低膨胀陶瓷及其制造方法技术

一种Ｌｉ－［２］Ｏ.ｎＡｌ－［２］Ｏ－［３］.ｍＳｉＯ－［２］质低膨胀陶瓷及其制造方法，以９～１２％（重量）工业碳酸锂，４９～５２％（重量）高岭土，３７～３９％（重量）石英为陶瓷基体原料，添加０．５～２．０％（重量）氧化锗作为烧结促进剂。用这种配方的合成材料可以制得主晶相为透锂长石固溶体，膨胀系数为－０．１～２．５×１０＋［－７］℃＋［－１］，抗热震性强，抗折强度高，耐化学腐蚀好，形状复杂，规格各异，应用广泛的各种低膨胀陶瓷制品。本发明专利技术有效地解决了制品的微观结构与性能间的关系，可大规模稳定生产。（*该技术在2008年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种Ｌｉ↓［２］Ｏ.ｎＡｌ↓［２］Ｏ↓［３］ｍＳｉＯ↓［２］质的低膨胀陶瓷；其特征在于：陶瓷基体原料中含工业碳酸锂９～１２％（重量），高岭土４９～５２％（重量），石英３７～３９％（重量），氧化锗０．５～２．０％（重量），用上述配料可制成主晶相为透锂长石固溶体，膨胀系数为－０．１～２．５×１０↑［－７］℃↑［－１］的各种低膨胀陶瓷制品。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周健儿，孙再清，晏清，王文斌，
申请(专利权)人：景德镇陶瓷学院，
类型：发明
国别省市：36[中国|江西]