三氯氢硅的合成工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种三氯氢硅的合成工艺，包括硅粉(Si)和氯化氢(HCl)的低压合成法制备三氯氢硅TCS的流程与设备，所述设备主要包括二氯二氢硅DCS蒸发器和流化床反应器，把精馏工段的二氯二氢硅DCS在蒸发器中气化，然后将气态的二氯二氢硅DCS通入流化床反应器和过量的HCl反应来制备三氯氢硅；精馏工段一定时间内聚集的DCS反应结束后，转入硅粉(Si)和氯化氢(HCl)的低压合成法制备三氯氢硅TCS的流程。该方法既是一种新的TCS的制备方法，同时也解决了一个传统改良西门子法的弊端：DCS富集的问题,工艺简洁、易操作、安全、稳定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于化工合成
，具体涉及一种三氯氢硅的合成工艺。
技术介绍
三氯氢硅，化学式SiHCl3，是一种无色有刺激腥臭味的液体，有毒。遇水分解，溶于二硫化碳、四氯化碳、氯仿、苯等。易燃，在空气中能自燃。在目前三氯氢硅的合成工艺过程方法中，工艺流程不易于实施，生成的产物纯度低，反应条件苛刻，反应物单程转化率低，制作工序复杂，生产效率低而且成本造价高，不适合大规模生产。
技术实现思路
为了克服现有
存在的上述技术问题，本专利技术的目的在于，提供一种三氯氢硅的合成工艺，本专利技术不仅制作工序简单、提高工作效率，而且生成的三氯氢硅产品纯度大，易于控制，适合工业化生产。本专利技术提供的三氯氢硅的合成工艺，包括以下步骤：（1）把精馏工段的二氯二氢硅DCS在蒸发器中气化，然后将气态的二氯二氢硅DCS通入流化床反应器和过量的HCl反应来制备三氯氢硅；（2）精馏工段15-20小时内聚集的DCS反应结束后，转入硅粉(Si)和氯化氢(HCl)的低压合成法制备三氯氢硅TCS的流程。本专利技术提供的三氯氢硅的合成工艺，其有益效本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三氯氢硅的合成工艺，其特征在于：所述方法包括以下步骤：　（1）把精馏工段的二氯二氢硅DCS在蒸发器中气化，然后将气态的二氯二氢硅DCS通入流化床反应器和过量的HCl反应来制备三氯氢硅；  （2）精馏工段15‑20小时内聚集的DCS反应结束后，转入硅粉(Si)和氯化氢(HCl)的低压合成法制备三氯氢硅TCS的流程。

【技术特征摘要】
1.一种三氯氢硅的合成工艺，其特征在于：所述方法包括以下步骤：
（1）把精馏工段的二氯二氢硅DCS在蒸发器中气化，然后将气态的二氯二氢硅DCS通入流化床反应器和过量的H...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晶，
申请(专利权)人：青岛首泰农业科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37