具有双增益控制的载波聚合放大器制造技术
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉引用本申请要求2014年5月23日提交的共同拥有的美国临时专利申请第62/002,751号以及2015年3月10提交的美国非临时专利申请第14/643,854号的优先权，其全部内容通过引用明确地合并于此。
本公开总体上涉及电子器件，并且更加具体地涉及发射器和接收器。现有技术的描述在射频(RF)收发器中，通信信号通常由接收电路装置(有时称为接收链路)来接收和下变频。接收链路通常包括接收滤波器、低噪声放大器(LNA)、混频器、本地振荡器(LO)、压控振荡器(VCO)、基带滤波器、以及其他部件，以恢复通信信号中包含的信息。收发器还包括使得能够向另一收发器中的接收器传输通信信号的电路装置。收发器可以能够在多个频率范围(通常称为频带)上操作。另外，单个收发器可以被配置为使用多个载波信号来操作，这些多个载波信号可以在相同的频带中但是可以在频率上不交叠，一种称为非连续载波的布置。在一些实例中，单个发射器或接收器被配置为使用多个发射频率和/或多个接收频率来操作。对于能够同时接收两个或多个接收信号的接收器，可以同时对两个或多个接收路径进行操作。这样的系统有时称为“...
【技术保护点】
一种装置，包括：第一放大级，被配置为放大第一载波信号；第二放大级，被配置为放大第二载波信号，所述第一放大级被直流(DC)耦合至所述第二放大级；第一电路装置，被耦合至所述第一放大级并且被配置为控制所述第一放大级的第一增益，所述第一电路装置被配置为从所述第一放大级的第一输出选择性地转移第一泄放电流；以及第二电路装置，被耦合至所述第二放大级并且被配置为独立于所述第一增益来控制所述第二放大级的第二增益，所述第二电路装置被配置为从所述第二放大级的第二输出选择性地转移第二泄放电流。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.05.23 US 62/002,751;2015.03.10 US 14/643,8541.一种装置，包括：第一放大级，被配置为放大第一载波信号；第二放大级，被配置为放大第二载波信号，所述第一放大级被直流(DC)耦合至所述第二放大级；第一电路装置，被耦合至所述第一放大级并且被配置为控制所述第一放大级的第一增益，所述第一电路装置被配置为从所述第一放大级的第一输出选择性地转移第一泄放电流；以及第二电路装置，被耦合至所述第二放大级并且被配置为独立于所述第一增益来控制所述第二放大级的第二增益，所述第二电路装置被配置为从所述第二放大级的第二输出选择性地转移第二泄放电流。2.根据权利要求1所述的装置，还包括被耦合至所述第一放大级并且被耦合至所述第二放大级的转移路径。3.根据权利要求2所述的装置，其中所述转移路径包括被配置为从所述第二放大级向所述第一放大级选择性地转移电流的晶体管。4.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一放大级被耦合至可编程衰退电路。5.根据权利要求4所述的装置，其中所述可编程衰退电路包括变压器，并且其中所述可编程衰退电路包括辅助路径，所述辅助路径包括所述变压器的开关电感器。6.根据权利要求5所述的装置，其中所述辅助路径包括串联耦合至所述开关电感器的辅助晶体管，并且其中所述辅助晶体管的栅极被耦合至辅助路径启用输入。7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一放大级包括第一增益晶体管和第一共源共栅晶体管，并且其中所述第二放大级包括第二增益晶体管和第二共源共栅晶体管。8.根据权利要求7所述的装置，其中所述第二共源共栅晶体管被配置为在非载波聚合模式下被去激活并且被配置为在带内载波聚合模式下被激活。9.根据权利要求7所述的装置，其中被耦合至所述第二增益晶体管和所述第一共源共栅晶体管的转移晶体管被配置为在非载波聚合模式下有效并且被配置为在带内载波聚合模式下无效。10.根据权利要求7所述的装置，其中被耦合至所述第一放大级的可编程衰退电路包括开关电感器，其中所述开关电感器被配置为在非载波聚合模式下有效并且被配置为在带内载波聚合模式下无效。11.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一放大级并联耦合至所述第二放大级。12.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·A·M·尤塞夫，E·A·S·阿布德尔格哈尼，LC·常，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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