【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本申请根据35U.S.C.§119，要求2013年8月8日提交的美国临时申请系列第61/863581号的优先权，本文以该申请为基础并将其全文通过引用结合于此。
本专利技术属于制造光纤的方法。更具体地，本专利技术涉及提供光纤的加工方法，所述光纤对于氢展现出降低的敏感度。更具体地，本专利技术涉及制造光纤的方法，其采用受控冷却方案使得形成非桥接氧缺陷最小化。专利技术背景在光纤的制造中，将光学预成形件加热至远高于玻璃软化点的温度，然后以大的下拉比例进行拉制，以形成直径为125um的光纤。由于高拉制温度、大下拉比例和快拉制速度，会破坏光纤的玻璃基质中的二氧化硅键合并且会诱发缺陷。部分此类缺陷是如非桥接氧(NBO)缺陷之类的氧化缺陷，其甚至可以在室温下与氢反应形成氢氧根物质。在光纤中形成氢氧根物质是不合乎希望的，因为氢氧根物质在电信窗口的波长处发生吸收，并导致光纤信号在电信窗口中的传输损耗增加。因此，开发用于电信系统中的具有降低的氢敏感性的光纤是至关重要的。
技术实现思路
本专利技术提供了制造光纤的方法。光纤具有低浓度的非桥接氧缺陷以及对于氢的低敏感度。该方法包括受控的冷却方案，其抑制了非桥接氧缺陷的形成或者促进了非桥接氧缺陷的去除。该方法可以包括：以小于5000℃/s的平均冷却速率对光纤进行冷却，其中，该冷却将光纤的平均温度从1500-1700℃的温度范围降低至1200-1400℃的温度范围。...
【技术保护点】
对光纤进行加工的方法，其包括：沿着第一路径提供光纤；沿着所述第一路径在第一处理区域内冷却所述光纤，所述光纤以第一平均温度进入所述第一处理区域并且以第二平均温度离开所述第一处理区域，所述第二平均温度为1000‑1500℃，以第一冷却速率进行从所述第一平均温度至所述第二平均温度的所述冷却；沿着所述第一路径在第二处理区域内冷却所述光纤，所述光纤以第三平均温度进入所述第二处理区域并且以第四平均温度离开所述第二处理区域，所述第四平均温度为800‑1200℃，以第二冷却速率进行从所述第三平均温度至所述第四平均温度的所述冷却；以及将所述光纤的方向从所述第一路径改变方向至第二路径，所述第二路径与所述第一路径不是共线的。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.08.08 US 61/863,5811.对光纤进行加工的方法，其包括：
沿着第一路径提供光纤；
沿着所述第一路径在第一处理区域内冷却所述光纤，所述光纤以第
一平均温度进入所述第一处理区域并且以第二平均温度离开所述第一处理区
域，所述第二平均温度为1000-1500℃，以第一冷却速率进行从所述第一平均
温度至所述第二平均温度的所述冷却；
沿着所述第一路径在第二处理区域内冷却所述光纤，所述光纤以第
三平均温度进入所述第二处理区域并且以第四平均温度离开所述第二处理区
域，所述第四平均温度为800-1200℃，以第二冷却速率进行从所述第三平均温
度至所述第四平均温度的所述冷却；以及
将所述光纤的方向从所述第一路径改变方向至第二路径，所述第二
路径与所述第一路径不是共线的。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三平均温度为
1200-1400℃。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二冷却速率大于
5000℃/s且小于12000℃/s。
4.如权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一平均温度
为1500-1700℃。
5.如权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一冷却速率
小于5000℃/s。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一冷却速率为
2000-4000℃/s。
7.如权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，所述冷却以所述第
一冷却速率进行至少0.05秒。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述冷却以所述第一冷却速率
进行0.05-0.3秒。
9.如权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，以所述第一冷却速
率进行所述冷却包括使得所述光纤通过经加热的区域，所述经加热的区域的温
度为800-1500℃。
10.如权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，所述第二冷却速
率大于6000℃/s且小于11000℃/s。
11.如权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，所述第二冷却速
率大于5800℃/s。
12.如权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，所述第四平均温
度为1000-1100℃。
13.如权利要求1-6中任一项所述的方法，其特征在于，在第一气体环境
中，以所述第一冷却速率进行所...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·A·邓伍迪，R·C·摩尔，P·坦登，
申请(专利权)人：康宁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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