X射线发生管、X射线发生装置和射线照相系统制造方法及图纸

技术编号:14973397 阅读:116 留言:0更新日期:2017-04-03 01:17
本发明专利技术涉及X射线发生管、X射线发生装置和射线照相系统。X射线发生管包括:阳极,包括被配置为在电子的照射下生成X射线的靶,以及与所述靶电连接的阳极构件;阴极,包括被配置为沿着朝向所述靶的方向发射电子束的电子发射源,以及与所述电子发射源电连接的阴极构件;以及绝缘管,在所述阳极构件和所述阴极构件之间延伸。所述阳极还包括与所述阳极构件电连接的内周阳极层,所述内周阳极层沿着所述绝缘管的内周面延伸,并且远离所述阴极构件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及可以应用到医疗设备和工业设备等领域中的非破坏性X射线成像的X射线发生装置,以及具有X射线发生装置的射线照相系统。
技术介绍
最近,具有微聚焦X射线发生管的X射线检查装置已经开始用于电子设备的检查。应用到这样的X射线检查装置的微聚焦X射线发生管被称为具有透射靶的透射型X射线发生管。透射型X射线发生管与反射型靶相比在如下方面是有优势的,即可以确保宽的辐射角、短的源-物体间距离(SOD)和大的放大倍数。日本专利公开号2012-104272公开了透射型微聚焦X射线发生管,其中导电波纹管置于靶的后面,因而抑制由于后向散射的电子导致的波纹管的带电并且使电子轨迹稳定化。日本专利公开号2012-104272还公开了,其中说明的透射型微聚焦X射线发生管由于抑制了带电,从而改进了焦点的位置精度并且减少了焦点未对准的状态。日本专利公开号2002-298772公开了透射型微聚焦X射线发生管,其中电子发射源(在其尖端具有聚焦透镜电极)很接近靶。日本专利公开号2012-104272和日本专利公开号2002-298772二者公开的透射型微聚焦X射线发生管具有朝向靶突出的电子发射源以及管状的阳极构件,所述管状的阳极构件在阴极侧延伸以在管轴方向上与电子发射源交迭。
技术实现思路
在日本专利公开号2012-104272和日本专利公开号2002-298772中公开的透射型微聚焦X射线发生管,特别是比起在X射线发生管的阳极/阴极管轴方向上的沿面距离而言,具有相对短的绝缘距离,因此很难实现尺寸的减小和必要的分辨率(X射线管电压的上限)二者,因而限制了其可销售性。提供实现耐电压性能和减小尺寸二者的透射型微聚焦X射线发生管和透射型微聚焦X射线发生装置已经是所期望的。提供能够产出高清晰度透射X射线图像的射线照相系统也已经是所期望的。X射线发生管包括:阳极,包括配置为在电子的照射下生成X射线的靶,以及与所述靶电连接的阳极构件;阴极,包括被配置为沿着朝向所述靶的方向发射电子束的电子发射源以及与所述电子发射源电连接的阴极构件;以及绝缘管,在所述阳极构件和所述阴极构件之间延伸。所述阳极还包括与所述阳极构件电连接的内周阳极层,所述内周阳极层沿着绝缘管的内周面延伸,并且远离所述阴极构件。参照附图,根据下面对示例性实施例的说明,本专利技术的进一步的特征将变得清晰。附图说明图1A到图1C是例示了根据本专利技术的第一实施例的X射线发生管的示意性配置图。图2A和图2B是说明与第一实施例相关的技术意义的示意图。图3A到图3C是说明与第一实施例相关的其它技术意义的示意图。图4是例示了根据本专利技术的第二实施例的X射线发生装置的配置图。图5是例示了根据本专利技术的第三实施例的射线照相系统的配置图。图6是例示了用于示例性实施例的评价系统的配置图。具体实施方式下面将参照附图,对根据本专利技术的X射线发生管和微聚焦X射线发生装置的实施例做出示例性说明。然而,应注意到的是,实施例中说明的配置的材料、尺寸、形状、位置关系等等不是旨在限制本专利技术的范围,除非具体声明。将参照图1A到图5对X射线发生管102、X射线发生装置101和射线照相系统200做出说明。第一实施例:X射线发生管首先,将参照图1A到图1C对根据本专利技术的X射线发生管的基本配置做出说明,图1A到图1C例示了根据第一实施例的透射型X射线发生管102。X射线发生管102具有电子发射源9和透射靶1。本专利技术属于具有透射靶的透射型X射线发生管。因此,在本说明书中,为了简明的目的,术语“透射靶”和“透射型X射线发生管”此后将简称为“靶”和“X射线发生管”。X射线发生管102通过用从电子放出单元6放出的电子束流10照射靶1来生成X射线,电子发射源9具有所述电子放出单元6。阴极104至少包括放出电子的电子发射源9以及阴极构件8,该阴极构件8用作在X射线发生管102的阴极侧限定静电场的电极构件以及组成外围器111的结构构件。绝缘管4用于在阴极104和之后说明的阳极103之间绝缘,并且还与阳极103和阴极104一起组成外围器111。内部空间13由外围器111限定。使用诸如玻璃材料或陶瓷材料等的绝缘材料来配置绝缘管4。绝缘管4在管轴方向Dtc上的两端处与阴极104和之后说明的阳极103中的每一个相连接,使得之后说明的靶1和电子发射源9彼此面对。阳极103至少包括通过用电子照射而生成X射线的靶1以及阳极构件2,所述阳极构件2用作调节靶1的电位和X射线发生管102的阳极侧的电位的电极构件和组成外围器111的结构构件。根据本实施例的阳极103还沿着之后说明的绝缘管4的内周面设置并且从阳极构件2朝向阴极构件8延伸。阳极103包括远离阴极构件8的内周阳极层3。如图1B和1C所例示的,内周阳极层3在管轴方向Dtc上从阳极103侧朝向阴极104的途中以沿面距离Laa覆盖绝缘管4的内周面。对阴极阳极端11作为内周阳极层3的朝向阴极侧的端部,环状包围着本实施例中的电子发射源9的头部23。也就是说,内周阳极层3通过沿着管周方向Dta延伸全周以包围头部23。之后将说明头部23和对阴极阳极端11之间的布局关系。应注意到,图1B和图1C分别示出了沿着图1A中的线IB和IC截取的剖面。如图1A到图1C所例示的,当在本说明书中定义有关X射线发生管102和绝缘管4的方向时,将使用管轴方向Dtc、管周方向Dta和管径方向Dtd中的一个。管轴方向Dtc、管周方向Dta和管径方向Dtd中的每一个匹配绝缘管4和X射线发生管102而不失一般性。管轴方向Dtc对应于图1A中的绝缘管4的开口的中心延伸的方向。管轴方向Dtc与本实施例中的阴极构件8和阳极构件2的法线平行。管周方向Dta对应于图1B中的绝缘管4的管壁延伸的环形方向。管径方向Dtd是规定绝缘管4的直径的方向,并且与垂直于管轴方向Dtc并且穿过绝缘管4的中心轴CA的方向一致。接下来,将参照图1A到图3C对作为本专利技术的特征的内周阳极层的技术意义进行说明。图2A和图2B例示了作为参考示例的X射线发生管112和113,所述X射线发生管112和113与根据第一实施例的X射线发生管102不同之处在于,所述X射线发生管112和113不具有内周阳极层。图2A中例示的根据参考示例的X射线发生管112展示了依据其曝光历史的X射线焦点FS的本文档来自技高网...
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【技术保护点】
一种X射线发生管,其特征在于包括:阳极,包括:靶,被配置为在电子的照射下生成X射线,以及阳极构件,与所述靶电连接;阴极,包括:电子发射源,被配置为沿着朝向所述靶的方向发射电子束,以及阴极构件,与所述电子发射源电连接;以及绝缘管,在所述阳极构件和所述阴极构件之间延伸,其中所述阳极还包括与所述阳极构件电连接的内周阳极层,所述内周阳极层沿着所述绝缘管的内周面延伸并且远离所述阴极构件。

【技术特征摘要】
2014.11.28 JP 2014-2424571.一种X射线发生管,其特征在于包括:
阳极,包括:
靶,被配置为在电子的照射下生成X射线,以及
阳极构件,与所述靶电连接;
阴极,包括:
电子发射源,被配置为沿着朝向所述靶的方向发射电子束,
以及
阴极构件,与所述电子发射源电连接;以及
绝缘管,在所述阳极构件和所述阴极构件之间延伸,
其中所述阳极还包括与所述阳极构件电连接的内周阳极层,所述
内周阳极层沿着所述绝缘管的内周面延伸并且远离所述阴极构件。
2.根据权利要求1所述的X射线发生管,
其中所述电子发射源从所述阴极构件朝向所述靶突出,而所述内
周阳极层具有在管轴方向上与所述电子发射源交迭的部分。
3.根据权利要求2所述的X射线发生管,
其中所述电子发射源包括:
头部,面向所述阳极构件,以及
颈部,与所述头部和所述阴极构件相连接,其中所述颈部的在管
径方向上的半径比所述头部的在管径方向上的半径小。
4.根据权利要求3所述的X射线发生管,
其中所述头部被形成为静电透镜电极。
5.根据权利要求4所述的X射线发生管,
其中所述静电透镜电极是聚焦透镜电极。
6.根据权利要求1所述的X射线发生管,
其中所述内周阳极层在所述绝缘管的所述内周面的周向上是连续
的。
7.根据权利要求3所...

【专利技术属性】
技术研发人员:盐泽崇史辻野和哉角田浩一伊藤靖浩三道和宏五十岚洋一
申请(专利权)人:佳能株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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