一种基于线性驱动电路的语音识别门禁系统技术方案

技术编号:14866873 阅读:95 留言:0更新日期:2017-03-20 22:46
本发明专利技术公开了一种基于线性驱动电路的语音识别门禁系统,主要由中央处理器,分别与中央处理器相连接的报警模块、显示模块、存储器、A/D转换电路和门禁驱动电路,与门禁驱动电路相连接的门禁,以及与A/D转换电路相连接的声音传感器组成;其特征在于,在中央处理器和报警模块之间还串接有线性驱动电路。本发明专利技术通过对语音识别来打开门禁,提高了门禁管理的安全性和稳定性,同时,本发明专利技术不需要像传统的锁具需使用钥匙打开,使用更加方便。本发明专利技术设置有线性驱动电路,其可以线性的对报警模块进行驱动,避免报警模块出现断断续续报警的现像。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种门禁系统,具体是指一种基于线性驱动电路的语音识别门禁系统
技术介绍
随着电子信息技术的迅速发展,传统门锁不断向高科技、智能化方向发展,以生物特征识别结合传统锁具的智能识别系统已经逐渐进入人们的生活中,其中越来越多的企业将这种智能识别系统应用于门禁管理和考勤管理,如IC卡识别系统,但在实际实用中,IC卡识别的安全性和稳定性不能得到很好的保证,例如IC卡易于丢失或被借用,这些不稳定因素都会使系统存在一定的安全隐患。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有的门禁系统安全性和稳定性不高的缺陷,提供一种基于线性驱动电路的语音识别门禁系统。本专利技术的目的通过下述技术方案实现:一种基于线性驱动电路的语音识别门禁系统,主要由中央处理器,分别与中央处理器相连接的报警模块、显示模块、存储器、A/D转换电路和门禁驱动电路,与门禁驱动电路相连接的门禁,以及与A/D转换电路相连接的声音传感器组成;为了更好的实施本专利技术,本发明在中央处理器和报警模块之间还串接有线性驱动电路。进一步的,所述线性驱动电路由放大器P1,放大器P2,场效应管MOS3,场效应管MOS4,场效应管MOS5,N极经电阻R12后与放大器P2的负极相连接、P极则形成该线性驱动电路的输入端的二极管D8,N极经电阻R10后与二极管D8的P极相连接、P极接地的稳压二极管D7,串接在二极管D8的N极和场效应管MOS3的漏极之间的电阻R11,一端与放大器P2的正极相连接、另一端则经电阻R14后与放大器P1的负极相连接的电阻R13,正极与放大器P2的负极相连接、负极则与场效应管MOS5的漏极相连接的电容C5,串接在放大器P2的输出端和场效应管MOS5的栅极之间的电阻R16,以及串接在场效应管MOS4的栅极和放大器P2的输出端之间的电阻R15组成;所述场效应管MOS3的源极接地,其漏极则与放大器P1的正极相连接,其栅极则与放大器P1的输出端相连接;所述场效应管MOS5的源极与放大器P1的负极相连接的同时接地;所述场效应管MOS4的漏极接地,其源极则与放大器P2的正极相连接;所述放大器P2的输出端则形成该线性驱动电路的输出端并与报警模块相连接;所述线性驱动电路的输入端则与中央处理器相连接。所述门禁驱动电路由栅极驱动电路,和与栅极驱动电路相连接的延时电路组成。所述栅极驱动电路由三极管VT2,三极管VT3,场效应管MOS1,场效应管MOS2,变压器T,负极顺次经非门A1和非门A2后与三极管VT2的基极相连接、正极则形成该门禁驱动电路的输入端的电容C1,串接在三极管VT2的集电极和变压器T的原边电感线圈的同名端之间的电阻R7,P极与场效应管MOS1的漏极相连接、N极则与变压器T的原边电感线圈的同名端相连接的同时接12V电压的二极管D3,N极与变压器T的原边电感线圈的非同名端相连接、P极则与场效应MOS1的源极相连接的二极管D4,N极与变压器T的副边电感线圈的非同名端相连接、P极则与变压器T的副边电感线圈的同名端相连接的稳压二极管D5,串接在场效应管MOS2的栅极和稳压二极管D5的N极之间的电阻R9,以及P极与稳压二极管D5的N极相连接、N极则与场效应管MOS2的源极共同形成该门禁驱动电路的输出端的稳压二极管D6组成;所述三极管VT2的基极与三极管VT3的基极相连接,其发射极则与三极管VT3的发射极相连接;所述三极管VT3的基极和集电极均与延时电路相连接,其发射极则与场效应MOS1的栅极相连接;所述场效应管MOS1的源极接地;所述场效应管MOS2的漏极与稳压二极管D5的P极相连接,其源极则与延时电路相连接;所述稳压二极管D6的N极还与延时电路相连接。所述延时电路由时基芯片U1,三极管VT1,三极管VT4,放大器P,P极与三极管VT1的发射极相连接、N极则经电阻R1后与三极管VT2的基极相连接的二极管D1,串接在三极管VT2的基极和时基芯片U1的LX管脚之间的电阻R3,串接在三极管VT1的基极和时基芯片U1的NC管脚之间的电阻R2,N极与放大器P的负极相连接、P极则与三极管VT1的集电极相连接的二极管D2,正极与时基芯片U1的DIM管脚相连接、负极则与二极管D2的P极相连接的电容C2,正极与时基芯片U1的VSSD管脚相连接、负极则与二极管D2的P极相连接的电容C3,串接在放大器P的正极和时基芯片U1的CSN管脚之间的电阻R6,正极与三极管VT4的集电极相连接、负极则与放大器P的输出端相连接的电容C4,串接在三极管VT4的基极和时基芯片U1的VIN管脚之间的电阻R5,串接在三极管VT4的基极和时基芯片U1的VCC管脚之间的电阻R4,以及串接在三极管VT4的发射极和稳压二极管D6的N极之间的电阻R8组成;所述时基芯片U1的DIM管脚与三极管VT1的基极相连接,其VSSM管脚与放大器P的负极相连接;所述三极管VT4的基极与三极管VT3的集电极相连接;所述放大器P的输出端与场效应管MOS2的源极相连接。所述时基芯片U1为QX5243型集成芯片。本专利技术较现有技术相比,具有以下优点及有益效果:(1)本专利技术通过对语音识别来打开门禁,提高了门禁管理的安全性和稳定性,同时,本专利技术不需要像传统的锁具需使用钥匙打开,使用更加方便。(2)本专利技术设置有线性驱动电路,其可以线性的对报警模块进行驱动,避免报警模块出现断断续续报警的现像。附图说明图1为本专利技术的整体结构框图。图2为本专利技术的门禁驱动电路的结构图。图3为本专利技术的线性驱动电路的结构图。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作进一步地详细说明,但本专利技术的实施方式并不限于此。实施例如图1所示,本专利技术的一种基于线性驱动电路的语音识别门禁系统,主要由中央处理器,分别与中央处理器相连接的线性驱动电路、显示模块、存储器、A/D转换电路和门禁驱动电路,与门禁驱动电路相连接的门禁,与A/D转换电路相连接的声音传感器,以及与线性驱动电路相连接的报警模块组成。该声音传感器设置在门禁附近,用于采集声音信号。A/D转换电路用于把声音传感器输出的模拟信号转换为电信号输出给中央处理器。该中央处理器用于控制整个系统的运作,其优先采用台湾凌阳公司产的SPCE061A单片机来实现。存储器则用于预先储存可以进出门禁人员的声音信号;线性驱动电路用于驱动报警模块工作。警报模块采用传统的蜂鸣器,用于在声音信号匹配不对时发出警报声。显示模块则用于同步显示识别结果,其使本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于线性驱动电路的语音识别门禁系统,主要由中央处理器,分别与中央处理器相连接的报警模块、显示模块、存储器、A/D转换电路和门禁驱动电路,与门禁驱动电路相连接的门禁,以及与A/D转换电路相连接的声音传感器组成;其特征在于,在中央处理器和报警模块之间还串接有线性驱动电路。

【技术特征摘要】
1.一种基于线性驱动电路的语音识别门禁系统,主要由中央处理器,分别
与中央处理器相连接的报警模块、显示模块、存储器、A/D转换电路和门禁驱
动电路,与门禁驱动电路相连接的门禁,以及与A/D转换电路相连接的声音传
感器组成;其特征在于,在中央处理器和报警模块之间还串接有线性驱动电路。
2.根据权利要求1所述的一种基于线性驱动电路的语音识别门禁系统,其
特征在于:所述线性驱动电路由放大器P1,放大器P2,场效应管MOS3,场效
应管MOS4,场效应管MOS5,N极经电阻R12后与放大器P2的负极相连接、
P极则形成该线性驱动电路的输入端的二极管D8,N极经电阻R10后与二极管
D8的P极相连接、P极接地的稳压二极管D7,串接在二极管D8的N极和场效
应管MOS3的漏极之间的电阻R11,一端与放大器P2的正极相连接、另一端则
经电阻R14后与放大器P1的负极相连接的电阻R13,正极与放大器P2的负极
相连接、负极则与场效应管MOS5的漏极相连接的电容C5,串接在放大器P2
的输出端和场效应管MOS5的栅极之间的电阻R16,以及串接在场效应管MOS4
的栅极和放大器P2的输出端之间的电阻R15组成;所述场效应管MOS3的源极
接地,其漏极则与放大器P1的正极相连接,其栅极则与放大器P1的输出端相
连接;所述场效应管MOS5的源极与放大器P1的负极相连接的同时接地;所述
场效应管MOS4的漏极接地,其源极则与放大器P2的正极相连接;所述放大器
P2的输出端则形成该线性驱动电路的输出端并与报警模块相连接;所述线性驱
动电路的输入端则与中央处理器相连接。
3.根据权利要求2所述的一种基于线性驱动电路的语音识别门禁系统,其
特征在于:所述门禁驱动电路由栅极驱动电路,和与栅极驱动电路相连接的延
时电路组成。
4.根据权利要求3所述的一种基于线性驱动电路的语音识别门禁系统,其
特征在于:所述栅极驱动电路由三极管VT2,三极管VT3,场效应管MOS1,
场效应管MOS2,变压器T,负极顺次经非门A1和非门A2后与三极管VT2的
基极相连接、正极则形成该门禁驱动电路的输入端的电容C1,串接在三极管VT2
的集电极和变压器T的原边电感线圈的同名端之间的电阻R7,P极与场效应管

\tMOS1的漏极相连接、N极则与变压器T的原边电感线圈的同名端相连接的同
时接12V电压的二极管D3,N极与变压器T的原边电感线圈的...

【专利技术属性】
技术研发人员:汤福琼
申请(专利权)人:成都卡诺源科技有限公司
类型:发明
国别省市:四川;51

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