The invention relates to a method for preparing high performance silicon nitride ceramic products by hot isostatic pressing. The invention adopts coating method: Si: 3 N: 4 products blank by immersed Czochralski method, the surface protective film containing a layer of boron nitride material, then coated Si down 3 N: 4 products blank into the glass powder in the heat, etc. the static pressure (HIP), vacuum heating furnace, glass melting at high temperature, coating Si down 3 N: 4 products blank, and then press. The ceramic product of the invention has good compactness and uniform structure, and is the most ideal method for preparing ceramic products at present.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种适用于制备高性能氮化硅陶瓷的方法，特别涉及一种适用于热等静压制备高性能氮化硅陶瓷产品的方法。现有技术自美国NASA公司1972年研制成功第一套陶瓷轴承开始，世界上工业强国就一直在竞相开发、研制新一代更高性能的陶瓷产品，各国轴承生产企业和大专院校、科研单位纷纷研制陶瓷产品加工工艺和相应产品，烧结加工陶瓷制品生产企业普遍采用热压(HP)和气压(GPS)烧结工艺，HP只能生产简单形状产品。热等静压(HIP)是国际上最新研制的陶瓷产品生产工艺，其工艺解决了烧结Si3N4致密化动力不足的问题，是生产高精度陶瓷球的最佳烧结工艺之一，Si3N4热等静压(HIP)工艺分为后处理和包套两种方式，后处理工艺要求Si3N4素坯表面一定没有连通气孔，因此，处理的制品应在常压下达到理论密度的90％以上，一般情况下很难达到。传统的包套法生产Si3N4工艺为金属包套，如金属Ni(或Mo)包套，把Si3N4制品放入包套中，真空封装使Si3N4制品密闭在包套内，高温高压处理由于热等静压(HIP)在很高的温度下进行，在高温高压情况下Si3N4与包套会发生一定的反应，必须在包套中添加保护埋粉；玻璃包套，将Si3N4制品放入玻璃包套中，加热、抽真空包封，再放入热等静压(HIP)炉中，抽真空、加温、加压，由于在高温高压下玻璃包套易渗入氮化硅制品中，很难保证其可靠性。专利技术的目的本专利技术的目的是提供一种确保高可靠性的玻璃包覆热等静压制备高性能陶瓷的方法。本专利技术技术方案本专利技术采用包覆法将Si3N4制品素坯用浸入提拉法，使其表面含有一层保护膜，再将涂覆后的Si3N4制...
【技术保护点】
一种氮化硅陶瓷的制备方法，其特征在于：将Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］制品素坯用浸入提拉法，在其表面涂有保护层，防止高温下玻璃浸入Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］制品中，将Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］制品素坯埋入玻璃粉中，在热等静压（ＨＩＰ）炉中抽真空、加热，玻璃在高温下熔融，包覆了Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］制品素坯，然后再加压。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：冯志峰，刘国成，冯，
申请(专利权)人：常州华盛天龙机械有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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