标准硅工艺下的高响应度光电三极管制造技术

标准硅工艺下的高响应度光电三极管，涉及光电三极管。自下而上设有七层，第一层为轻掺杂的P衬底，第二层为P阱和N阱，第三层为金属Al、N+、P+层，第四层为二氧化硅绝缘介质层、第五层为二氧化硅绝缘介质层、第六层为二氧化硅绝缘介质层，第七层为Si3N4表面钝化层。从低成本角度出发，采用0.25μm Si标准工艺。建立在纵向PNP型三极管基础之上，与商业的Si标准工艺完全兼容的用于光电集成的高响应度光电三极管及其制备方法。设计光电三极管的思路则是建立在纵向PNP型三极管基础之上，基于0.25μmSi标准工艺进行了结构建模和特性仿真，根据仿真结果进行优化设计最终确定流片的光电三极管结构。

High responsivity photoelectric triode in standard silicon process

The utility model relates to a high responsivity photoelectric triode under the standard silicon process, which relates to a photoelectric triode. From the bottom to the top is provided with seven layers, the first layer is P lightly doped substrate, second layers of P and N wells, the third layer of metal Al, N+, P+ layer, the fourth layer is a silicon dioxide insulating dielectric layer, the fifth layer is silicon dioxide dielectric layer and the sixth layer of SiO2 dielectric layer, the seventh layer is Si3N4 surface passivation layer. From the point of view of low cost, using 0.25 m standard Si technology. The invention relates to a high responsivity photoelectric transistor which is based on a vertical PNP type transistor, and is fully compatible with a commercial Si standard process, and a preparation method thereof. The design idea of photoelectric triode is established on the basis of the vertical PNP transistor based simulation modeling and structure characteristics of 0.25 mSi standard process based on the optimized design of phototriode final tapeout tube structure according to the simulation results.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电三极管，尤其是涉及标准硅工艺下的高响应度光电三极管。
技术介绍
随着信息时代发展，对信息技术的要求越来越高,如:超高速大容量长距离光纤通信、相干光通信、多功能低功耗的光信息处理技术、微功耗光互连、光计算机等。光电子器件的集成化是实现这些目标的必由之路。现有的光电子器件所使用的材料多种多样，既有磷化铟(InP)、砷化镓(GaAs)等III–V族化合物，又有硅(Si)、锗(Ge)等V族材料,器件分立，工艺互不兼容，各种不同功能的器件难以集成到一起(参见中国专利CN200910112909.5：用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法)。硅材料价格低廉,并且由硅基集成电路工业发展出来的各种硅基微纳加工技术越来越成熟,使得人们寄希望于制作出硅基微纳光子器件，比如激光器、探测器等,这些硅基光电器件与硅基强大功能的集成电路相结合的光电集成电路(OEIC)技术，以其更优异的性能价格，引起越来越多的研究关注。其中技术难点在于如何在不改变现有硅基集成电路工艺的条件下得到性能优异的光电器件。现硅基光电集成技术多关注光电二极管与放大电路的光电集成，但硅基标准工艺兼容的光电二极管的响本文档来自技高网...

【技术保护点】
标准硅工艺下的高响应度光电三极管，其特征在于自下而上设有七层，第一层为轻掺杂的P衬底，第二层为P阱和N阱，第三层为金属Al、N+、P+层，第四层为二氧化硅绝缘介质层、第五层为二氧化硅绝缘介质层、第六层为二氧化硅绝缘介质层，第七层为Si3N4表面钝化层。

【技术特征摘要】
1.标准硅工艺下的高响应度光电三极管，其特征在于自下而上设有七层，第一层为轻掺杂的P衬底，第二层为P阱和N阱，第三层为金属Al、N+、P+层，第四层为二氧化硅绝缘介质层、第五层为二氧化硅绝缘介质层、第六层为二氧化硅绝缘介质层，第七层为Si3N4表面钝化层。2.如权利要求1所述标准硅工艺下的高响应度光电三极管，其特征在于所述轻掺杂的P衬底厚度为2.5μm。3.如权利要求1所述标准硅工艺下的高响应度光电三极管，其特征在于所述P阱和N阱的厚度为1.25μm。4.如权利要求1所述标准硅工艺下的高响应度光电三极管，其特征在于所述金属Al、N+、P+层的厚度为0.12μm。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：程翔，卢杭全，陈朝，任雪畅，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：福建;35