一种抑制谐波与杂散的射频功率放大器、芯片及通信终端制造技术

本发明专利技术公开了一种抑制谐波与杂散的射频功率放大器、芯片及通信终端。该射频功率放大器包括电源、LDO电路、谐波抑制单元、杂散抑制单元、放大单元、低通匹配网络。一方面，通过使电源连接谐波抑制单元，抑制电源在谐振频率处的谐波与杂散。并且，通过杂散抑制单元降低放大单元在谐振频率处的增益，从而降低输出杂散。另一方面，通过在本射频功率放大器的输出端嵌入低通匹配网络，有效抑制经放大单元放大的射频信号在不同频率处的谐波与杂散。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种射频功率放大器，尤其涉及一种可以抑制谐波与杂散的射频功率放大器，同时也涉及包括该射频功率放大器的芯片及通信终端，属于集成电路

技术介绍
随着无线通信技术的飞速发展，对无线收发器的线性性能要求逐步提高。射频功率放大器作为发射机中的最后一级，很大程度上影响了整个收发机的线性性能。通常，射频功率放大器的最后一级采用A类或B类功率放大器。由于非线性失真的影响，当信号增加到一定程度时，射频功率放大器因工作在非线性区而产生一系列谐波与杂散，很大程度上影响了射频功率放大器的线性性能，所以抑制谐波与杂散成为提高射频功率放大器线性度的重要措施。在申请号为201510057384.5的中国专利申请中，公开了一种改善射频功率放大器谐波性能的电路结构。该电路结构包括射频功率放大管、二次谐波抑制网络、三次谐波抑制网络、高次谐波抑制网络、第一匹配电感、第二匹配电感和隔直电容；其中，第一匹配电感、第二匹配电感、三次谐波抑制网络和高次谐波抑制网络构成功率放大器的低通输出匹配网络并连接于功放管的集电极处；二次谐波抑制网络连接于功放管的集电极，独立于输出匹配网络且抑制频率可调节，三次和高次本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抑制谐波与杂散的射频功率放大器，其特征在于包括电源、LDO电路、谐波抑制单元、杂散抑制单元、放大单元、低通匹配网络；其中，所述电源与所述谐波抑制单元连接，在所述LDO电路与所述放大单元之间设置所述杂散抑制单元；在所述放大单元的输出端设置所述低通匹配网络，通过所述低通匹配网络产生多个谐振频率，抑制经所述放大单元放大的射频信号在所述谐振频率处的谐波与杂散。

【技术特征摘要】
1.一种抑制谐波与杂散的射频功率放大器，其特征在于包括电源、LDO电路、谐波抑制单元、杂散抑制单元、放大单元、低通匹配网络；其中，所述电源与所述谐波抑制单元连接，在所述LDO电路与所述放大单元之间设置所述杂散抑制单元；在所述放大单元的输出端设置所述低通匹配网络，通过所述低通匹配网络产生多个谐振频率，抑制经所述放大单元放大的射频信号在所述谐振频率处的谐波与杂散。2.如权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于：所述电源包括第一电源和第二电源，所述第一电源与所述第二电源共用所述谐波抑制单元。3.如权利要求1或2所述的射频功率放大器，其特征在于：所述谐波抑制单元的一端分别与所述电源连接，另一端接地；通过所述谐波抑制单元产生多个谐振频率，抑制所述电源在所述谐振频率处的谐波与杂散。4.如权利要求3所述的射频功率放大器，其特征在于：所述谐波抑制单元为多个LC串联谐振电路并联组成的LC阵列，每个LC串联谐振电路由电容与电感串联组成。5.如权利要求1或2所述的射频功率放大器，其特征在于：所述杂散抑制单元由多个负载级联组成，每一级负载通过隔离电感与下一级负载连接，实现对杂散的隔离。6.如权利要求5所述的射频功率放大器，其特征在于：所述每一级负载包括负载电感与LC阵列，所述LC阵列的一端分别与所述负载电感和所述隔离电感连接，另一端接地；所述负载电感的另一端与放大单元中对应的晶体管的集电极或漏极连接，所述晶体管的发射极或源极接地；通过所述每一级负载产生低于工...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵锦鑫，白云芳，林升，
申请(专利权)人：唯捷创芯天津电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12