一种基于SiC外延石墨烯的Ag颗粒拉曼增强效应的表征方法技术

本发明专利技术涉及一种基于SiC外延石墨烯的Ag颗粒拉曼增强效应的表征方法，包括：首先将Ag颗粒均匀喷涂在准自由态石墨烯晶片上，然后用显微拉曼光谱进行测试，得到Si‑H键结合情况。本发明专利技术利用Ag拉曼增强效应，直接表征Si‑H键可直接地判断氢原子的插入程度；同时通过分析测试区域内Si‑H键出现的比例来直观反馈实验条件对氢插入效果的影响。在直观表征Si‑H键的同时，石墨烯特征G峰、2D峰和缺陷D峰也得到一定程度的增强，为近一步精确分析石墨烯的结构及缺陷等性质提供了有力帮助。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基于Ag(银)拉曼增强效应对准自由态SiC衬底外延石墨稀的表征方法，尤其涉及基于大直径SiC(0001)面外延生长石墨烯的表征方法，属于微电子材料

技术介绍
石墨烯是由碳原子以sp2轨道杂化形成的六角形蜂巢晶格的原子级二维晶体材料，具有几十倍于商用硅片的高载流子迁移率，并且受温度和掺杂效应的影响很小，表现出优良的电子传输特性。石墨烯晶体在超高频率电子器件方面有着重要的应用价值。然而，石墨烯电子器件性能的提升受到石墨烯品质的严重制约，制备出高质量、低成本的石墨烯材料是当前实现大规模石墨烯应用的前提条件。SiC衬底外延石墨烯是指SiC晶片在高温环境下，由于硅(Si)元素的饱和蒸汽压低于C元素，Si原子优先升华，衬底表面剩余的游离态C原子发生sp2重构，从而形成石墨烯。目前SiC衬底外延石墨烯主要工艺在SiC(0001)硅面上进行，此工艺制备的石墨烯材料质量较好并且工艺可控。但因生长机理的限制，Si面上制备的石墨烯第一层碳原子与SiC衬底之间存在很强的相互作用，被称作缓冲层。缓冲层与SiC衬底之间超强的共价键作用会破坏石墨烯π能带所表现的导电性，呈现非导电性质本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于SiC外延石墨烯的Ag颗粒拉曼增强效应的表征方法，其特征在于，包括：首先将Ag颗粒均匀喷涂在准自由态石墨烯晶片上，然后用显微拉曼光谱进行测试，得到Si‑H键结合情况。

【技术特征摘要】
1.一种基于SiC外延石墨烯的Ag颗粒拉曼增强效应的表征方法，其特征在于，包括：首先将Ag颗粒均匀喷涂在准自由态石墨烯晶片上，然后用显微拉曼光谱进行测试，得到Si-H键结合情况。2.根据权利要求1所述的一种基于SiC外延石墨烯的Ag颗粒拉曼增强效应的表征方法，其特征在于，所述Ag颗粒的形状为球状、立方体状、柱状，球状Ag颗粒的直径为50-2500nm，柱状Ag颗粒的长度3-9μm，立方体状Ag颗粒的宽度为0.5-3μm。3.根据权利要求1所述的一种基于SiC外延石墨烯的Ag颗粒拉曼增强效应的表征方法，其特征在于，所述Ag颗粒在所述准自由态石墨烯晶片的分布密度为5-20个/100μm2。4.根据权利要求1所述的一种基于SiC外延石墨烯的Ag颗粒拉曼增强效应的表征方法，其特征在于，将Ag颗粒均匀喷涂在准自由态石墨烯晶片后，用N2吹掉多余的Ag颗粒。5.根据权利要求1所述的一种基于SiC外延石墨烯的Ag颗粒拉曼增强效应的表征方法，其特征在于，所述准自由态石墨烯晶片通过以下制备方法制得：SiC衬底原位生长的石墨烯晶片通入H2钝化，去除缓冲层，得到所述准自由态石墨烯晶片。6.根据权利要求5所述的一种基于SiC外延石墨烯的Ag颗粒拉曼增强效应的表征方法，其特征在于，通入H2的温度为600-1500℃，时间为1-5h，压力为80...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈秀芳，孙丽，徐现刚，赵显，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：山东;37