一种电磁加热软启动结构及其启动方式制造技术

本发明专利技术公开了一种电磁加热软启动结构，包括LC震荡电路、IGBT/MOSFET驱动电路、同步硬件电路、单片机，过零检测电路，所述同步硬件电路与所述单片机连接，所述单片机处理同步信号得到同步脉冲信号；所述单片机与所述IGBT/MOSFET驱动电路连接，由所述单片机输出开关控制信号给所述及IGBT/MOSFET驱动电路，控制所述IGBT/MOSFET电平高、低，所述单片机实时检测过零检测电路，并判定过零点，再根据所述过零检测电路检测的过零点，发送信号至所述单片机，所述单片机会每次在过零点开启软启动。本发明专利技术采用单片机采集电网过零信号，单片机根据系统加热情况从过零点开启软启动进行加热，启动软启动程序能够有效降低电磁加热产生的噪音，达到噪音可接受的目的，提升客户使用满意度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及家用电器
，具体涉及一种电磁加热软启动结构及其启动方式。
技术介绍
饭煲烹饪食物有时需要小火力加热，然而一般的情况是采用间歇加热即加热若干秒关闭若干秒实现小火力加热，这种方式理论上是实现小火力加热，但烹饪效果不好，在此基础上采用快速间歇加热即加热10ms关闭10ms实现，虽然解决了连续低功率加热，随之带来了噪音问题。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术旨在提供一种电磁加热软启动结构及其启动方式。本专利技术能够有效降低电磁加热产生的噪音，提升客户使用满意度。为实现该技术目的，本专利技术的方案是：一种电磁加热软启动结构，包括LC震荡电路、IGBT/MOSFET驱动电路、同步硬件电路、单片机，过零检测电路，所述同步硬件电路与所述单片机连接，所述单片机处理同步信号得到同步脉冲信号；所述单片机与所述IGBT/MOSFET驱动电路连接，由所述单片机输出开关控制信号给所述及IGBT/MOSFET驱动电路，控制所述IGBT/MOSFET电平高、低，所述单片机实时检测过零检测电路，并判定过零点，再根据所述过零检测电路检测的过零点，发送信号至所述单片机，所述单片机会每次在过零点开启软启动。在过零点开启软启动减小电磁加热启动噪音问题。作为优选，所述单片机具有输出功率控制计算程序，经过计算得到触发所述IGBT/MOSFET驱动电路导通宽度，所述单片机根据同步脉冲信号触发PPG开通。一种电磁加热软启动的启动方式，包括以下步骤：1)所述过零检测电路检测过零信号，检测到过零信号反馈至所述单片机后进入下一步骤；2)单次开通固定PPG驱动宽度，在反压最低点处再次开通固定PPG驱动宽度，循环诺干次，进入下一步骤；3)启动正常模式，步骤如“PPG/MOSFET驱动电路”；其中进入所述PPG/MOSFET驱动电路包括以下步骤：A)所述同步硬件电路连接到电磁炉能量转换线盘和所述IGBT/MOSFET驱动电路的开关器件形成电压分压电路，所述单片机根据分压电路处理得到同步脉冲信号；B)所述单片机根据功率的大小计算导通所述IGBT/MOSFET驱动电路的宽度由同步脉冲信号触发PPG开通；C)单片机根据IGBT/MOSFET导通时间结束后自动关闭PPG信号输出；D)返回步骤1)，等待同步硬件电路信号的翻转。本专利技术的有益效果：本专利技术采用单片机采集电网过零信号，单片机根据系统加热情况从过零点开启软启动进行加热，启动软启动程序能够有效降低电磁加热产生的噪音，达到噪音可接受的目的，提升客户使用满意度。附图说明图1为本专利技术的电路结构原理图；图2为本专利技术的过零检测电路检测波形示意图；图3为本专利技术的PPG信号波形示意图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术做进一步详细说明。如图1所示，本专利技术的最佳具体实施例的一种电磁加热软启动结构，包括LC震荡电路、IGBT/MOSFET驱动电路、同步硬件电路、单片机，过零检测电路，所述同步硬件电路与所述单片机连接，所述单片机处理同步信号得到同步脉冲信号；所述单片机与所述IGBT/MOSFET驱动电路连接，由所述单片机输出开关控制信号给所述及IGBT/MOSFET驱动电路，控制所述IGBT/MOSFET电平高、低，所述单片机实时检测过零检测电路，并判定过零点，再根据所述过零检测电路检测的过零点，发送信号至所述单片机，所述单片机会每次在过零点开启软启动。在过零点开启软启动减小电磁加热启动噪音问题。作为优选，所述单片机具有输出功率控制计算程序，经过计算得到触发所述IGBT/MOSFET驱动电路导通宽度，所述单片机根据同步脉冲信号触发PPG开通。一种电磁加热软启动的启动方式，包括以下步骤：1)所述过零检测电路检测过零信号，检测到过零信号反馈至所述单片机后进入下一步骤；2)单次开通固定PPG驱动宽度，在反压最低点处再次开通固定PPG驱动宽度，循环诺干次，进入下一步骤；3)启动正常模式，步骤如“PPG/MOSFET驱动电路”；其中进入所述PPG/MOSFET驱动电路包括以下步骤：A)所述同步硬件电路连接到电磁炉能量转换线盘和所述IGBT/MOSFET驱动电路的开关器件形成电压分压电路，所述单片机根据分压电路处理得到同步脉冲信号；B)所述单片机根据功率的大小计算导通所述IGBT/MOSFET驱动电路的宽度由同步脉冲信号触发PPG开通；C)单片机根据IGBT/MOSFET导通时间结束后自动关闭PPG信号输出；D)返回步骤1)，等待同步硬件电路信号的翻转。该专利技术的具体工作集体步骤如下：1、单片机检测过零信号，检测到过零信号进入下一步骤，过零信号如图2所示；2、单次开通固定PPG驱动宽度，在反压最低点处再次开通固定PPG驱动宽度，循环诺干次，进入下一步骤，软启动如图3软启动模式所示；3、同步硬件电路连接到电磁炉能量转换线盘和IGBT/MOSFET开关器件形成电压分压电路，单片机根据分压电路处理得到同步脉冲信号；4、单片机根据功率的大小计算导通IGBT/MOSFET的宽度由同步脉冲信号触发PPG开通；5、单片机根据IGBT/MOSFET导通时间结束后自动关闭PPG信号输出；6、返回步骤3)，等待同步硬件电路信号的翻转，工作过程如图3正常模式所示。本专利技术技术方案的设计要点在于采用单片机采集电网过零信号，单片机根据系统加热情况从过零点开启软启动进行加热，启动软启动程序能够有效降低电磁加热产生的噪音，达到噪音可接受的目的，提升客户使用满意度。以上所述，仅为本专利技术的较佳实施例，并不用以限制本专利技术，凡是依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同替换和改进，均应包含在本专利技术技术方案的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电磁加热软启动结构，其特征在于：包括LC震荡电路、IGBT/MOSFET驱动电路、同步硬件电路、单片机，过零检测电路，所述同步硬件电路与所述单片机连接，所述单片机处理同步信号得到同步脉冲信号；所述单片机与所述IGBT/MOSFET驱动电路连接，由所述单片机输出开关控制信号给所述及IGBT/MOSFET驱动电路，控制所述IGBT/MOSFET电平高、低，所述单片机实时检测过零检测电路，并判定过零点，再根据所述过零检测电路检测的过零点，发送信号至所述单片机，所述单片机会每次在过零点开启软启动。

【技术特征摘要】
1.一种电磁加热软启动结构，其特征在于：包括LC震荡电路、IGBT/MOSFET
驱动电路、同步硬件电路、单片机，过零检测电路，所述同步硬件电路与所述单
片机连接，所述单片机处理同步信号得到同步脉冲信号；所述单片机与所述
IGBT/MOSFET驱动电路连接，由所述单片机输出开关控制信号给所述及
IGBT/MOSFET驱动电路，控制所述IGBT/MOSFET电平高、低，所述单片机实时检
测过零检测电路，并判定过零点，再根据所述过零检测电路检测的过零点，发送
信号至所述单片机，所述单片机会每次在过零点开启软启动。
2.根据权利要求1所述的电磁加热软启动结构，其特征在于：所述单片机
具有输出功率控制计算程序，经过计算得到触发所述IGBT/MOSFET驱动电路导通
宽度，所述单片机根据同步脉冲信号触发PPG开通。
3.一种电磁加热软启动结构的启动方...

【专利技术属性】
技术研发人员：高新忠，甘嵩，冯祥远，徐庆荣，
申请(专利权)人：杭州信多达电器有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33