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标准硅工艺下的高响应度光电三极管，涉及光电三极管。自下而上设有七层，第一层为轻掺杂的P衬底，第二层为P阱和N阱，第三层为金属Al、N+、P+层，第四层为二氧化硅绝缘介质层、第五层为二氧化硅绝缘介质层、第六层为二氧化硅绝缘介质层，第七层为Si...
该专利属于厦门大学所有，仅供学习研究参考，未经过厦门大学授权不得商用。

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