光敏性绝缘树脂组合物及其绝缘膜的制造方法技术

技术编号:14783478 阅读:300 留言:0更新日期:2017-03-10 04:43
本发明专利技术提供一种光敏性绝缘树脂组合物及其绝缘膜的制造方法。光敏性绝缘树脂组合物,可均匀涂布于具有表面段差的基材,用以绝缘,其包含以下成份:含酚基的碱可溶性树脂;具有醌二迭氮基的化合物;交联剂;沸点高于130度C的高沸点溶剂;以及沸点低于130度C的低沸点溶剂。低沸点溶剂是占溶剂总重的60wt%~92wt%。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是涉及一种适用于半导体组件的层间硬化物(绝缘膜)、表面保护膜(外套膜)、高密度封装基材用硬化物等的光敏性绝缘树脂组合物,特别是涉及一种能形成具有良好的耐热性、耐溶剂性与涂布均匀性的绝缘膜的正型光敏性绝缘树脂组合物。
技术介绍
在半导体制程中,如液晶显示组件或光学组件等,于基材上形成一保护膜为重要的工艺。由于当制程中需于严苛条件下进行处理程序,例如以酸性溶液或碱性溶液浸泡基材表面,或以溅射(Sputtering)形成配线电极层于基材表面时产生局部高温,因此需于组件或膜层的表面上铺设保护膜,以防止制程时组件受损。现今,保护膜通常皆以光敏性绝缘树脂组合物经涂布、曝光、显影等制程而形成于基材上。为使保护膜具有抵御上述严苛条件处理的特性,保护膜除需具有适当的表面硬度及平滑性的基本特性外,亦需要与基材间具有优异的附着力,更重要者,保护膜需具有良好的耐热性、耐溶剂性、绝缘性与机械特性等。但由于所欲保护的组件表面往往并非平坦的表面。如图1所示,在保护膜12形成于组件10表面的过程中,可能会因为流动使组件10表面的斜面F1、平面F2与斜面F1的接触转角,或是倾斜角度较大的地方无法完整被覆盖,导致组件表面厚度不均以及覆盖不全的问题,造成后续制程中对所欲保护的表面产生损伤,影响产品质量与效能。尤其当所欲保护组件或膜层表面凹凸段差越大,越容易产生表面厚度不均以及覆盖不全的问题。因此,如何解决现有技术的问题,使保护膜能具有良好的涂布性、耐热性、耐溶剂性、绝缘性的同时,还能得到良好的图案分辨率,在制程中能均匀地形成于基材表面,并完整覆盖所欲保护的组件或膜层表面,成为本专利技术讨论的课题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述状况而成者,其课题在于达成下述目的。即,本专利技术的目的在于提供一种光敏性绝缘树脂组合物,其包含以下成份:含酚基的碱可溶性树脂;具有醌二迭氮基的化合物;交联剂;沸点高于130℃的高沸点溶剂;以及沸点低于130℃的低沸点溶剂,其中所述高沸点溶剂与所述低沸点溶剂的沸点差异是介于30℃至100℃间,且所述低沸点溶剂是占溶剂总重的60wt%~92wt%。在本专利技术的较佳实施例中,上述的组合物的黏度是介于0.3-100cP间。在本专利技术的较佳实施例中,上述的光敏性绝缘树脂组合物进一步包含界面活性剂。在本专利技术的较佳实施例中,上述的含酚基的碱可溶性树脂,为酚醛树脂、烃基苯乙烯/苯乙烯共聚物树脂的任一者或其组合。在本专利技术的较佳实施例中,上述的低沸点溶剂为一酮类和一醚类中的任一者或其组合。在本专利技术的较佳实施例中,上述的交联剂为含有烷基醚化的胺基的化合物、含有环氧基的化合物的任一者或其组合。在本专利技术的较佳实施例中,上述的低沸点溶剂为沸点介于40℃至130℃间,且碳数为6以下的酮类及醚类中的任一者或其组合。在本专利技术的较佳实施例中,上述的高沸点溶剂为丙二醇单甲醚乙酸酯、二乙二醇甲乙醚、二乙二醇二甲醚、乙二醇单烷基醚乙酸酯类、丙二醇单烷基醚类、丙二醇二烷基醚类、丙二醇单烷基醚乙酸酯类、芳香族烃类、碳数为6以上的酮类中的任一者或其组合。本专利技术还提供一种绝缘膜的制造方法,其包括以下步骤:将上述的光敏性绝缘树脂组合物涂布于具有表面段差的基材的表面的步骤其中所述表面包含上平面、斜面与下平面,斜面连接上平面与下平面,并且表面段差上平面与下平面的垂直距离;于低温环境下加热光敏性绝缘树脂组合物以形成涂层的步骤,其中于基材的所述斜面与上平面衔接处的部分所述涂层具有膜厚T1(μm);图案化所述涂层的步骤;以及于高温环境下加热图案化的涂层以形成绝缘膜的步骤,其中于基材的所述斜面与上平面衔接处的部分绝缘膜具有膜厚T2(μm),其中0<T2<T1。在本专利技术的较佳实施例中,上述的于低温环境下加热所述光敏性绝缘树脂组合物以形成涂层的步骤是在80℃~120℃下加热1分钟~30分钟;以及所述于高温环境下加热所述图案化涂层以形成绝缘膜的步骤是在180℃~250℃下加热1至5小时。在本专利技术的较佳实施例中,上述的涂布光敏性绝缘树脂组合物的步骤是透过喷涂涂布法。本专利技术所提供的光敏性绝缘树脂组合物由于包含至少一种低沸点溶剂与一种高沸点溶剂,低沸点溶剂的干燥速度较快,喷涂于基材表面后能使组合物黏稠度提升,降低其流动速率,因此能使喷涂于基材表面的光敏性绝缘树脂组合物保留喷涂后的均匀度。再者,本专利技术所提供的绝缘膜的制造方法,由于所述绝缘膜是由本专利技术的光敏性组合物所形成,在制程的加热过程中的反应性良好,不易有膜层流动现象;即使在表面凹凸不平的基材上亦能均匀地形成绝缘膜,具有优异的分辨率及绝缘性。因此能避免习知技术中产生的覆盖厚度不均、无法完整覆盖的问题。附图说明图1为根据
技术介绍
所绘制,保护膜形成于组件表面的剖面结构示意图;图2为根据本专利技术所提供的绝缘膜的制造方法所绘制的流程步骤示意图;图2a为根据本专利技术所提供的制程步骤(S1)所绘制的结构剖面示意图;以及图2b为根据本专利技术所提供的制程步骤(S4)所绘制的结构剖面示意图。附图标记说明10:组件12:保护膜20:基材22:涂层24:绝缘膜d:表面段差F1、F2、F20、F20’、F21、F22、F23:面S1-S4:步骤T1、T2:膜厚具体实施方式为让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂,以下述具有代表性的实施态样做详细说明,但本专利技术并不限定于此些实施态样。再者,于本说明书中,使用「~」来表示的数值范围是指包含「~」的前后所记载的数值分别作为下限值、上限值的范围。本专利技术提供一种光敏性绝缘树脂组合物及其绝缘膜的制造方法,其目的在于能有效地形成均匀的保护膜于半导体基材上,甚至在表面不平的半导体基材上亦能达到完整覆盖并保护基材的效果。依据本专利技术的光敏性绝缘树脂组合物形成的保护膜或绝缘膜除了良好的涂布均匀性之外,还能得到良好的图案分辨率,同时具有良好的耐热性、耐溶剂性、绝缘性,解决习知技术中保护膜/绝缘膜厚度不均以及覆盖不全的问题。为让本专利技术的上述和其他目的、特征、优点能更明显易懂,下文将分别针对光敏性绝缘树脂组合物及其绝缘膜的制造方法做说明。同时提供本专利技术的不同实施例以及比较例的测试结果,以具体说明本专利技术及其功效。[光敏性绝缘树脂组合物]本专利技术的光敏性绝缘树脂组合物是为一正型光敏性绝缘树脂组合物,包含成份(A)含酚基的碱可溶性树脂、(B)具有醌二迭氮基的化合物、(C)交联剂以及(D)溶剂,并且可以选择性加入(E)界面活性剂。其中(D)溶剂包含至少一种高沸点溶剂与至少一种低沸点溶剂,并且高沸点溶剂与低沸点溶剂的沸点差异介于30℃~100℃之间。本专利技术的上述光敏性绝缘树脂组合物具有介于0.3-100cP的黏度。(A)含酚基的碱可溶性树脂本专利技术的光敏性绝缘树脂组合物中所含的碱可溶性树脂较佳为(A)含酚基的碱可溶性树脂,只要是可溶解于碱性显影液的树脂即可,并没有特别限制。(A)含酚基的碱可溶性树脂可为酚醛树脂、烃基苯乙烯/苯乙烯共聚物树脂中的任一者或其组合。举例来说,本专利技术的(A)含酚基的碱可溶性树较佳为羟基苯乙烯/苯乙烯的共聚物。就反应性的观点来看,其质量平均分子量(Mw)较佳为2000~40000。(B)具有醌二迭氮基的化合物本专利技术的光敏性绝缘树脂组合物中所含的(B)具有醌二迭氮基的化本文档来自技高网
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光敏性绝缘树脂组合物及其绝缘膜的制造方法

【技术保护点】
一种光敏性绝缘树脂组合物,其可均匀涂布于具有表面段差的基材,用以绝缘,其包含:含酚基的碱可溶性树脂;具有醌二迭氮基的化合物;交联剂;沸点高于130℃的高沸点溶剂;以及沸点低于130℃的低沸点溶剂,所述高沸点溶剂与所述低沸点溶剂的沸点差异为介于30℃至100℃间,且所述低沸点溶剂为占溶剂总重的60wt%~92wt%。

【技术特征摘要】
2015.11.09 TW 1041368811.一种光敏性绝缘树脂组合物,其可均匀涂布于具有表面段差的基材,用以绝缘,其包含:含酚基的碱可溶性树脂;具有醌二迭氮基的化合物;交联剂;沸点高于130℃的高沸点溶剂;以及沸点低于130℃的低沸点溶剂,所述高沸点溶剂与所述低沸点溶剂的沸点差异为介于30℃至100℃间,且所述低沸点溶剂为占溶剂总重的60wt%~92wt%。2.根据权利要求1中所述的光敏性绝缘树脂组合物,其特征在于,所述光敏性绝缘树脂组合物的黏度为介于0.3-100cP间。3.根据权利要求1中所述的光敏性绝缘树脂组合物,其特征在于,所述光敏性绝缘树脂组合物进一步包含界面活性剂。4.根据权利要求1中所述的光敏性绝缘树脂组合物,其特征在于,所述含酚基的碱可溶性树脂为选自酚醛树脂、烃基苯乙烯/苯乙烯共聚物树脂上述任一者或其组合。5.根据权利要求1中所述的光敏性绝缘树脂组合物,所述交联剂为含有烷基醚化的胺基的化合物、含有环氧基的化合物的任一者或其组合。6.根据权利要求1中所述的光敏性绝缘树脂组合物,其特征在于,所述低沸点溶剂为沸点介于40℃至130℃间,且碳数为6以下的酮类及醚类中的任一者或其组合。7.根据权利要求1中所述的光敏性绝缘树脂组合物,其特征在于,所述高沸点溶剂为丙二醇单甲醚...

【专利技术属性】
技术研发人员:张哲玮钟明哲
申请(专利权)人:新应材股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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