一种有机发光显示面板、电子设备及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种有机发光显示面板、电子设备及其制作方法，包括层叠设置的至少第一电极、发光层、第一功能层以及第二电极；其中，所述第一功能层至少包括第一类型阻挡层，所述第一类型阻挡层紧邻所述发光层设置；所述第一类型阻挡层中掺杂有第一客体材料；所述第一类型阻挡层的主体材料的第二类型载流子迁移率与所述第一客体材料的第二类型载流子迁移率的比值大于等于10；所述第一类型为空穴型，所述第二类型为电子型；或者所述第一类型为电子型，所述第二类型为空穴型，本发明专利技术提高了有机发光显示面板的效率和寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及显示
，尤其涉及一种有机发光显示面板、电子设备及其制作方法。
技术介绍
有机电致发光器件的结构一般包括对应每个像素区域的阳极、辅助功能层(如空穴传输层，电子传输层，电子注入层等)、发光层和阴极，当电压被施加到阳极与阴极上时，空穴和电子分别传输移动至发光层，二者在发光层中复合形成激子；激子在电场的作用下发生迁移，将能量传递给发光材料，并激发发光材料中的电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活产生光子，释放出光能。对于现有的有机电致发光器件而言，空穴和电子常常穿越发光层，分别向阴极和阳极传输，这类空穴和电子的能量由于未能够用来激发材料发光，从而使得器件的效率和寿命降低。与此同时，空穴和电子复合形成激子后向两侧扩散，一部分激子就会扩散到未掺杂发光材料的其他区域，例如空穴传输层或者电子传输层等，然后发生衰减，然而这类激子的衰减不能产生光子，这也造成有机电致发光器件的发光效率降低。此外，过多的电子和空穴在空穴传输层和电子传输层积累，会导致空穴传输层材料和电子传输层材料处于一种不稳定的带电荷状态，这种带电荷的物质会容易发生不可逆的化学变化，导致材料变质，反应在器件上最明显的变化是器件的寿命降低，效率也会降低。
技术实现思路
本专利技术提供一种有机发光显示面板、电子设备及其制作方法，以实现提高有机发光显示面板的效率和寿命。第一方面，本专利技术实施例提供了一种有机发光显示面板，包括层叠设置的至少第一电极、发光层、第一功能层以及第二电极；其中，所述第一功能层至少包括第一类型阻挡层，所述第一类型阻挡层紧邻所述发光层设置；所述第一类型阻挡层中掺杂有第一客体材料；所述第一类型阻挡层的主体材料的第二类型载流子迁移率与所述第一客体材料的第二类型载流子迁移率的比值大于等于10；所述第一类型为空穴型，所述第二类型为电子型；或者所述第一类型为电子型，所述第二类型为空穴型。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种电子设备，包括上述有机发光显示面板。第三方面，本专利技术实施例还提供了一种有机发光显示面板的制作方法，包括：依次形成第一电极、发光层、第一功能层和第二电极；或，依次形成第二电极、第一功能层、发光层和第一电极；其中，所述第一功能层至少包括第一类型阻挡层，所述第一类型阻挡层紧邻所述发光层设置；所述第一类型阻挡层中掺杂有第一客体材料；所述第一类型阻挡层的主体材料的第二类型载流子迁移率与所述第一客体材料的第二类型载流子迁移率的比值大于等于10；所述第一类型为空穴型，所述第二类型为电子型；或者所述第一类型为电子型，所述第二类型为空穴型。本专利技术实施例通过在发光层与第二电极之间设置第一类型阻挡层，因此可以阻挡过多的第一类型载流子穿越发光层传输至发光层远离第一电极的一侧，避免激子扩散至发光层以外的区域，从而可以提高激子的产率，进而提高器件发光效率。此外，本专利技术中第一类型阻挡层掺杂有第一客体材料，并且设置第一类型阻挡层的主体材料对应的第二类型载流子迁移率与第一客体材料对应的第二类型载流子迁移率的比值大于或等于10，即在第一类型阻挡层中掺杂第二类型载流子迁移率较小的客体材料，调节在器件中电子和空穴平衡，使电子和空穴的复合区域位于发光层中，提高器件发光效率和寿命；此外，本申请阻挡层中的两种材料三线态能级均高于发光层，防止了部分电子和空穴复合形成的激子的向发光层两侧的有机层扩散，从而进一步提高有机电致发光器件的效率。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种有机发光显示面板的剖面结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的电子偏多有机发光显示面板与现有技术的寿命测试结果对比图；图3为图2实施例提供的电子偏多有机发光显示面板与现有技术的电流密度-外量子效率测试结果对比图；图4为本专利技术实施例提供的又一种有机发光显示面板的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的空穴偏多有机发光显示面板与现有技术的寿命测试结果对比图；图6为图5实施例提供的有机发光显示面板与现有技术的电流密度-外量子效率测试结果对比图；图7为本专利技术实施例提供的又一种有机发光显示面板的结构示意图；图8为本专利技术实施例提供的一种电子设备的结构示意图；图9为本专利技术实施例提供的一种有机发光显示面板的制作方法的流程图；图10为本专利技术实施例提供的又一种有机发光显示面板的制作方法的流程图；图11为本专利技术实施例提供的又一种有机发光显示面板的制作方法的流程图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。本专利技术实施例提供了一种有机发光显示面板，包括层叠设置的至少第一电极、发光层、第一功能层以及第二电极。其中，第一功能层至少包括第一类型阻挡层，第一类型阻挡层紧邻发光层设置。第一类型阻挡层中掺杂有第一客体材料；第一类型阻挡层的主体材料的第二类型载流子迁移率与第一客体材料的第二类型载流子迁移率的比值大于等于10。需要说明的是，上述第一类型可以为空穴型，第二类型为电子型；或者第一类型为电子型，第二类型为空穴型。相应的，第一则电极为OLED器件的阳极，第二电极为OLED器件阴极，或者第一电极为OLED器件阴极，第二电极为OLED器件阳极。需要说明的是，第一功能层除了包括第一类型阻挡层，还可以包括第一类型注入层、第一类型传输层中的至少一种。本专利技术可以调节电子偏多型器件，也可以调节空穴偏多型器件的激子复合发光的位置，防止电子和空穴复合后形成激子向发光层两侧的膜层扩散。例如对于电子偏多型器件，本专利技术提供的有机发光显示面板的结构包括：层叠设置的至少第一电极、发光层、第一功能层以及第二电极。其中，第一功能层至少包括空穴阻挡层，所述空穴阻挡层紧邻发光层设置；空穴阻挡层中掺杂有第一客体材料；空穴阻挡层的主体材料的电子迁移率与空穴阻挡层的客体材料的电子迁移率的比值大于等于10。首先，由于在发光层与第二电极之间设置空穴阻挡层，因此可以阻挡过多的空穴穿越发光层传输至发光层远离第一电极的一侧，避免激子扩散至发光层以外的区域，从而可以提供激子利用率，提高器件发光效率。此外，本专利技术中空穴阻挡层掺杂有第一客体材料，并且设置空穴阻挡层的主体材料对应的电子迁移率与空穴阻挡层的第一客体材料对应的电子迁移率的比值大于或等于10，即在空穴阻挡层中掺杂电子迁移率较小的客体材料，对于电子偏多的器件，可以起到减弱电子的传输作用，调节在发光层中电子和空穴平衡，使电子和空穴的复合区域位于发光层中，提高器件发光效率和寿命；此外，空穴阻挡层中的两种材料三线态能级均高于发光层，防止了部分电子和空穴复合形成的激子的向发光层以外的有机层扩散，从而进一步提高有机电致发光器件的效率。而对于空穴偏多型器件，本专利技术提供的有机发光显示面板的结构包括：层叠设置的至少第一电极、发光层、第一功能层以及第二电极；其中，第一功能层至少包括电子阻挡层，所述电子阻挡层紧邻发光层设置；电子阻挡层中掺杂有第一客体材料；电子阻挡层的主体材料的空穴迁移率与电子阻挡层的第一客体材料的空穴迁移率的比值大于等于10。首先，由于在发光层与第二电极之间设置电子阻挡层，因此可以阻挡过多的电子穿越发光层传输至发光层远离第一电极的一侧，避免激子扩散至发光层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光显示面板，包括：层叠设置的至少第一电极、发光层、第一功能层以及第二电极；其中，所述第一功能层至少包括第一类型阻挡层，所述第一类型阻挡层紧邻所述发光层设置；所述第一类型阻挡层中掺杂有第一客体材料；所述第一类型阻挡层的主体材料的第二类型载流子迁移率与所述第一客体材料的第二类型载流子迁移率的比值大于等于10；所述第一类型为空穴型，所述第二类型为电子型；或者所述第一类型为电子型，所述第二类型为空穴型。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光显示面板，包括：层叠设置的至少第一电极、发光层、第一功能层以及第二电极；其中，所述第一功能层至少包括第一类型阻挡层，所述第一类型阻挡层紧邻所述发光层设置；所述第一类型阻挡层中掺杂有第一客体材料；所述第一类型阻挡层的主体材料的第二类型载流子迁移率与所述第一客体材料的第二类型载流子迁移率的比值大于等于10；所述第一类型为空穴型，所述第二类型为电子型；或者所述第一类型为电子型，所述第二类型为空穴型。2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于：所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极，所述第一类型为空穴型，所述第二类型为电子型；TB>TC；TA>TC；HOMOB-HOMOC≥0.3eV；HOMOA-HOMOC≥0.3eV；其中，所述第一类型阻挡层的主体材料B的三线态能级为TB；所述第一客体材料A的三线态能级为TA；所述第一类型阻挡层的主体材料B的最高已占有轨道能级为HOMOB；所述第一客体材料A的最高已占有轨道能级为HOMOA；所述发光层的主体材料C的三线态能级为TC；所述发光层的主体材料的最高已占有轨道能级为HOMOC。3.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于：所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极，所述第一类型为电子型，所述第二类型为空穴型；TE>TC；TD>TC；LUMOE-LUMOC≥0.3eV；LUMOD-LUMOC≥0.3eV；其中，所述第一类型阻挡层的主体材料E的三线态能级为TE；所述第一客体材料D的三线态能级为TD；所述第一类型阻挡层的主体材料E的最低未占有轨道能级为LUMOE；所述第一客体材料D的最低未占有轨道能级为LUMOD；所述发光层的主体材料C的三线态能级为TC；所述发光层的主体材料C的最低未占有轨道能级为LUMOC。4.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述第一电极和所述发光层之间还设置有第二功能层；所述第二功能层至少包括第二类型阻挡层，所述第二类型阻挡层紧邻所述发光层设置；所述第二类型阻挡层中掺杂有第二客体材料；所述第二类型阻挡层的主体材料的第一类型载流子迁移率与所述第二客体材料的第一类型载流子迁移率的比值大于等于10。5.根据权利要求2所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述第一类型阻挡层的主体材料B包括3,3’-[5’-[3-(3-吡啶基)苯基][1,1’:3’,1”-三联苯]-3,3”-二基]二吡啶TmPyPB、4,4'-二(9-咔唑)联苯BCP、2-甲基-双-4,6-(3,5-双-(4-吡啶基)苯基)嘧啶B4PyMPM、星状噁二唑和1,3,5-三(N-苯基-2-苯并咪唑)苯TPBi中的至少一种；所述第一客体材料A包括8-羟基喹啉铝Alq3、8-羟基喹啉锂Liq、2-(4-联苯基)-5-苯基恶二唑PBD、2,5-双-(4-萘基)-1,3,4-噁二唑BND、三-(2，3,5,6-三甲基)苯基硼和2,5-二芳基硅中的至少一种。6.根据权利要求3所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述第一类型阻挡层的主体材料E包括4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]TAPC和N,N’-双-(3甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1’-联苯基]-4,4’-二胺TPD中的至少一种；所述第一客体材料D包括N，N’-二咔唑基-3,5-苯mCP、4,4’,4”-三咔唑基-三苯基胺TCTA和N,N’-双-(4-氟苯基)-N,N’-双-(3-甲基苯基)-9,9’-二甲基芴-2,7-二胺中的至少一种。7.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述第一类型阻挡层中的主体材料的含量大于或等于90％。8.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于：所述第一类型阻挡层中的主体材料的第二类型载流子迁移率大于等于10-4cm-2/V·S，小于等于10-3cm-2/V·S；所述第一客体材料的第二类型载流子迁移率小于等于10-4cm-2/V·S。9.根据权利要求4所述的有机发光显示面板，其特征在于：所述第二类型阻挡层中的主体材料的第一类型载流子迁移率大于等于10-4cm-2/V·S，小于等于10-3cm-2/V·S；所述第二客体材料的第一类型载流子迁移率小于等于10-...

【专利技术属性】
技术研发人员：王淼，滨田，王湘成，何为，牛晶华，柳晨，刘营，
申请(专利权)人：上海天马有机发光显示技术有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31