基于CH3NH3PbI3材料的P型HHMT晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的P型HHMT晶体管及其制备方法。该方法包括：选取Al2O3材料作为衬底材料；采用第一掩膜版在所述衬底材料表面形成源漏电极；在所述衬底材料及所述源漏电极表面生长空穴传输层；采用第二掩膜版在所述空穴传输层表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层；采用第三掩膜版在所述光吸收层表面生长形成栅电极材料，以完成所述P型HHMT晶体管的制备。本发明专利技术实施例采用空穴传输层传输空穴阻挡电子，并采用CH3NH3PbI3向沟道提供大量的空穴，制备出的P型HHMT晶体管具有迁移率高，开关速度快，光电转换效率大的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路
，具体涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的P型HHMT晶体管及其制备方法。
技术介绍
随着电子技术的蓬勃发展，市场对光电高速器件的需求与日俱增，并对器件的性能不断提出更高更细致的要求。近年来，随着可见光无线通讯技术以及电路耦合技术的崛起，市场对可见光波段的光电高空穴迁移率晶体管(HighHoleMobilityTransistor,简称HHMT)提出了新的要求。然后，如何制作成本低廉、制备工艺简单，且电转换效率高的光电P型HHMT器件仍然是当前亟需解决的技术问题。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种基于CH3NH3PbI3材料的P型HHMT晶体管及其制备方法。本专利技术的一个实施例提供了一种基于CH3NH3PbI3材料的P型HHMT晶体管的制备方法，包括：选取Al2O3材料作为衬底材料；采用第一掩膜版在所述衬底材料表面形成源漏电极；在所述衬底材料及所述源漏电极表面生长空穴传输层；采用第二掩膜版在所述空穴传输层表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层；采用第三掩膜版在所述光吸收层表面生长形成栅电极材料，以完成所述P型H本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于CH3NH3PbI3材料的P型HHMT晶体管的制备方法，其特征在于，包括：选取Al2O3材料作为衬底材料；采用第一掩膜版在所述衬底材料表面形成源漏电极；在所述衬底材料及所述源漏电极表面生长空穴传输层；采用第二掩膜版在所述空穴传输层表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层；采用第三掩膜版在所述光吸收层表面生长形成栅电极材料，以完成所述P型HHMT晶体管的制备。

【技术特征摘要】
1.一种基于CH3NH3PbI3材料的P型HHMT晶体管的制备方法，其特征在于，包括：选取Al2O3材料作为衬底材料；采用第一掩膜版在所述衬底材料表面形成源漏电极；在所述衬底材料及所述源漏电极表面生长空穴传输层；采用第二掩膜版在所述空穴传输层表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层；采用第三掩膜版在所述光吸收层表面生长形成栅电极材料，以完成所述P型HHMT晶体管的制备。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用第一掩膜版在所述衬底材料表面形成源漏电极，包括：采用氩气对磁控溅射设备的溅射腔体进行清洗后抽真空；选取质量比纯度≥99.99%的第一金属材料作为溅射靶材，以质量百分比纯度≥99.999%的氩气作为溅射气体通入溅射腔，在真空度为6×10-4~1.3×10-3Pa的条件下在所述衬底材料表面形成所述源漏电极。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一金属材料为Au、Al、Ti、Ni、Ag或Pt。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述衬底材料及所述源漏电极表面生长空穴传输层，包括：配制浓度为72.3mg/mL的Spiro-OMeTAD的氯苯溶液，并加入浓度为520mg/mL锂盐的乙腈溶液、四叔丁基吡啶和300mg/mL钴盐的乙腈溶液，以体积比为10:17:11在常温下搅拌，得到Spiro-OMeTAD溶液；将所述Spiro-OMeTAD溶液滴加至所述衬底材料及所述源漏电极表面并旋涂，形成所述空穴传输层。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾仁需，汪钰成，庞体强，刘银涛，张玉明，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61