思路
本技术旨在提供一种零温度系数充电电流的电池充电装置。零温度系数充电电流的电池充电装置，包括第一PMOS管、第一电阻、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NPN管、第二NPN管、第一NMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第二电阻和电池：所述第一PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的栅极和所述第二NPN管的集电极，漏极接所述第一电阻的一端和所述第二PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第一电阻的一端接所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极，另一端接地；所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第一电阻的一端，漏极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极，源极接电源电压VCC；所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的栅极和所述第二NPN管的集电极，漏极接所述第二PMOS管的漏极和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极，源极接电源电压VCC；所述第四PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第二NPN管的集电极，源极接电源电压VCC；所述第一NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第二PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的漏极和所述第二NPN管的基极，发射极接地；所述第二NPN管的基极接所述第二PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的漏极和所述第一NPN管的基极和集电极，集电极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的栅极，发射极接所述第一NMOS管的漏极；所述第一NMOS管的栅极接电源电压VCC，漏极接所述第二NPN管的发射极，源极接所述第五PMOS管的源极；所述第五PMOS管的栅极接地，漏极接地，源极接所述第一NMOS管的源极；所述第六PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第二NPN管的集电极，漏极接所述第二电阻的一端，源极接电源电压VCC；所述第二电阻的一端接所述第六PMOS管的漏极，另一端接所述电池的正极；所述电池的正极接所述第二电阻的一端，负极接地。所述第一PMOS管、所述第一电阻和所述第三PMOS管构成启动电路部分，所述第二PMOS管的栅极通过所述第一电阻接地而导通，有启动电流传给由所述第一NPN管、所述第二NPN管、所述第一NMOS管和所述第五PMOS管构成充电装置的核心部分，启动电流通过所述第一NPN管镜像给所述第二NPN管进而使充电装置开始工作，再通过所述第四PMOS管和所述第三PMOS管反馈电路传给充电装置的核心部分；启动电路提供启动电流后，电流源正常工作后，由于所述第一PMOS管导通使得所述第二PMOS管的栅极拉高，所述第二PMOS管的漏极就不会有电流流出，使启动电路部分关闭；所述第一NMOS管和所述第五PMOS管上的电流是所述第一NPN管的BE结电压除以所述第一NMOS管和所述第五PMOS管形成的RDS电阻之和，由于所述第一NMOS管形成的RDS电阻呈正温度系数，所述第五PMOS管形成的RDS电阻呈负温度系数，通过调节这两个电阻的温度系数达到零温度系数；所述第一NMOS管和所述第五PMOS管上的电流再通过所述第四PMOS管镜像给所述第六PMOS管对所述电池进行充电。附图说明图1为本技术的零温度系数充电电流的电池充电装置的电路图。具体实施方式以下结合附图对本
技术实现思路
进一步说明。零温度系数充电电流的电池充电装置，如图1所示，包括第一PMOS管101、第一电阻102、第二PMOS管103、第三PMOS管104、第四PMOS管105、第一NPN管106、第二NPN管107、第一NMOS管108、第五PMOS管109、第六PMOS管110、第二电阻111和电池112：所述第一PMOS管101的栅极接所述第三PMOS管104的栅极和所述第四PMOS管105的栅极和漏极和所述第六PMOS管110的栅极和所述第二NPN管107的集电极，漏极接所述第一电阻102的一端和所述第二PMOS管103的栅极，源极接电源电压VCC；所述第一电阻102的一端接所述第一PMOS管101的漏极和所述第二PMOS管102的栅极，另一端接地；所述第二PMOS管103的栅极接所述第一PMOS管101的漏极和所述第一电阻102的一端，漏极接所述第三PMOS管104的漏极和所述第一NPN管106的基极和集电极和所述第二NPN管107的基极，源极接电源电压VCC；所述第三PMOS管104的栅极接所述第一PMOS管101的栅极和所述第四PMOS管105的栅极和漏极和所述第六PMOS管110的栅极和所述第二NPN管107的集电极，漏极接所述第二PMOS管103的漏极和所述第一NPN管106的基极和集电极和所述第二NPN管107的基极，源极接电源电压VCC；所述第四PMOS管105的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管101的栅极和所述第三PMOS管104的栅极和所述第六PMOS管110的栅极和所述第二NPN管107的集电极，源极接电源电压VCC；所述第一NPN管106的基极和集电极接在一起再接所述第二PMOS管103的漏极和所述第三PMOS管104的漏极和所述第二NPN管107的基极，发射极接地；所述第二NPN管107的基极接所述第二PMOS管103的漏极和所述第三PMOS管104的漏极和所述第一NPN管106的基极和集电极，集电极接所述第一PMOS管101的栅极和所述第三PMOS管104的栅极和所述第四PMOS管105的栅极和漏极和所述第六PMOS管110的栅极，发射极接所述第一NMOS管108的漏极；所述第一NMOS管108的栅极接电源电压VCC，漏极接所述第二NPN管107的发射极，源极接所述第五PMOS管109的源极；所述第五PMOS管109的栅极接地，漏极接地，源极接所述第一NMOS管108的源极；所述第六PMOS管110的栅极接所述第一PMOS管101的栅极和所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】
零温度系数充电电流的电池充电装置，其特征在于：包括第一PMOS管、第一电阻、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NPN管、第二NPN管、第一NMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第二电阻和电池；所述第一PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的栅极和所述第二NPN管的集电极，漏极接所述第一电阻的一端和所述第二PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第一电阻的一端接所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极，另一端接地；所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第一电阻的一端，漏极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极，源极接电源电压VCC；所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的栅极和所述第二NPN管的集电极，漏极接所述第二PMOS管的漏极和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极，源极接电源电压VCC；所述第四PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第二NPN管的集电极，源极接电源电压VCC；所述第一NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第二PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的漏极和所述第二NPN管的基极，发射极接地；所述第二NPN管的基极接所述第二PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的漏极和所述第一NPN管的基极和集电极，集电极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的栅极，发射极接所述第一NMOS管的漏极；所述第一NMOS管的栅极接电源电压VCC，漏极接所述第二NPN管的发射极，源极接所述第五PMOS管的源极；所述第五PMOS管的栅极接地，漏极接地，源极接所述第一NMOS管的源极；所述第六PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第二NPN管的集电极，漏极接所述第二电阻的一端，源极接电源电压VCC；所述第二电阻的一端接所述第六PMOS管的漏极，另一端接所述电池的正极；所述电池的正极接所述第二电阻的一端，负极接地。...

【技术特征摘要】
1.零温度系数充电电流的电池充电装置，其特征在于：包括第一PMOS管、第一电阻、第
二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NPN管、第二NPN管、第一NMOS管、第五PMOS管、
第六PMOS管、第二电阻和电池；
所述第一PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述
第六PMOS管的栅极和所述第二NPN管的集电极，漏极接所述第一电阻的一端和所述第二PMOS
管的栅极，源极接电源电压VCC；
所述第一电阻的一端接所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极，另一端接地；
所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第一电阻的一端，漏极接所述第
三PMOS管的漏极和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极，源极接电源电压
VCC；
所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述
第六PMOS管的栅极和所述第二NPN管的集电极，漏极接所述第二PMOS管的漏极和所述第一NPN
管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极，源极接电源电压VCC；
所述第四PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一PM...

【专利技术属性】
技术研发人员：王文建，
申请(专利权)人：浙江商业职业技术学院，
类型：新型
国别省市：浙江;33