接近式自动干手装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种接近式自动干手装置，其特征包括：220V交流电源、12V半波整流稳压电源、感应探头及高频振荡电路、倍压检波电路、倒相放大电路、电加热和风机驱动电路。干手器是一种卫浴间用于烘干双手或者吹干双手的洁具电热器具，它主要有红外线式自动干手器、感应式干手装置和手动干手器等类型。它主要用于宾馆、餐馆、科研机构、医院、公共娱乐场所或家庭卫生间等地方。本实用新型专利技术所述的接近式自动干手装置利用感应方式，并且使用双向可控硅作为电加热和风机的功率驱动元件，并辅以少量普通元器件实现了接近式自动干手装置电路结构简单、性能可靠、造价低廉的各种要求。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电子自动控制
，涉及一种接近式自动干手装置。
技术介绍
干手器是一种卫浴间用于烘干双手或者吹干双手的电热器洁具。目前，它主要有红外线式自动干手器、感应式干手装置和手动干手器等类型。它主要用于宾馆、餐馆、科研机构、医院、公共娱乐场所或家庭卫生间等地方。加热型的干手器市场拥有量最大，通常其加热功率比较大，多在1000W以上，而风机功率一般为200W左右，这种干手器的典型特点是风温很高，依靠较高温度的风，把手上的水珠蒸发吹走，其优点是噪音小，因此它受到了写字楼等需要安静场所的青睐。本技术所述的接近式自动干手装置利用感应方式，并且使用双向可控硅作为电加热和风机的功率驱动元件，并辅以少量普通元器件实现了接近式自动干手装置电路结构简单、性能可靠、造价低廉的要求。以下详细说明本技术所述的接近式自动干手装置在实施过程中所涉及必要的、关键性
技术实现思路
。
技术实现思路
专利技术目的及有益效果：干手器是一种卫浴间用于烘干双手或者吹干双手的洁具电热器具，它主要有红外线式自动干手器、感应式干手装置和手动干手器等类型。它主要用于宾馆、餐馆、科研机构、医院、公共娱乐场所或家庭卫生间等地方。本技术所述的接近式自动干手装置利用感应方式，并且使用双向可控硅作为电加热和风机的功率驱动元件，并辅以少量普通元器件实现了接近式自动干手装置电路结构简单、性能可靠、造价低廉的各种要求。电路工作原理：接近式自动干手装置由降压电容C6、泄放电阻R6及硅整流二极管D3、稳压管DW和电解电容C5组成阻容降压12V半波整流稳压电源，电解电容C5是12V直流稳压电源的滤波电容。当人手没有靠近接近式自动干手装置中的感应探头(高频振荡变压器B)时，高频振荡变压器B能够正常工作，振荡信号经锗二极管D1～D2倍压检波后，得到直流电压可使NPN型晶体管BG2导通，双向可控硅BCR得不到触发电压而截至，电加热和风机驱动电路不工作。当有人手靠近接近式自动干手装置中的感应探头时，由于改变了感应探头(高频振荡变压器B)的分布电容和电容C3的容量，使振荡电路停振，从而使NPN型晶体管BG2截止，使双向可控硅BCR得到触发电压而导通，于是电加热和风机驱动电路得电开始工作。技术特征：接近式自动干手装置，它包括220V交流电源、12V半波整流稳压电源、感应探头及高频振荡电路、倍压检波电路、倒相放大电路、电加热和风机驱动电路，其特征在于：感应探头及高频振荡电路：它由高频振荡变压器B、振荡电容C3、NPN型晶体管BG1、电位器RP、电阻R1和旁路电容C1、负反馈电阻R2和负反馈电容C2组成，NPN型晶体管BG1的集电极接高频振荡变压器B第Ⅲ绕组(初级线圈)的一端和振荡电容C3的一端，高频振荡变压器B第Ⅲ绕组的另一端和振荡电容C3的另一端接电路正极VCC，NPN型晶体管BG1的基极通过高频振荡变压器B第Ⅱ绕组(次级线圈)接电位器RP的一端和偏置电阻R1的一端及旁路电容C1的一端，电位器RP的另一端及其活动端接电路正极VCC，偏置电阻R1的另一端和旁路电容C1的另一端接电路地GND，NPN型晶体管BG1的发射极接负反馈电阻R2的一端和负反馈电容C2的一端，负反馈电阻R2的另一端和负反馈电容C2的另一端接电路地GND；倍压检波电路：它由锗二极管D1～D2和滤波电容C4组成，高频振荡变压器B第Ⅰ绕组(次级线圈)的一端接锗二极管D1的负极与锗二极管D2的正极，高频振荡变压器B第Ⅰ绕组的另一端接电路地GND，锗二极管D1的正极接电路地GND，锗二极管D2的负极接滤波电容C4的正极，滤波电容C4的负极接电路地GND；倒相放大电路：它由NPN型晶体管BG2、匹配电阻R3、负载电阻R4组成，NPN型晶体管BG2的基极接锗二极管D2的负极和匹配电阻R3的一端，NPN型晶体管BG2的发射极和匹配电阻R3的另一端接电路地GND，NPN型晶体管BG2的集电极通过负载电阻R4接电路正极VCC；电加热和风机驱动电路：它由电阻R5、双向可控硅BCR、电加热丝RL和风机FJ组成，双向可控硅BCR的控制极G通过电阻R5接NPN型晶体管BG2的集电极，双向可控硅BCR的第一阳极T1接电加热丝RL的一端和风机FJ的一端，电加热丝RL的另一端和风机FJ的另一端接220V交流电源的火线端L，双向可控硅BCR的第二阳极T2接电路地GND；12V半波整流稳压电源：它由降压电容C6、泄放电阻R6及硅整流二极管D3、硅稳压二极管DW、电解电容C5组成，硅稳压二极管DW的技术参数为12V，220V交流电源的火线端L接降压电容C6的一端和泄放电阻R6的一端，降压电容C6的另一端和泄放电阻R6的另一端接硅整流二极管D3的正极，硅整流二极管D3的负极接硅稳压二极管DW的负极和电解电容C5的正极，硅稳压二极管DW的正极和电解电容C5的负极接电路地GND；12V半波整流稳压电源的正极与电路正极VCC相连，12V半波整流稳压电源的负极与电路地GND及220V交流电源的零线端N相连。附图说明附图1是接近式自动干手装置的电路工作原理图；感应探头是带有高频磁芯高频振荡变压器，第Ⅰ绕组是次级线圈,第Ⅱ绕组是次级线圈，第Ⅲ绕组是初级线圈。具体实施方式按照附图1所示的接近式自动干手装置电路工作原理图和附图说明，并按照实用新型内容所述的各部分电路中元器件之间连接关系，以及实施方式中所述的元器件技术参数要求和电路制作要点进行实施即可实现本技术，以下结合实施例对本技术的相关技术作进一步的描述。元器件名称及主要技术参数元件编号元器件名称主要参数数量备注2-->BG1～BG2NPN型晶体管2SC9013、TO—92塑2只或3DG6B感应探头(高频变压器)5mm×4mm磁芯1只3个绕组D1～D2锗二极管2AP9或1N602只高频二极管D3硅整流二极管1N40071只BCR双向可控硅16A/450V1只C1～C2电容0.1μF/63V2只C3电容560P1只振荡电容C4电解电容2.2μF/16V1只立式R1电阻20KΩ1只R2电阻9.1KΩ1只负反馈R3电阻78本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种接近式自动干手装置，它包括12V直流电源、感应探头及高频振荡电路、倍压检波电路、倒相放大电路、电加热和风机驱动电路，其特征在于：所述的感应探头及高频振荡电路由高频振荡变压器B、振荡电容C3、NPN型晶体管BG1、电位器RP、电阻R1和旁路电容C1、负反馈电阻R2和负反馈电容C2组成，NPN型晶体管BG1的集电极接高频振荡变压器B第Ⅲ绕组初级线圈的一端和振荡电容C3的一端，高频振荡变压器B第Ⅲ绕组的另一端和振荡电容C3的另一端接电路正极VCC，NPN型晶体管BG1的基极通过高频振荡变压器B第Ⅱ绕组次级线圈接电位器RP的一端和偏置电阻R1的一端及旁路电容C1的一端，电位器RP的另一端及其活动端接电路正极VCC，偏置电阻R1的另一端和旁路电容C1的另一端接电路地GND，NPN型晶体管BG1的发射极接负反馈电阻R2的一端和负反馈电容C2的一端，负反馈电阻R2的另一端和负反馈电容C2的另一端接电路地GND；所述的倍压检波电路由锗二极管D1～D2和滤波电容C4组成，高频振荡变压器B第Ⅰ绕组次级线圈的一端接锗二极管D1的负极与锗二极管D2的正极，高频振荡变压器B第Ⅰ绕组的另一端接电路地GND，锗二极管D1的正极接电路地GND，锗二极管D2的负极接滤波电容C4的正极，滤波电容C4的负极接电路地GND；所述的倒相放大电路由NPN型晶体管BG2、匹配电阻R3、负载电阻R4组成，NPN型晶体管BG2的基极接锗二极管D2的负极和匹配电阻R3的一端，NPN型晶体管BG2的发射极和匹配电阻R3的另一端接电路地GND，NPN型晶体管BG2的集电极通过负载电阻R4接电路正极VCC；所述的电加热和风机驱动电路由电阻R5、双向可控硅BCR、电加热丝RL和风机FJ组成，双向可控硅BCR的控制极G通过电阻R5接NPN型晶体管BG2的集电极，双向可控硅BCR的第一阳极T1接电加热丝RL的一端和风机FJ的一端，电加热丝RL的另一端和风机FJ的另一端接220V交流电源的火线端L，双向可控硅BCR的第二阳极T2接电路地GND；所述的12V半波整流稳压电源由降压电容C6、泄放电阻R6及硅整流二极管D3、硅稳压二极管DW、电解电容C5组成，硅稳压二极管DW的技术参数为12V， 220V交流电源的火线端L接降压电容C6的一端和泄放电阻R6的一端，降压电容C6的另一端和泄放电阻R6的另一端接硅整流二极管D3的正极，硅整流二极管D3的负极接硅稳压二极管DW的负极和电解电容C5的正极，硅稳压二极管DW的正极和电解电容C5的负极接电路地GND；所述的12V半波整流稳压电源的正极与电路正极VCC相连，12V半波整流稳压电源的负极与电路地GND及220V交流电源的零线端N相连。...

【技术特征摘要】
1.一种接近式自动干手装置，它包括12V直流电源、感应探头及高频振荡电路、倍压检
波电路、倒相放大电路、电加热和风机驱动电路，其特征在于：
所述的感应探头及高频振荡电路由高频振荡变压器B、振荡电容C3、NPN型晶体管BG1、
电位器RP、电阻R1和旁路电容C1、负反馈电阻R2和负反馈电容C2组成，NPN型晶体管BG1的集
电极接高频振荡变压器B第Ⅲ绕组初级线圈的一端和振荡电容C3的一端，高频振荡变压器B
第Ⅲ绕组的另一端和振荡电容C3的另一端接电路正极VCC，NPN型晶体管BG1的基极通过高
频振荡变压器B第Ⅱ绕组次级线圈接电位器RP的一端和偏置电阻R1的一端及旁路电容C1的
一端，电位器RP的另一端及其活动端接电路正极VCC，偏置电阻R1的另一端和旁路电容C1的
另一端接电路地GND，NPN型晶体管BG1的发射极接负反馈电阻R2的一端和负反馈电容C2的
一端，负反馈电阻R2的另一端和负反馈电容C2的另一端接电路地GND；
所述的倍压检波电路由锗二极管D1～D2和滤波电容C4组成，高频振荡变压器B第Ⅰ绕组
次级线圈的一端接锗二极管D1的负极与锗二极管D2的正极，高频振荡变压器B第Ⅰ绕组的另
一端接电路地GND，锗二极管D1的正极接电路地GND，锗二极管D2的负极接滤波电容C4的正
极，滤波电容C4的负极接电路地GND；
所述的倒相放大电路...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴圣铎，
申请(专利权)人：吴圣铎，
类型：新型
国别省市：安徽;34